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ReferenzdesignEPC2304 | Demoboard EPC91107KIT

EPC EPC2304 | Demoboard EPC91107KIT

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung200-277 V
Ausgang 1400 V
IC-Revision2.0

Beschreibung

The EPC91107KIT evaluation board is a 4-Level Totem-Pole PFC evaluation board featuring the EPC2304 GaN FET, rated at 200 V, 3.5 mΩ (typical). The EPC91107KIT can deliver 12.5 A at 400 VDC output.

Eigenschaften

Designed for Open Compute Project (OCP) serversMaximum power: 5 kWOutput: 400 VDC – 12.5 AInput: 200 VAC_RMS – 277 VAC_RMS, max. 25 AAC_RMSPower density: 170 W/in3Efficiency meets 80 PlusMeets OCP iTHDSwitching frequency: 420 kHz (3 x 140 kHz)Digital control: Microchip DSP

Typische Anwendungen

  • Telecom and 5G Power Supplies
  • High power audio power supply
  • AI Servers and Data Centers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IR 1(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Q
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
IR(mA)
L(µH)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74479763222
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 550 mA, 280 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Nennstrom 1550 mA
Sättigungsstrom280 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Güte15 
–
–
–
Nennstrom 2800 mA
Gleichstromwiderstand375 mΩ
TypLow RDC 
–
Induktivität2.2 µH
–
–
–
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.9 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
74479777310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 600 mA, 120 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Nennstrom 1600 mA
Sättigungsstrom120 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Güte20 
–
–
–
Nennstrom 2900 mA
Gleichstromwiderstand375 mΩ
TypLow RDC 
–
Induktivität10 µH
–
–
–
Länge2 mm
Breite1.2 mm
Höhe1.25 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
742792624
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, 1000 mA, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Nennstrom 11000 mA
–
–
–
–
Impedanz @ 100 MHz180 Ω
Maximale Impedanz250 Ω
Maximale Impedanz400 MHz 
Nennstrom 21500 mA
Gleichstromwiderstand90 mΩ
TypHochstrom 
Nennstrom1000 mA
–
–
–
–
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
7448052502
SPECWE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads11 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.2 mΩ
–
Nennstrom25000 mA
Induktivität2500 µH
Nennspannung300 V (AC)
Prüfspannung2100 V (AC)
MaterialNanokristallin 
Länge36 mm
Breite23 mm
Höhe34 mm
MontageartTHT 
–Verfügbarkeit prüfen
744032680
SPECWE-LQ SMT-Induktivität, –, 300 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität
–
Sättigungsstrom300 mA
–
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
Güte35 
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand3800 mΩ
–
Nennstrom130 mA
Induktivität68 µH
–
–
–
Länge3.2 mm
Breite2.5 mm
Höhe2 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
74404042022
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, 3400 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
–
Sättigungsstrom3400 mA
Gleichstromwiderstand42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
–
–
–
–
–
–
–
Nennstrom2200 mA
Induktivität2.2 µH
–
–
–
Länge4 mm
Breite4 mm
Höhe1.8 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen