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Onsemi NCP1081 | Demoboard NCP1081REF12VC4GEVB
Integrated High Power PoE-PD Interface & DC-DC Converter Controller
Details
| Topologie | LAN / POE |
| Ausgang 1 | 12 V |
Beschreibung
The NCP1081 is a member of ON Semiconductor’s high power HIPO Power over Ethernet Powered Device (PoE−PD) product family and represents a robust, flexible and highly integrated solution targeting demanding medium and high power Ethernet applications. It combines in a single unit an enhanced PoE−PD interface supporting the IEEE802.3af and the 802.3at standard and a flexible and configurable DC−DC converter controller.
Eigenschaften
- These are Pb−Free Devices Powered Device Interface
- Supporting the IEEE802.3af and the 802.3at Standard
- Supports IEEE802.3at Two Event Layer 1 Classification
- High Power Layer 1 Classification Indicator
- Extended Power Ranges up to 40 W
- Programmable Classification Current
- Adjustable Under Voltage Lock Out
- Programmable Inrush Current Limit
- Programmable Operational Current Limit up to 1100 mA for Extended Power Ranges -Over−temperature Protection
- Industrial Temperature Range −40°C to 85°C with Full Operation up to 150°C Junction Temperature
- 0.6 Hot−swap Pass−switch with Low Loss Current Sense Technique
- Vertical N−channel DMOS Pass−switch offers the Robustness of Discrete MOSFETs with Integrated Temperature Control
Typische Anwendungen
- PoE-PD Converter REF Design
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(mm) | f(mm) | B(mm) | RS(Ω/ square) | Material | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | xPxC | Ports | Schirmung | Tab | EMI | Anwendungssystem | Arbeitsspannung(V (AC)) | Verpackung | Pins | Betriebstemperatur | Farbe | Gender | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | H(mm) | Typ | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | L(µH) | n | VT(V (AC)) | Bauform | Vaux(V) | RDC 1(mΩ) | RDC 2(mΩ) | RDC 3(mΩ) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, 1.6 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | Länge1.6 mm | – | Breite0.8 mm | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand5 mΩ | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | Impedanz @ 100 MHz8 Ω | Maximale Impedanz25 Ω | Maximale Impedanz1930 MHz | Nennstrom9500 mA | Impedanz @ 1 GHz24 Ω | Höhe0.8 mm | TypHochstrom | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | MontageartSMT | ||||
 | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2 mm, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Länge2 mm | – | Breite1.6 mm | – | – | Sättigungsstrom 12.8 A | Sättigungsstrom 26.7 A | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Eigenresonanzfrequenz280 MHz | – | – | Schirmunggeschirmt | – | – | – | – | – | Pins2 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | Nennstrom6900 mA | – | Höhe1 mm | – | VersionGestanzt | – | – | – | Induktivität0.24 µH | – | – | Bauform201610 | – | – | – | – | MontageartSMT | ||||
 | WR-PHD Kurzschlussbrücken, 2.44 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Kurzschlussbrücken | Länge2.44 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | VerpackungBeutel | Pins1 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | FarbeSchwarz | GenderJumper | – | – | – | Nennstrom3000 mA | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||
 | WA-SNSR Self-Retaining Spacer, 4 mm, 3 mm | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWA-SNSR Self-Retaining Spacer | Länge4 mm | Bohrung in Blende3 mm | – | – | MaterialPA66 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -30 °C up to +85 °C | FarbeNatur | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||
 | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 5.08 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | Länge5.08 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | VerpackungBeutel | Pins2 | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | GenderStiftleiste | – | – | – | Nennstrom3000 mA | – | – | TypGerade | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | |||
 | WE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus, 23.11 mm, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus | Länge23.11 mm | – | Breite29.08 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | – | Höhe11.43 mm | – | VersionCCM Flyback | Input Voltage 36 - 72 V (DC) | Ausgangsspannung 112 V | Ausgangsstrom 12.5 A | Induktivität42 µH | Übersetzungsverhältnis3:1:1 | Prüfspannung1500 V (AC) | BauformEFD20 | Hilfsspannung12 V | Gleichstromwiderstand 161 mΩ | Gleichstromwiderstand 218 mΩ | Gleichstromwiderstand 3180 mΩ | MontageartSMT | |||
 | WE-CF EMV-Abschirmband/EMV-Abschirmfolie, 33000 mm, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CF EMV-Abschirmband/EMV-Abschirmfolie | Länge33000 mm | – | Breite8 mm | Oberflächenwiderstand0.0005 Ω/ square | MaterialKupfer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -25 °C up to +80 °C | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.04 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
 | WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Anzahl der Pins (xPxC)8P8C | Ports1x1 | SchirmungKunststoff | – | EMI FingerNein | AnwendungssystemCAT 3 | Arbeitsspannung120 V (AC) | VerpackungTray | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | – | Nennstrom1500 mA | – | – | TypVertikal | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | |||
 | WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Anzahl der Pins (xPxC)8P8C | Ports1x1 | Schirmunggeschirmt | Tab PositionUnten | EMI FingerNein | AnwendungssystemCAT 3 | Arbeitsspannung120 V (AC) | VerpackungTray | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | – | Nennstrom1500 mA | – | – | TypHorizontal | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT |