IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (104)

Infineon Technologies IMDQ75R008MD1H | Demoboard REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC

Efficient kit for AC-DC solid state circuit breaker evaluation: Interactive GUI, versatile topologies, and passive cooling

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung90-260 V
IC-Revision2.0

Beschreibung

Infineon’s REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A and REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC SSCB reference designs are suitable for 16 A nominal current and AC (110/230 V) or DC (350 V) grid supply. AC or DC mode selection is software-based through GUI. These reference designs have CoolMOS™ S7T and CoolSiC™ power MOSFETs respectively; see Table 2. These designs allow application-level evaluation of power MOSFET devices in combination with application-relevant protection, monitoring, and diagnostic concepts. These kits follow the two-board approach, comprising a power and a logic board. The power board holds the power stage, airgap device, and flyback power supply. The logic board has all the low-power features such as the supply generation for XMC MCU, analog signal processing, isolated backplane bus, and external user bus infrastructures.

Eigenschaften

Bidirectional MOSFET switchActuation: ZVS, ZCS for AC versionMechanical switch for physical air gapOverload and overcurrent protectionUser programmable protection shemesDC measurements: I, U, PAC measurements: I, U, P, Q, S, THDi, PFNTC interfaceShunt based overcurrent detectionCOM interfaces (CAN, UART, Inhibit IO)

Typische Anwendungen

  • Solid State Circuit Breaker

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
Package
Input
VCE max.(V)
IF max.(mA)
Testbedingung CTR
CTR min.(%)
CTR max.(%)
VISO(V (RMS))
Betriebstemperatur
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
Z(mΩ)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.65 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom @ 30%3.3 A
Gleichstromwiderstand225 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge2 mm
Gleichstromwiderstand270 mΩ
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SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
MontageartSMT 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge2 mm
Impedanz @ 100 MHz120 Ω
Maximale Impedanz200 Ω
Maximale Impedanz400 MHz 
Nennstrom 23400 mA
Gleichstromwiderstand100 mΩ
TypHochgeschwindigkeit 
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SPECWCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartV-Chip SMT 
Betriebstemperatur -55 °C up to +105 °C
Kapazität100 µF
Nennspannung25 V (DC)
Endurance 2000
Rippelstrom300 mA
Impedanz360 mΩ
Leckstrom25 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser6.3 mm
Länge7.7 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
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SPECWL-OCPT SOP-4, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWL-OCPT SOP-4
MontageartSMT 
PackageSOP 4 
InputDC 
Kollektor Emitter Spannung80 V
Durchlassstrom60 mA
IF = 5 mA
VCE = 5 V
Current Transfer Ratio [min.]80 %
Current Transfer Ratio [max.]160 %
Isolationsspannung3750 V (RMS)
Betriebstemperatur -55 °C up to +110 °C
Länge4.4 mm
TypOptocoupler Phototransistor 
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