IC-Hersteller Cambridge GaN Devices

IC-Hersteller (103)

Cambridge GaN Devices IPQC60R010S7A | Demoboard CGD-ASY-EVB030FA-01

IPQC60R010S7A

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung90-264 V
IC-Revision1

Beschreibung

This totem-pole PFC evaluation board is engineered to deliver exceptional efficiency, meeting 80+ Titanium standards when paired with a downstream DC-DC converter. It is optimised for high-power density applications, including cloud and server power supplies, high-performance computing, industrial systems, and data centres.

Eigenschaften

VIN: 90–264 VAC VOUT: 400 VDimensions: 70 x 252 x 39 mmSwitching frequency: 65 kHzPeak efficiency: 99%

Typische Anwendungen

  • cloud and server power supplies, high-performance computing, industrial systems, and data centres.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
C
Tol. C
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
Fl(mm)
Verpackung
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
L(mH)
VR(V (DC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V (DC)
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Pad Dimension0.5 mm
Impedanz @ 100 MHz1000 Ω
Maximale Impedanz1000 Ω
Maximale Impedanz100 MHz 
Nennstrom 21000 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom800 mA
Länge2 mm
Breite1.2 mm
Höhe0.9 mm
MontageartSMT 
WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformXL 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Gleichstromwiderstand0.008 Ω
Nennstrom13000 mA
Induktivität7 mH
Nennspannung300 V (DC)
Prüfspannung2100 V (AC)
MaterialNanokristallin 
Länge35.5 mm
Breite23 mm
Höhe34.5 mm
MontageartTHT