| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-38 V |
| Ausgang 1 | 3 A |
| IC-Revision | A |
The IS31LT3953_IS32LT3953 is a DC-to-DC switchingconverter, which integrate an N-channel MOSFET tooperate in a buck configuration. The device supply awide input voltage between 4.5V and 38V andprovides a constant current of up to 3A for driving asingle LED or multiple series connected LEDs.The external resistor, RSET, is used to adjust LEDoutput current, which allowing the output voltage to beautomatically adjusted for a variety of LEDconfigurations.The IS31LT3953_IS32LT3953 operates in a fixedfrequency mode during switching. There is an externalresistor connected between the VCC and TON pinsused to configure the on-time (switching frequency).The switching frequency is dithered for spreadspectrum feature to spread the electromagneticemitting energy into a wider frequency band. It ishelpful to optimize the EMI performance.A logic input PWM signal to the enable (EN) pin isapplied to adjust the LED current. The brightness ofLED is proportional to the duty cycle of the PWMsignal.True average output current operation is achieved withfast transient response by using cycle-by-cycle,controlled on-time method.IS31LT3953_IS32LT3953 is available in an SOP-8-EPpackage with an exposed pad for enhanced thermaldissipation. It operates from 4.5V to 38V over thetemperature range of -40°C to +125°C.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 7.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom7.7 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Nennstrom5 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 10 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom9.5 A | – | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Nennstrom7.1 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 15 µH, 7.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7.4 A | – | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%9.8 A | Nennstrom6.5 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom6 A | Sättigungsstrom3.7 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Nennstrom3.5 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 22 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom7 A | – | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Nennstrom5.3 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom3 A | Gleichstromwiderstand57 mΩ | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%3.9 A | Nennstrom2.8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom5.5 A | – | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%6.8 A | Nennstrom4.2 A | ||||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, 47 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.9 A | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.5 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Nennstrom3.8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9.2 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.4 A | Nennstrom2.4 A |