IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (108)

Analog Devices LTC7890 | Demoboard EVAL-LTC7890-BZ

High Frequency, Dual Output, Step-Down Supply with Si FETs

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung16-72 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 15 V / 10 A
Ausgang 212 V / 10 A

Beschreibung

Evaluation circuit EVAL-LTC7890-BZ is a dual output synchronous step-down converter that drives N-channel silicon (Si) field effect transistors (FETs). The EVAL-LTC7890-BZ evaluation board features 100V logic-level Si FETs.EVAL-LTC7890-BZ features the LTC®7890: a low quiescent current, high frequency (programmable fixed frequency from 100kHz up to 3MHz), dual step-down DC/DC synchronous controller, with a dedicated driver feature for GaN FETs, which can also be used to drive logic-level silicon FETs. To evaluate the LTC7890 with GaN FETs, refer to the EVAL-LTC7890-AZ evaluation board, which does 12VOUT at 20A and 5VOUT at 20A.

Eigenschaften

  • Wide VIN range: 16 V to 72 V
  • Output voltage range:5 V and 12V, 10A
  • No catch, clamp, or bootstrap diodes needed
  • Internal smart bootstrap switches prevent overcharging of high-side driver supplies
  • Internally optimized, smart near zero dead times or resistor adjustable dead times
  • Split output gate drivers for adjustable turn on and turn off driver strengths
  • Accurate adjustable driver voltage and UVLO
  • Low IQ: 5 μA (48 VIN to 5 VOUT, Ch 1 On)
  • Programmable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Synchronizable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Spread spectrum frequency modulation
  • 40-lead (6 mm × 6 mm), side wettable, QFN package

Typische Anwendungen

  • Military avionics
  • Industrial power systems
  • Telecommunications power systems
  • medical systems

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Pins
Montageart
L(mm)
H(mm)
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Verpackung
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 32.05 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom32.05 A
Sättigungsstrom @ 30%32.1 A
Gleichstromwiderstand2.2 mΩ
Gleichstromwiderstand2.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Pins2 
MontageartSMT 
Länge11.6 mm
Höhe8.8 mm
Nennstrom16 A
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 20 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom20 A
Sättigungsstrom @ 30%28.05 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Pins2 
MontageartSMT 
Länge11.6 mm
Höhe8.8 mm
Nennstrom13.5 A
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
–
–
–
–
–
–
Pins2 
–
–
–
Nennstrom3 A
Arbeitsspannung200 V (AC)
Betriebstemperatur -25 °C up to +105 °C
VerpackungBeutel 
–Verfügbarkeit prüfen