| Topologie | Aufwärtswandler |
| IC-Revision | 1.6 |
The Stratix V GX FPGA development board provides a hardware platform fordeveloping and prototyping high-performance and high-bandwidth application designs. The board provides a wide range of peripherals and memory interfaces to facilitate the development of Stratix V GX FPGA designs.
Two High-Speed Mezzanine Card (HSMC) connectors are available to add additional functionality via a variety of HSMC cards available from both Altera and various partners.
f To see a list of the latest HSMC cards available or to download a copy of the HSMC specification, refer to the Development Board Daughtercards page of the Altera website.
Design advancements and innovations, such as the PCI Express hard IPimplementation, partial reconfiguration, and programmable power technology ensure that designs implemented in the Stratix V GX FPGAs operate faster, with lower power than in previous FPGA families.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | LR(nH) | IR(A) | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(mΩ) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 54.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | Performance Nennstrom54.3 A | Sättigungsstrom 127.3 A | Sättigungsstrom @ 30%32 A | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MaterialMnZn | Nenninduktivität305 nH | Nennstrom25 A | – | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2000 nH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand5.85 mΩ | Eigenresonanzfrequenz68 MHz | MaterialSuperflux | Nenninduktivität1350 nH | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand6.435 mΩ | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, 26.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2000 nH | Performance Nennstrom26.5 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität1400 nH | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand2.75 mΩ | – | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom2 A | Impedanz @ 100 MHz30 Ω | Maximale Impedanz40 Ω | Maximale Impedanz1000 MHz | Nennstrom 23000 mA | Gleichstromwiderstand40 mΩ | TypHochstrom |