IC-Hersteller Silergy Corporation

IC-Hersteller (103)

Silergy Corporation SQ33608 | Demoboard EVB_SQ33608WSQ

PoE PD interface compliant with IEEE 802.3af/at/bt standards Highly integrated active clamp PWM controller

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung41-57 V
Ausgang 112 V / 5 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

PoE PD interface compliant with IEEE 802.3af/at/bt standards Highly integrated active clamp PWM controller.

Typische Anwendungen

  • IEEE 802.3af/at/bt-Compliant Devices; Security Cameras; Video and VoIP Phones; WLAN Access Points; IoT Devices; Pico Base Stations

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
VT(V (AC))
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
VPE
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
Montageart
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
Z(mΩ)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Vaux(V)
n
Bauform
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.9 µH
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
MontageartSMT 
Länge7 mm
VersionSMT 
Bauform7050 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 8.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom8.3 A
Gleichstromwiderstand14.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Performance Nennstrom10.75 A
Sättigungsstrom 17.2 A
Sättigungsstrom @ 30%16.95 A
Verpackungseinheit300 
Gleichstromwiderstand14.8 mΩ
Gleichstromwiderstand16.28 mΩ
MontageartSMT 
Länge11.6 mm
Bauform1090 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, 100 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Länge23.11 mm
VerpackungTape and Reel 
VersionForward 
Input Voltage 36 - 72 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V
Ausgangsstrom 15 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
BauformEFD20 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.35 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.35 A
Sättigungsstrom0.42 A
Gleichstromwiderstand2650 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.95 MHz
Verpackungseinheit1500 
Gleichstromwiderstand2650 mΩ
MontageartSMT 
Länge6 mm
Bauform6045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Verpackungseinheit1000 
MontageartV-Chip SMT 
Kapazität22 µF
Nennspannung35 V (DC)
Endurance 2000
Rippelstrom230 mA
Impedanz440 mΩ
Leckstrom7.7 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser6.3 mm
Länge5.5 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
VersionTHT 
Bauform6.3 x 5.5 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Verpackungseinheit900 
MontageartV-Chip SMT 
Kapazität220 µF
Nennspannung16 V (DC)
Endurance 2000
Rippelstrom280 mA
Impedanz360 mΩ
Leckstrom35.2 µA
Verlustfaktor16 %
Durchmesser6.3 mm
Länge7.7 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
VersionSMT 
Bauform6.3 x 7.7 
Verfügbarkeit prüfen