IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADIN1100 | Demoboard AD-T1LUSB2.0-EBZ

USB2.0 to 10BASE-T1L Interface Board

Details

TopologieA-PHY
IC-RevisionB

Beschreibung

The AD-T1LUSB2.0-EBZ is a board ready for use out-of-the-box to quickly control any system with a 10BASE-T1L interface. The current hardware configuration provides a straightforward architecture with a USB Ethernet Controller and MAC (LAN9500A) connected through MII to the ADIN1100 PHY.The design also includes an EEPROM for saving and recalling MAC configurations and status LEDs to indicate link status (MAC) and user-programmable status flags from the PHY.The AD-T1LUSB2.0-EBZ board does not require any configuration to be functional and ready for use.

Eigenschaften

Easy-to-use USB2.0 to 10BASE-T1L interfaceEfficient data communication utilizing LAN9500A USB Ethernet Controller and MAC connected via MII to the ADIN1100 PHYOn-board EEPROM for saving and recalling MAC configurationsLEDs indicating MAC link status and user-programmable PHY status flagsOperates without an external power supply, powered directly from the USB bus

Typische Anwendungen

  • Building Automation
  • Industrial Ethernet Application Development

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Datenrate
L(µH)
VT(V (RMS))
n
Betriebstemperatur
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Kanäle
Polarität
VCh max.(V)
ICh Leak max.(µA)
VBR min.(V)
CCh typ.(pF)
IPeak(A)
VCh Clamp ESD typ.(V)
VESD Contact(kV)
Muster
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10/100/1000 Base-T, 10/100 Base-T1 
Induktivität350 µH
Prüfspannung1500 V (RMS)
Übersetzungsverhältnis1:1 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Länge4.7 mm
Breite3.22 mm
Höhe2.9 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz450 Ω
Maximale Impedanz250 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypHochstrom 
WE-TVS TVS Diode – High Speed Series, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge2.92 mm
Breite2.4 mm
Höhe1.06 mm
Kanäle2+1 
PolaritätUnidirectional 
Kanal Betriebsspannung [max.]3.3 V
Kanal (Rück) Leckstrom [max.]1 µA
(Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]4.5 V
(Kanal) Eingangskapazität [typ.]3 pF
(Reverse) Peak Pulse Current12 A
Kanal ESD Klemmspannung [typ.]9 V
ESD Kontact-Entladungsfähigkeit24 kV