IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT8601

42V Triple Monolithic Synchronous Step-Down Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung6-42 V
Schaltfrequenz250-2200 kHz
Ausgang 11.8 V / 1.8 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT®8601 is a triple channel, current mode, monolithic buck switching regulator with a programmable power-on reset. All regulators are synchronized to a single oscillator with an adjustable frequency from 250kHz to 2.2MHz. The LT8601 can be configured for micropower Burst Mode or Pulse-Skipping operation at light load. Micropower operation results in quiescent current of 30μA with all three regulators operating as shown in the application below with no load applied.The high voltage channels are synchronous buck regulators that operate from an input of 3.0V to 42V. The output currents are up to 1.5A (OUT1) and 2.5A (OUT2). The low voltage channel operates from an input of 2.6V to 5.5V. Internal synchronous power switches provide high efficiency with output currents up to 1.8A. The LT8601 uses a 2-phase clock with channel 1 operating 180° from channels 2 and 3 to reduce input ripple current on both HV and LV inputs. All channels have cycle-by-cycle current limit, providing protection against shorted outputs. Thermal shutdown provides additional protection.The LT8601 is available in a 40-lead 6mm × 6mm QFN package.

Eigenschaften

Flexible Power Supply System Providing Three Outputs Over a Wide Input Voltage RangeTwo High Voltage Synchronous Buck Regulators3V to 42V Input Voltage RangeOutput Currents Up to 2.5A and 1.5AHigh Efficiency Up to 93%One Low Voltage Synchronous Buck Regulator2.6V to 5.5V Input Voltage RangeOutput Current Up to 1.8A and 95% EfficiencyResistor Programmable and Synchronizable from 250kHz to 2.2MHz Switching FrequencyLow Ripple Burst Mode® Operation30μA IQ at 12VIN to 3.3VOUT2Output Ripple <15mVProgrammable Power-On ResetPower Good Indicators2-Phase Clock Reduces Input Current RippleAvailable in Thermally Enhanced 40-Lead QFN (6mm × 6mm) Package

Typische Anwendungen

  • Distributed Supply Regulation
  • Automotive Systems
  • Industrial Controls and Power Supplies

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Version
IRP,40K(A)
Bauform
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.6 A
Eigenresonanzfrequenz177 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionSMT 
Bauform4818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom4.6 A
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Bauform6823 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom3.3 A
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand38 mΩ
Bauform8012 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.6 A
Sättigungsstrom3.8 A
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand26 mΩ
VersionSMT 
Bauform8015 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom8 A
Sättigungsstrom9.5 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand6.5 mΩ
VersionSMT 
Bauform1028 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.4 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand29.5 mΩ
VersionSMT 
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom6.5 A
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand22 mΩ
VersionSMT 
Bauform4838 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom5.37 A
Sättigungsstrom6.4 A
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand12 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom8.3 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom5.37 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 6.84 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom6.84 A
Sättigungsstrom10.2 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand10 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom8.6 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 18.3 A
Sättigungsstrom @ 30%10.2 A
Nennstrom6.84 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom13.9 A
Eigenresonanzfrequenz98 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand7 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom14.5 A
Bauform1245 
Sättigungsstrom 113.9 A
Sättigungsstrom @ 30%16.5 A
Nennstrom8.5 A
WE-PD Speicherdrossel, 1 µH, 13 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom13 A
Sättigungsstrom25 A
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand6 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom18.7 A
Bauform1210 
Sättigungsstrom 125 A
Sättigungsstrom @ 30%31 A
Nennstrom13 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom4.5 A
Eigenresonanzfrequenz192 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand39 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom3.75 A
Bauform6033 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.4 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand34 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom4.1 A
Bauform6050 
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Nennstrom5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand12 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom7.9 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Nennstrom5.37 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom5.3 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand15 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom8 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11.2 A
Nennstrom5.3 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom2.55 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Bauform8020 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom4.7 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
VersionSMT 
Bauform1028 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
Bauform4838 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom4.1 A
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand32 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom4.9 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 14.1 A
Sättigungsstrom @ 30%5.1 A
Nennstrom3.1 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom4.6 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom4.85 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 14.6 A
Sättigungsstrom @ 30%5.7 A
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom7.2 A
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand24 mΩ
VersionPerformance 
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom7.5 A
Sättigungsstrom9 A
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
VersionPerformance 
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5.9 A
Sättigungsstrom7.1 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand13 mΩ
VersionGestanzt 
Performance Nennstrom10 A
Bauform1245 
Sättigungsstrom 17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Nennstrom5.9 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand67 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom3.15 A
Bauform6033 
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%3.6 A
Nennstrom2.8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom4.9 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.1 A
Nennstrom3.42 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.3 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom4.75 A
Bauform7345 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.6 A
Nennstrom3.3 A