IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7890 | Demoboard EVAL-LTC7890-BZ

High Frequency, Dual Output, Step-Down Supply with Si FETs

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung16-72 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 15 V / 10 A
Ausgang 212 V / 10 A

Beschreibung

Evaluation circuit EVAL-LTC7890-BZ is a dual output synchronous step-down converter that drives N-channel silicon (Si) field effect transistors (FETs). The EVAL-LTC7890-BZ evaluation board features 100V logic-level Si FETs.EVAL-LTC7890-BZ features the LTC®7890: a low quiescent current, high frequency (programmable fixed frequency from 100kHz up to 3MHz), dual step-down DC/DC synchronous controller, with a dedicated driver feature for GaN FETs, which can also be used to drive logic-level silicon FETs. To evaluate the LTC7890 with GaN FETs, refer to the EVAL-LTC7890-AZ evaluation board, which does 12VOUT at 20A and 5VOUT at 20A.

Eigenschaften

  • GaN drive technology fully optimized for GaN FETs
  • Wide VIN range: 4 V to 100 V
  • Wide output voltage range: 0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
  • No catch, clamp, or bootstrap diodes needed
  • Internal smart bootstrap switches prevent overcharging of high-side driver supplies
  • Internally optimized, smart near zero dead times or resistor adjustable dead times
  • Split output gate drivers for adjustable turn on and turn off driver strengths
  • Accurate adjustable driver voltage and UVLO
  • Low IQ: 5 μA (48 VIN to 5 VOUT, Ch 1 On)
  • Programmable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Synchronizable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Spread spectrum frequency modulation
  • 40-lead (6 mm × 6 mm), side wettable, QFN package

Typische Anwendungen

  • Military avionics
  • Telecommunications power systems
  • Industrial power systems
  • medical systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Pins
Montageart
L(mm)
H(mm)
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 32.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom32.05 A
Sättigungsstrom @ 30%32.1 A
Gleichstromwiderstand2.2 mΩ
Gleichstromwiderstand2.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Pins
MontageartSMT 
Länge11.6 mm
Höhe8.8 mm
Nennstrom16 A
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 20 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom20 A
Sättigungsstrom @ 30%28.05 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Pins
MontageartSMT 
Länge11.6 mm
Höhe8.8 mm
Nennstrom13.5 A
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Nennstrom3 A
Arbeitsspannung200 V (AC)
Betriebstemperatur -25 °C up to +105 °C