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Details
| Topologie | Eintaktflusswandler |
| Eingangsspannung | 37-57 V |
| Schaltfrequenz | 200-223 kHz |
| Ausgang 1 | 5 V / 13 A |
| IC-Revision | A |
Beschreibung
The LT®4276 is a pin-for-pin compatible family of IEEE 802.3 and LTPoE++ Powered Device (PD) controllers. It includes an isolated switching regulator controller capable of synchronous operation in both forward and flyback topologies with auxiliary power support.The LT4276A employs the LTPoE++ classification scheme, receiving 38.7W, 52.7W, 70W or 90W of power at the PD RJ45 connector, and is backwards compatible with IEEE 802.3. The LT4276B is a fully 802.3at compliant, 25.5W Type 2 (PoE+) PD. The LT4276C is a fully 802.3af compliant, 13W Type 1 (PoE) PD.The LT4276 supports both forward and flyback power supply topologies, configurable for a wide range of PoE applications. The flyback topology supports No-Opto feedback. Auxiliary input voltage can be accurately sensed with just a resistor divider connected to the AUX pin.The LT4276 utilizes an external, low RDS(ON) N-channel MOSFET for the Hot Swap function, maximizing power delivery and efficiency, reducing heat dissipation, and easing the thermal design
Eigenschaften
- IEEE802.3af/at and LTPoE++™ 90W Powered Device (PD) with Forward/Flyback Controller
- LT4276A Supports All of the Following Standards:
- LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W and 90W
- IEEE 802.3at 25.5W Compliant
- IEEE 802.3af up to 13W Compliant
- LT4276B is IEEE 802.3at/af Compliant
- LT4276C is IEEE 802.3af Compliant
- Superior Surge Protection (100V Absolute Maximum)
- Wide Junction Temperature Range (–40°C to 125°C)
- Auxiliary Power Support as Low as 9V
- No Opto-Isolator Required for Flyback Operation
- External Hot Swap™ N-Channel MOSFET for Lowest Power Dissipation and Highest System Efficiency
94% End-to-End Efficiency with LT4321 Ideal Bridge
- Available in a 28-Lead 4mm × 5mm QFN Package
Typische Anwendungen
- Outdoor Security Camera Equipment
- High Temperature Applications
- High Power Wireless Data Systems, Commercial and Public Information Displays
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | ISAT(A) | LSmin.(µH) | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | L(µH) | n | VT(V (AC)) | Bauform | Montageart | Vaux(V) | RDC 1(mΩ) | RDC 2(mΩ) | RDC 3(mΩ) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.6 A, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Performance Nennstrom6.6 A | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%6 A | Gleichstromwiderstand21.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand23.65 mΩ | Nenninduktivität4.5 µH | – | – | VersionSMT | – | – | – | Induktivität6.5 µH | – | – | Bauform7050 | MontageartSMT | – | – | – | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.3 A, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand15.95 mΩ | Nenninduktivität3.4 µH | – | – | VersionSMT | – | – | – | Induktivität4.9 µH | – | – | Bauform7050 | MontageartSMT | – | – | – | – | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 8.9 A, 9.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Performance Nennstrom8.9 A | Sättigungsstrom 19.3 A | Sättigungsstrom @ 30%12.5 A | – | Eigenresonanzfrequenz36 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand15 mΩ | Nenninduktivität2.8 µH | – | – | VersionSMT | – | – | – | Induktivität8.2 µH | – | – | Bauform1090 | MontageartSMT | – | – | – | – | ||||
 | WE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom3.5 A | Streuinduktivität [min.]0.47 µH | VersionCCM Flyback | Input Voltage 37 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 112 V | Ausgangsstrom 12.1 A | Induktivität38 µH | Übersetzungsverhältnis2:1:1.1 | Prüfspannung1500 V (AC) | BauformEP13 | MontageartSMT | Hilfsspannung12.5 V | Gleichstromwiderstand 185 mΩ | Gleichstromwiderstand 225 mΩ | Gleichstromwiderstand 3155 mΩ | |||
