IC-Hersteller Renesas

IC-Hersteller (108)

Renesas ZSPM1051

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TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Von Renesas freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
LR(nH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 47.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Nennstrom47.5 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
Nenninduktivität310 nH
Sättigungsstrom 158 A
Sättigungsstrom @ 30%65.7 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
MaterialMnZn 
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SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4700 nH, 0.85 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4700 nH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom0.7 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand310 mΩ
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SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, 0.05 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Nennstrom0.05 A
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz2200 Ω
Maximale Impedanz2250 Ω
Maximale Impedanz110 MHz 
Nennstrom 2500 mA
Gleichstromwiderstand800 mΩ
TypBreitband 
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