IC-Hersteller Diodes Incorporated

IC-Hersteller (103)

Diodes Incorporated AL8841Q | Demoboard AL8841QEV1

AL8841QEV1-EMC User Guide High-Performance Buck 1A Demo Board

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision00

Typische Anwendungen

  • Automotive LED Lighting EMC

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
Z @ 100 MHz(Ω)
RDC(mΩ)
Typ
Version
IRP,40K(A)
fres(MHz)
Bauform
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Montageart
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L(µH)
Zmax(Ω)
IR(A)
RDC max.(Ω)
VR(V)
Muster
WE-MPSA EMI Multilayer Power Suppression Bead, 600 Ω, 50 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Gleichstromwiderstand50 mΩ
TypHochstrom 
Bauform1206 
MontageartSMT 
Maximale Impedanz610 Ω
Nennstrom2.5 A
WE-SL2 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
MontageartSMT 
Wicklungstypbifilar 
Wicklungsanzahl
Induktivität25 µH
Maximale Impedanz2800 Ω
Nennstrom1 A
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennspannung80 V
WE-PD SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionRobust 
Performance Nennstrom2.1 A
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform7345 
Sättigungsstrom 11.55 A
Sättigungsstrom @ 30%1.9 A
MontageartSMT 
Wicklungsanzahl26.5 
Induktivität27 µH
Nennstrom1.24 A
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Performance Nennstrom2.75 A
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
Bauform7050 
Sättigungsstrom 14.15 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
MontageartSMT 
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand0.17 Ω