IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (103)

Intel STRATIX V GX

Serial Digital Interface Reference Design for Stratix V GX and Arria V GX Devices

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
LR(µH)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom5 A
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
MontageartSMT 
Bauform4828 
Gleichstromwiderstand16 mΩ
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 17 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom17 A
Eigenresonanzfrequenz147 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom18.8 A
Bauform8070 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 122.9 A
Sättigungsstrom @ 30%25.1 A
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.97 µH
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom26.5 A
Bauform1365 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität1.4 µH
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.3 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom4.75 A
Bauform7345 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.6 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
WE-CBF SMT-Ferrit, –, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Nennstrom2 A
MontageartSMT 
Bauform0603 
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom