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Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 9-16 V |
| Ausgang 1 | 24 V / 0.5 A |
| Ausgang 2 | 32 V |
Beschreibung
The MCP1663 Evaluation Board is used to evaluate and demonstrate Microchip Technology’s MCP1663 step-up switching regulator. This board comes with two distinct applications. The 1st circuit can be used to evaluate the MCP1663 in the typical boost configuration 9V/12V selectable output. The board also provides an example of how a higher input voltage application can be implemented.
Eigenschaften
MCP1663 device can be evaluated in two separate applications: Typical 9V/12V Output supplied from low input voltage source Input Voltage range (VIN): 2.4V to 5.5V, with VIN < VOUTOutput Current: typical 250 mA @ 12V Output, 3.3V InputEnable state selectable using EN switch
24V Output supplied from high input voltage source Input Voltage range (VIN): 9V to 16V
Undervoltage Lockout (UVLO)UVLO Start: 2.3VUVLO Stop: 1.85V
PWM OperationPWM Switching Frequency: 500 kHzPeak Input Current Limit of 1.8A (typical)Internal CompensationSoft StartProtection in case of feedback pin shorted to GNDOvertemperature Protection (if the die temperature exceeds +150°C, with 15°C hysteresis)
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | RDC max.(mΩ) | Material | Version | Bauform | ISAT,10%(A) | Poles | L(mm) | Dampfphasenprozess | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.7 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | – | – | – | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | – | – | Bauform4018 | – | – | Länge4 mm | – | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom1.95 A | – | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | – | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand38 mΩ | – | VersionSMT | Bauform5828 | – | – | Länge5.8 mm | – | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.5 A | Sättigungsstrom2.8 A | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | Performance Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom @ 30%3.7 A | Gleichstromwiderstand141 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand162 mΩ | – | VersionSMT | Bauform3015 | Sättigungsstrom 11.85 A | – | Länge3 mm | – | ||||
 | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1.58 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität5.6 µH | Nennstrom1.58 A | Sättigungsstrom2.43 A | – | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | Performance Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom @ 30%2.8 A | Gleichstromwiderstand69 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand126 mΩ | MaterialNiZn | – | Bauform4532 | Sättigungsstrom 12.43 A | – | Länge4 mm | – | ||||
 | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.65 A | Sättigungsstrom2.1 A | – | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | – | – | Gleichstromwiderstand82 mΩ | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand94 mΩ | – | VersionSMT | Bauform4838 | – | – | Länge4.8 mm | – | ||||
 | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | – | Sättigungsstrom1.8 A | – | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Performance Nennstrom2.45 A | Sättigungsstrom @ 30%2.4 A | Gleichstromwiderstand74 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand88 mΩ | – | VersionRobust | Bauform6050 | Sättigungsstrom 11.8 A | – | Länge5.9 mm | – | ||||
 | WS-DISV Small Compact SMT with Raised Actuator 2.54 mm, –, 0.025 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | Nennstrom0.025 A | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Poles1 | Länge3.48 mm | Dampfphasenprozessnicht spezifiziert |