IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (103)

Intel PEF88602

LineDriver_Dual_FlipT_Class-AB_Local_V131.SchDoc

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionV1.2

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Q(%)
xPxC
Typ
Ports
Schirmung
Tab
EMI
LED
Anwendungssystem
Arbeitsspannung(V (AC))
Verpackung
Muster
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom13.4 A
Sättigungsstrom 113 A
Sättigungsstrom @ 30%25.8 A
Gleichstromwiderstand6.5 mΩ
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom1.4 A
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Schirmunggeschirmt 
WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.29 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom0.29 A
Sättigungsstrom0.78 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Güte35 %
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.15 A
Sättigungsstrom0.9 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Schirmunggeschirmt 
750510652
–, 470 µH, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie
Induktivität470 µH
MontageartSMT 
WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom1.5 A
MontageartTHT 
Anzahl der Pins (xPxC)8P8C 
TypHorizontal 
Ports1x4 
Schirmunggeschirmt 
Tab PositionOben 
EMI FingerJa 
LED (Links-Rechts)gelb-grün 
AnwendungssystemCAT 3 
Arbeitsspannung120 V (AC)
VerpackungTray