IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (103)

Microchip MCP1641X | Demoboard Low IQ Boost with Programmable Low Battery

Low IQ Boost Converter with Programmable Low Battery, UVLO and Automatic Input-to-Output Bypass Operation

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung0.8-5.25 V
Ausgang 15.25 V

Beschreibung

The MCP1641X Step-up DC-DC Converters family provides an automatic input-to-output voltage bypass operation, which helps optimize battery utilization and achieve high efficiency, while the nominal voltage of fresh batteries remains in the same range with the converter’s output value. The MCP1641X can be powered by either single-cell, two-cell alkaline/NiMH batteries or single-cell Li-Ion/Li-Polymer batteries. A low-voltage designed architecture allows the regulator to start up without high inrush current or output voltage overshoot from a low input voltage. The start-up voltage is easily programmed by a resistive divider connected to the UVLO pin. If the resistive divider is not used, the default start-up voltage is 0.85V.The 0.8V built-in UVLOSTOP helps prevent deep discharge of the alkaline battery, which can cause battery leakage. An open-drain Low Battery Output (LBO) pin warns the user to replace the battery if the input voltage ramps down to the programmed UVLOSTART value. The MCP1641X family introduces an additional safety feature to a low-voltage boost converter: Overtemperature Output. Devices, such as personal care products, Bluetooth headsets or toys, will benefit from the combined Power Good and Die Overtemperature (PGT) output, which flags a warning signal when the output voltage level drops within 10% or the die temperature exceeds the +75°C (typical).(1) Both functions are implemented in the MCP16411/2/3/4 devices (on the same pin, PGT), while the MCP16415/6/7/8 devices have only the Power Good option.

Eigenschaften

  • Input Voltage Range: 0.8V (after Start-up) to 5.25V
  • Low Device Quiescent Current: 5 µA (typical), PFM Mode (not switching)
  • Up to 96% Efficiency
  • 1A Typical Inductor Peak Current Limit: -IOUT > 170 mA at 2V VOUT, 1.2V VIN -IOUT > 200 mA at 3.3V VOUT, 1.5V VIN -IOUT > 600 mA at 5.0V VOUT, 3.6V VIN
  • Adjustable Output Voltage Range
  • Automatic Input-to-Output Bypass Operation
  • Selectable Switching Mode:
  • PWM operation: 500 kHz (MCP16412/4/6/8)
  • Automatic PFM/PWM operation (MCP16411/3/5/7)
  • Programmable Undervoltage Lockout (UVLO)
  • Programmable Low Battery Output (LBO)
  • Selectable Status Indicator:
  • Power Good and Die Overtemperature output (MCP16411/2/3/4)
  • Power Good output (MCP16415/6/7/8)
  • Internal Synchronous Rectifier
  • Internal Compensation
  • Inrush Current Limiting and Internal Soft Start
  • Low Noise, Anti-Ringing Control
  • Thermal Shutdown
  • Selectable Shutdown States:
  • Output discharge option (MCP16411/2/5/6)
  • Input-to-output bypass option (MCP16413/4/7/8)
  • Shutdown Current: 2.3 µA (typical)
  • Available Packages:
  • 10-Lead MSOP
  • 10-Lead 3 mm x 3 mm TDFN

Typische Anwendungen

  • Single-Cell or Two-Cell Powered IoT Devices, Bluetooth® Headsets, Remote Controllers,Portable Instruments, Wireless Sensors, Data Loggers.
  • Personal and Health Care Products

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Version
Muster
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Eigenresonanzfrequenz83 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom1.9 A
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Betriebsspannung120 V
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 11.4 A
Sättigungsstrom @ 30%2.8 A
Gleichstromwiderstand302 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Performance Nennstrom1.65 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.34 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand252 mΩ
Betriebsspannung80 V
VersionSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 11.85 A
Sättigungsstrom @ 30%3.65 A
Gleichstromwiderstand141 mΩ
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
Performance Nennstrom2.45 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom2.9 A
Gleichstromwiderstand123 mΩ
Betriebsspannung80 V
VersionSMT 
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 11.4 A
Sättigungsstrom @ 30%2.8 A
Gleichstromwiderstand302 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Performance Nennstrom1.65 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand252 mΩ
VersionSMT 
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30%3.55 A
Gleichstromwiderstand176 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Performance Nennstrom2.2 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand147 mΩ
VersionSMT 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand91 mΩ
Betriebsspannung120 V
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand103 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom2.9 A
Gleichstromwiderstand86.8 mΩ
VersionSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom 11.4 A
Sättigungsstrom @ 30%2.65 A
Gleichstromwiderstand345 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Performance Nennstrom1.45 A
MontageartSMT 
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Betriebsspannung80 V
VersionSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%4.75 A
Gleichstromwiderstand307.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Performance Nennstrom1.7 A
MontageartSMT 
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom3.8 A
Gleichstromwiderstand267.7 mΩ
Betriebsspannung80 V
VersionSMT 
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom 11.65 A
Sättigungsstrom @ 30%3 A
Gleichstromwiderstand409 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Performance Nennstrom1.45 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand356 mΩ
VersionSMT 
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom 11.4 A
Sättigungsstrom @ 30%2.65 A
Gleichstromwiderstand345 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Performance Nennstrom1.45 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand300 mΩ
VersionSMT