IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (103)

Intel PEF7071

10/100/1000 Mbps PHY with SerDes and DC/DC Regulator

Details

TopologieSonstige Topologie

Beschreibung

The XWAY™ PHY11G family of Physical Layer (PHY) ICs incorporates a set of single Gigabit-Ethernet (GbE) PHY devices that support the 10BASE-T(e), 100BASE-TX, 1000BASE-T and 1000BASE-X standards in both the half-duplex and full-duplex modes. The performance requirements set by these tandards are exceeded by the XWAY™ PHY11G family. Implementation of an integrated SerDes allows for support of 1000BASE-X and SGMII.The XWAY™ PHY11G family is characterized by an ultra-low power consumption of 400 mW in 1000BASE-T mode. Support of Energy-Effi cient Ethernet allows for an even further reduction in power consumption that depends on link utilization. Power savings at system level are introduced using the Wake-on-LAN feature. The comprehensive design of the ICs integrates support for single-media, dual-media and media-conversion applications for both copper and fi ber media. In applications using the copper medium, the low-EMI line driver with integrated termination facilitates a simplifi ed PCB design. The PHY devices are available in the VQFN48 and LQFP64 small-package variants, thereby setting a new benchmark in footprint minimization. Both package types support the RMII, RGMII interface types, while the latter additionally supports GMII.Optionally, the devices can be operated from a single power supply, with a range of 2.5 V to 3.3 V by using the integrated DC/DC switching regulator with minimal external cost. The XWAY™ PHY11G devices are confi gurable via pin-trapping, by means of the MDIO interface, or optionally by connecting an external EEPROM.

Eigenschaften

  • Full-Duplex and Half-Duplex modes for 10BASE-T(e), 100BASE-TX, 1000BASE-T and 1000BASE-X
  • Low-EMI linedriver with integrated line termination
  • Single power supply at 2.5 - 3.3 V using the integrated DC/DC Switching Regulator
  • Industry´s smallest footprint using the VQFN48 (reduced xMII only) or LQFP64 package variants
  • Ultra-low power consumption of typically 400 mW

Typische Anwendungen

  • Broadband Appliances
  • Consumer Applications:
  • Home Gateway
  • IP Phone
  • Media Converter

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
λPeak G typ.(nm)
λPeak Y typ.(nm)
IV typ.(mcd)
IV G typ.(mcd)
IV Y typ.(mcd)
VF typ.(V)
VF G typ.(V)
VF Y typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
H(mm)
Betätigungskraft(g)
Elektrische Lebensdauer(Cycles)
Actuator-Farbe
Waschbar
Dampfphasenprozess
L(µH)
IR(mA)
ISAT(A)
fres(MHz)
Version
IRP,40K(A)
Q(%)
Montageart
xPxC
Ports
Schirmung
Tab
EMI
LED
Anwendungssystem
Arbeitsspannung(V (AC))
Verpackung
Pins
L(mm)
Betriebstemperatur
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]525 nm
Emittierte FarbeGrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm
Lichtstärke [typ.]450 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Höhe0.7 mm
MontageartSMT 
VerpackungTape and Reel 
Länge2 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Höhe0.8 mm
Nennstrom800 mA
VersionSMT 
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Maximale Impedanz800 Ω
Maximale Impedanz200 MHz 
Nennstrom 21000 mA
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
TypHochstrom 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Höhe0.9 mm
Nennstrom500 mA
VersionSMT 
MontageartSMT 
Länge2 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz120 Ω
Maximale Impedanz200 Ω
Maximale Impedanz400 MHz 
Nennstrom 23400 mA
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
TypHochgeschwindigkeit 
WE-GF SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Höhe3.2 mm
Induktivität4.7 µH
Nennstrom315 mA
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
Performance Nennstrom0.8 A
Güte50 %
MontageartSMT 
Länge4.5 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Gleichstromwiderstand1 Ω
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Höhe1.8 mm
Induktivität1 µH
Nennstrom3000 mA
Sättigungsstrom5.4 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
VersionSMT 
MontageartSMT 
Schirmunggeschirmt 
Pins
Länge4.8 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Gleichstromwiderstand0.0295 Ω
WS-TATU THT Tact Switch 6x6 mm Right Angled Type with ground terminal, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Höhe5.85 mm
Betätigungskraft160 g
Elektrische Lebensdauer200000 Cycles
Actuator farbeSchwarz 
WaschbarNein 
Dampfphasenprozessnicht spezifiziert 
Nennstrom50 mA
VerpackungLose 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom3000 mA
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
VerpackungBeutel 
Pins
Länge10.16 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
TypGerade 
WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge (Grün) [typ.]568 nm
Spitzen-Wellenlänge (Gelb) [typ.]590 nm
Lichtstärke (Grün) [typ.]6 mcd
Lichtstärke (Gelb) [typ.]5 mcd
Durchlassspannung (Grün) [typ.]2.2 V
Durchlassspannung (Gelb) [typ.]2.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Nennstrom1500 mA
VersionTHT 
MontageartTHT 
Anzahl der Pins (xPxC)8P8C 
Ports1x1 
Schirmunggeschirmt 
Tab PositionOben 
EMI FingerJa 
LED (Links-Rechts)2xBipolar Y/G 
AnwendungssystemCAT 3 
Arbeitsspannung120 V (AC)
VerpackungTray 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
TypHorizontal