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The Lantiq™ FALC™ ON FTTx family of GPON ONU ICs is a scalable, highly integrated, cost- optimized and low-power system-on-chip solution that can be used in all FTTx deployment scenarios. The ICs provide an intelligent and cost-effective solution for managing the optical interface. In fact, the overall optical system performance exceeds the levels defi ned by the ITU-T G.984.2 standard.The optical side of a FALC™ ON FTTx device directly connects to a Bi-Directional Optical Sub- Assembly (BiDi OSA/BOSA) component, a photonic IC, or an optical transceiver module. The client side provides up to four GE interfaces for data traffi c. Integrated 10/100/1000BASE-T Ethernet PHY modules on the SoC enable direct interfacing with standard magnetics for two 1000BASE-T or four 10/100BASE-T links. On-chip voice processing, used with external SLIC devices, allows up to four FXS ports to be enabled. The comprehensive SoC design includes a burst-mode laser driver, post amplifi er and clock and data recovery, as well as a GPON ONU MAC and an on-chip CPU.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | Q(%) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität1 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom13.4 A | Sättigungsstrom 113 A | Sättigungsstrom @ 30%25.8 A | Gleichstromwiderstand6.5 mΩ | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom1.4 A | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand70 mΩ | – | ||||
![]() | WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.29 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität12 µH | Nennstrom0.29 A | Sättigungsstrom0.78 A | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand700 mΩ | Güte35 % | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 1.12 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität12 µH | Nennstrom1.12 A | Sättigungsstrom0.95 A | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand125 mΩ | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1.15 A | Sättigungsstrom0.9 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand120 mΩ | – | ||||
![]() | 750510652 | –, 470 µH, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie – | Induktivität470 µH | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – |