IC-Referenzdesignsuche
IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (106)

ReferenzdesignSTRATIX V GX

Intel STRATIX V GX

Serial Digital Interface Reference Design for Stratix V GX and Arria V GX Devices

Details

TopologieAufwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
LR(µH)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
74404300047
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität0.47 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom5 A
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
MontageartSMT 
–
Bauform4828 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand16 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443340100
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 17 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
Nennstrom17 A
–
Eigenresonanzfrequenz147 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom18.8 A
Bauform8070 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 122.9 A
Sättigungsstrom @ 30%25.1 A
–
MaterialFerrite 
Verpackungseinheit500 
Nenninduktivität0.97 µH
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443551200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2 µH
–
–
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom26.5 A
Bauform1365 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Nenninduktivität1.4 µH
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7447779003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.3 A
–
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom4.75 A
Bauform7345 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.6 A
–
–
Verpackungseinheit1000 
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand30 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
742792609
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, 2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
–
Nennstrom2 A
–
–
MontageartSMT 
–
Bauform0603 
VersionSMT 
–
–
–
–
Verpackungseinheit4000 
–
Impedanz @ 100 MHz30 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand40 mΩ
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen