| Topologie | Aufwärtswandler |
| IC-Revision | 1.0 |
The reference design provides a general platform to control, test, and monitor different speeds of the SDI operations. Figure 1 shows a high-level block diagram of the SDI reference design.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | LR(µH) | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(mΩ) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom3.8 A | Sättigungsstrom5 A | Eigenresonanzfrequenz200 MHz | MontageartSMT | – | Bauform4828 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand16 mΩ | – | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 17 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Nennstrom17 A | – | Eigenresonanzfrequenz147 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom18.8 A | Bauform8070 | VersionSMT | Sättigungsstrom 122.9 A | Sättigungsstrom @ 30%25.1 A | – | MaterialFerrite | Nenninduktivität0.97 µH | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand3.9 mΩ | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom26.5 A | Bauform1365 | VersionSMT | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität1.4 µH | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand2.75 mΩ | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom3.3 A | – | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom4.75 A | Bauform7345 | VersionRobust | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.6 A | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | – | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | Nennstrom2 A | – | – | MontageartSMT | – | Bauform0603 | VersionSMT | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz30 Ω | Maximale Impedanz40 Ω | Maximale Impedanz1000 MHz | Nennstrom 23000 mA | Gleichstromwiderstand40 mΩ | TypHochstrom |