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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignLT8337

Analog Devices LT8337

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung4.5-10 V
Schaltfrequenz300-3000 kHz
Ausgang 112 V / 1.5 A

Beschreibung

The LT®8337/LT8337-1 is a low IQ, synchronous step up DC/DC converter. It features Silent Switcher architecture and optional spread spectrum frequency modulation (SSFM) to minimize EMI emissions while delivering high efficiencies at high switching frequencies. The wide input/output voltage range, low VIN pin quiescent current in Burst Mode operation, and 100% duty cycle capability for the synchronous MOSFET in PassThru operation (VIN > VOUT) makes the LT8337/LT8337-1 ideally suited for battery-powered systems and general purpose step-up applications. The LT8337/LT8337-1 integrates 28V, 5A power switches, operating at a fixed switching frequency programmable between 300kHz and 3MHz and synchronizable to an external clock. The LT8337/LT8337-1 features output soft-start and output overvoltage lockout. The LT8337-1 allows external compensation via the VC pin for fast transient response. The LT8337 offers an output power good flag via the PG pin.

Eigenschaften

  • Silent Switcher® Architecture-Ultralow EMI Emissions-Optional Spread Spectrum Frequency Modulation
  • Integrated 28V, 5A Power Switches
  • Wide Input Voltage Range: 2.7V to 28V
  • Output Voltage Programmable Up to 26V
  • Low VIN Pin Quiescent Current-0.3µA in Shutdown-4µA in Burst Mode® Operation (LT8337)-15µA in PassThru™ (LT8337)
  • 100% Duty Cycle Capability for Synchronous MOSFET
  • External Compensation: Fast Transient Response (LT8337-1)
  • Power Good Monitor (LT8337)
  • Adjustable and Synchronizable: 300kHz to 3MHz
  • Pulse-Skipping or Burst Mode Operation at Light Load
  • Small 16-Lead (3mm × 3mm) LQFN Package

Typische Anwendungen

  • Battery-Powered Systems
  • General Purpose Step-Up

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74479290125
SPECWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.25 µH, 9.05 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität
Induktivität0.25 µH
Nennstrom9.05 A
Sättigungsstrom 18.5 A
Sättigungsstrom 215.65 A
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
Performance Nennstrom9.05 A
Sättigungsstrom @ 30%15.65 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
–
MontageartSMT 
–
–
–
Nennstrom 24000 mA
Gleichstromwiderstand31 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
74438357015
SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.2 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel
Induktivität1.5 µH
Nennstrom6.2 A
–
–
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
Performance Nennstrom8.2 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand17.1 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand20 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
742792040
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, 1.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
–
Nennstrom1.5 A
–
–
–
–
–
–
–
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Maximale Impedanz700 Ω
Maximale Impedanz150 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand150 mΩ
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen