IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCL31000 | Demoboard NCL31000ASGEVB EVBUM2798/D

NCL31000 Intelligent LED Driver

Details

TopologieAbwärtswandler
Ausgang 13.3 V
IC-Revision1

Beschreibung

The NCL31000 is an intelligent LED driver targeting luminaire applications, including capabilities for Visible Light Communication and Indoor Positioning. The NCL31000 incorporates a high efficiency buck LED driver that supports both high-bandwidth analog and PWM dimming down to zero current. Two auxiliary DC-DC converters are included to power a microcontroller and other sensors. Diagnostics are included to measure input and output current and voltage, LED temperature and DC-DC voltages.

Eigenschaften

  • Arduino Shield compatible
  • Visible Light Communication capable / YellowDot™ compliant
  • 97 % Efficiency of total solution, incl EMC, DC-DC’s, diagnostics, etc

  • High linearity and 0,1% accuracy, true dimming to zero
  • Input voltage 24 up to 57V
  • LED Power capability beyond 100W
  • Optional I2C/SPI interface (NCL31000MNITWG I²C variant mounted)

Typische Anwendungen

  • Visible Light Communication, Connected indoor & outdoor lighting, Multi-channel managed lighting, Theater lighting, Therapeutic lighting, Information displays, Backlighting

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Pins
Montageart
L(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(A)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom1.8 A
Gleichstromwiderstand198 mΩ
Eigenresonanzfrequenz5.9 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
Pins
MontageartSMT 
Länge10 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
Nennstrom1.5 A
Höhe5 mm
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 390 µH, 0.61 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 µH
Performance Nennstrom0.61 A
Sättigungsstrom0.42 A
Gleichstromwiderstand2850 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
Pins
MontageartSMT 
Länge7.3 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Nennstrom0.38 A
Höhe4.5 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Bauform0603 
VersionSMT 
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz8 Ω
Maximale Impedanz25 Ω
Maximale Impedanz1930 MHz 
Nennstrom9.5 A
Impedanz @ 1 GHz24 Ω
Höhe0.8 mm
TypHochstrom 
WR-PHD Stiftleisten - Zweireihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
MontageartTHT 
Länge7.62 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3 A
TypGerade