| WE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom3.2 A | Streuinduktivität [min.]0.625 µH | VersionCCM Flyback | Input Voltage 37 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 13.3 V | Ausgangsstrom 17.5 A | Induktivität38 µH | Übersetzungsverhältnis6.67:1:4 | Prüfspannung1500 V (AC) | BauformEP13 | MontageartSMT | Hilfsspannung12.7 V | Gleichstromwiderstand 1100 mΩ | Gleichstromwiderstand 23 mΩ | Gleichstromwiderstand 3182 mΩ | |||
749022016 | 10/100/1000 Base-T SMT Transformer, –, – | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie 10/100/1000 Base-T SMT Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität350 µH | – | Prüfspannung1500 V (AC) | – | MontageartSMT | – | – | – | – | |||
 | WE-PoE Übertrager für Power over Ethernet, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE Übertrager für Power over Ethernet | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom3 A | – | VersionFlyback | Input Voltage 40 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 14.6 A | Induktivität37 µH | Übersetzungsverhältnis4.5:1:2.5 | Prüfspannung2400 V (AC) | BauformEP13 | MontageartSMT | Hilfsspannung12 V | Gleichstromwiderstand 168 mΩ | Gleichstromwiderstand 25 mΩ | Gleichstromwiderstand 3123 mΩ | ||||
 | WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionForward | Input Voltage 40 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 117 A | Induktivität175 µH | Übersetzungsverhältnis3.5:1:2.25 | Prüfspannung2400 V (AC) | BauformEFD20 | MontageartSMT | Hilfsspannung10.75 V | Gleichstromwiderstand 150 mΩ | Gleichstromwiderstand 210 mΩ | Gleichstromwiderstand 3188 mΩ | ||||
 | WE-PoE Übertrager für Power over Ethernet, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE Übertrager für Power over Ethernet | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom1.8 A | – | VersionFlyback | Input Voltage 36 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 12.3 A | Induktivität44 µH | Übersetzungsverhältnis4:1:1:2.5 | Prüfspannung2400 V (AC) | BauformEP7 | MontageartSMT | Hilfsspannung12 V | Gleichstromwiderstand 1305 mΩ | Gleichstromwiderstand 240 mΩ | Gleichstromwiderstand 340 mΩ | ||||
| WE-PoE Übertrager für Power over Ethernet, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE Übertrager für Power over Ethernet | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom2.75 A | – | VersionFlyback | Input Voltage 40 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 124 V | Ausgangsstrom 11 A | Induktivität37 µH | Übersetzungsverhältnis1:1:0.56 | Prüfspannung2400 V (AC) | BauformEP13 | MontageartSMT | Hilfsspannung12.5 V | Gleichstromwiderstand 179 mΩ | Gleichstromwiderstand 260 mΩ | Gleichstromwiderstand 3116 mΩ | ||||
 | WE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE+ Übertrager für Power over Ethernet plus | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom3.8 A | – | VersionFlyback | Input Voltage 48 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 17 A | Induktivität26 µH | Übersetzungsverhältnis4.5:1:2.5 | Prüfspannung2400 V (AC) | BauformEP13 | MontageartSMT | Hilfsspannung12 V | Gleichstromwiderstand 194 mΩ | Gleichstromwiderstand 27 mΩ | Gleichstromwiderstand 3233 mΩ | ||||
 | WE-PoE Übertrager für Power over Ethernet, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE Übertrager für Power over Ethernet | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom8.5 A | – | VersionFlyback | Input Voltage 9 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 112 V | Ausgangsstrom 12 A | Induktivität9 µH | Übersetzungsverhältnis1:1.12:1 | Prüfspannung1500 V (AC) | BauformEFD20 | MontageartSMT | Hilfsspannung10 V | Gleichstromwiderstand 112.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 214 mΩ | Gleichstromwiderstand 3385 mΩ |