IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT8602

42V Quad Monolithic Synchronous Step-Down Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3-42 V
Schaltfrequenz250-2200 kHz
Ausgang 11.5 A
Ausgang 22.5 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT®8602 is a quad channel, current mode, monolithicbuck switching regulator with a programmable power-onreset. All regulators are synchronized to a single oscillatorwith an adjustable frequency from 250kHz to 2.2MHz. TheLT8602 can be configured for micropower Burst Modeoperation or pulse-skipping operation at light load. Micropoweroperation results in quiescent current of 30μAwith all four regulators operating in the application below.The high voltage channels are synchronous buck regulatorsthat operate from an input of 3V to 42V. The outputcurrents are up to 1.5A (OUT1) and 2.5A (OUT2). Thelow voltage channels operate from an input of 2.6V to5.5V. Internal synchronous power switches provide highefficiency with output currents up to 1.8A. The LT8602uses a 2-phase clock with channels 1 and 3 operating 180°from channels 2 and 4 to reduce input ripple current onboth HV and LV inputs. All channels have cycle-by-cyclecurrent limit, providing protection against shorted outputs.Thermal shutdown provides additional protection.The LT8602 is available in a 40-lead 6mm × 6mm QFNpackage.

Eigenschaften

  • Flexible Power Supply System Providing Four Outputs with a Wide Input Range
  • Two High Voltage Synchronous Buck Regulators:
  • 3V to 42V Input Voltage Range
  • Output Currents Up to 2.5A and 1.5A
  • High Efficiency Up to 93%
  • Two Low Voltage Synchronous Buck Regulators:
  • 2.6V to 5.5V Input Voltage Range
  • Output Currents Up to 1.8A and 94% Efficiency
  • Resistor Programmable and Synchronizable 250kHz to 2.2MHz Switching Frequency
  • Low Ripple Burst Mode® Operation:
  • 30μA IQ at 12VIN
  • Output Ripple < 15mV
  • Programmable Power-On Reset
  • Power Good Indicators
  • 2-Phase Clock Reduces Input Current Ripple
  • Available in Thermally Enhanced 40-Lead QFN (6mm × 6mm) Package

Remarks

  • Several Vendors and Suitable Inductor series available page no-15

Typische Anwendungen

  • Automotive Systems
  • Industrial Controls and Power Supplies
  • Distributed Supply Regulation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Version
IRP,40K(A)
Bauform
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
Bauform2828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom2.8 A
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3.5 A
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom4.2 A
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand16.5 mΩ
Bauform8020 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz82 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand26 mΩ
VersionSMT 
Bauform4828 
WE-PD Speicherdrossel, 1.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand7 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom16.2 A
Bauform1280 
Sättigungsstrom 121 A
Sättigungsstrom @ 30%27 A
Nennstrom13.5 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.75 A
Sättigungsstrom1.55 A
Eigenresonanzfrequenz125 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand47 mΩ
VersionSMT 
Bauform3816 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand18 mΩ
Bauform6823 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 10 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom12.5 A
Eigenresonanzfrequenz69 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
VersionPerformance 
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom4.3 A
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand18 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom6.4 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 17.3 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Nennstrom4.3 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.35 A
Sättigungsstrom2.4 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand50 mΩ
VersionSMT 
Bauform4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.45 A
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
VersionSMT 
Bauform5818 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 7.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom7.6 A
Sättigungsstrom10.2 A
Eigenresonanzfrequenz76 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand9.5 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom12.5 A
Bauform1245 
Sättigungsstrom 110.2 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Nennstrom7.6 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom2.35 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom2.7 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand24 mΩ
Bauform6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom2.85 A
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand45 mΩ
VersionSMT 
Bauform8015 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand66 mΩ
VersionSMT 
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand45 mΩ
VersionSMT 
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom4.6 A
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionSMT 
Bauform4838 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.02 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom4.02 A
Sättigungsstrom4.8 A
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom6.6 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
Nennstrom4.02 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom6.5 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom6.9 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom6 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom8.5 A
Eigenresonanzfrequenz71 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
VersionPerformance 
Bauform1030 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.85 A
Sättigungsstrom1.55 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand85 mΩ
Bauform8012 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom2.9 A
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand103 mΩ
VersionSMT 
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom3.2 A
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand52 mΩ
VersionSMT 
Bauform4838 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand40 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom4.9 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 14 A
Sättigungsstrom @ 30%5 A
Nennstrom3.2 A
WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz31.2 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand12 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom11 A
Bauform1280 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Nennstrom9.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.5 A
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand78 mΩ
VersionRobust 
Bauform6033 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom2.8 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand65 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom2.8 A
Bauform6050 
Sättigungsstrom 12.8 A
Sättigungsstrom @ 30%3.7 A
Nennstrom2.8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.1 µH
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand14 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom9.5 A
Bauform1280 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.2 A
Nennstrom8.5 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand45 mΩ
VersionSMT 
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom1.9 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand54 mΩ
Bauform6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom4.5 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand24 mΩ
VersionSMT 
Bauform1038