| Topologie | Leistungsfaktor-Korrektur |
| Eingangsspannung | 200-277 V |
| Ausgang 1 | 400 V |
| IC-Revision | 2.0 |
The EPC91107KIT evaluation board is a 4-Level Totem-Pole PFC evaluation board featuring the EPC2304 GaN FET, rated at 200 V, 3.5 mΩ (typical). The EPC91107KIT can deliver 12.5 A at 400 VDC output.
Designed for Open Compute Project (OCP) serversMaximum power: 5 kWOutput: 400 VDC – 12.5 AInput: 200 VAC_RMS – 277 VAC_RMS, max. 25 AAC_RMSPower density: 170 W/in3Efficiency meets 80 PlusMeets OCP iTHDSwitching frequency: 420 kHz (3 x 140 kHz)Digital control: Microchip DSP
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | IR(A) | L(µH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 550 mA, 800 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Nennstrom 1550 mA | Nennstrom 2800 mA | Sättigungsstrom280 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | TypLow RDC | – | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand375 mΩ | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.9 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | Nennstrom25 A | Induktivität2500 µH | Gleichstromwiderstand2.2 mΩ | Nennspannung300 V (AC) | Prüfspannung2100 V (AC) | MaterialNanokristallin | Länge36 mm | Breite23 mm | Höhe34 mm | MontageartTHT |