WE-DD SMT-Doppeldrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
7332 straight
7.3 7.3 4
7345 straight
7.3 7.3 4.8
1260 straight
12.5 12.5 6.5
1280 straight
12.5 12.5 8.5
1260 crossed
12.5 12.5 6.5
1280 crossed
12.5 12.5 8.5
1210 crossed
12.5 12.5 10.5
7345 crossed
7.3 7.3 4.8
7355 crossed
7.3 7.3 5.8

Merkmale

  • 1:1 Übertrager
  • Doppeldrossel mit zwei identischen Wicklungen pro Bauteil
  • 5 verschiedene Bauformen
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Kundenspezifische Ausführungen auf Anfrage möglich

Anwendung

  • SEPIC- und CUK-Schaltregler
  • Schaltregler mit zweiter, ungeregelter Ausgangsspannung
  • Sperrwandler-Anwendungen

Duett der Meisterklasse!

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995.

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7332 straight
7345 straight
1260 straight
1280 straight
1260 crossed
1280 crossed
1210 crossed
7345 crossed
7355 crossed
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L1(µH)
L2(µH)
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Typ
Design Kit
Muster
744878001
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.3 µH
Induktivität 21.3 µH
Nennstrom 14.4 A
Nennstrom 24.4 A
Sättigungsstrom [1]6.3 A
Gleichstromwiderstand 10.027 Ω
Gleichstromwiderstand 20.027 Ω
Gleichstromwiderstand 10.035 Ω
Gleichstromwiderstand 20.035 Ω
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874001
1.5 µH, 1.5 µH, 5.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.5 µH
Induktivität 21.5 µH
Nennstrom 15.85 A
Nennstrom 25.85 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 10.012 Ω
Gleichstromwiderstand 20.012 Ω
Gleichstromwiderstand 10.016 Ω
Gleichstromwiderstand 20.016 Ω
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
TypGerade 
Design Kit
744873001
1.5 µH, 1.5 µH, 6.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.5 µH
Induktivität 21.5 µH
Nennstrom 16.25 A
Nennstrom 26.25 A
Sättigungsstrom [1]18 A
Gleichstromwiderstand 10.011 Ω
Gleichstromwiderstand 20.011 Ω
Gleichstromwiderstand 10.015 Ω
Gleichstromwiderstand 20.015 Ω
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
TypGerade 
Design Kit
7448700015
1.5 µH, 1.5 µH, 8.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.5 µH
Induktivität 21.5 µH
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]17.5 A
Gleichstromwiderstand 10.012 Ω
Gleichstromwiderstand 20.012 Ω
Gleichstromwiderstand 10.016 Ω
Gleichstromwiderstand 20.016 Ω
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744877001
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.8 µH
Induktivität 21.8 µH
Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 24.7 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 10.025 Ω
Gleichstromwiderstand 20.025 Ω
Gleichstromwiderstand 10.034 Ω
Gleichstromwiderstand 20.034 Ω
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
TypGerade 
Design Kit
7448709022
2.2 µH, 2.2 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Nennstrom 14.1 A
Nennstrom 24.1 A
Sättigungsstrom [1]19 A
Gleichstromwiderstand 10.015 Ω
Gleichstromwiderstand 20.015 Ω
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878002
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Induktivität 22.4 µH
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]4.8 A
Gleichstromwiderstand 10.042 Ω
Gleichstromwiderstand 20.042 Ω
Gleichstromwiderstand 10.052 Ω
Gleichstromwiderstand 20.052 Ω
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877002
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Induktivität 22.4 µH
Nennstrom 14.2 A
Nennstrom 24.2 A
Sättigungsstrom [1]5.6 A
Gleichstromwiderstand 10.031 Ω
Gleichstromwiderstand 20.031 Ω
Gleichstromwiderstand 10.042 Ω
Gleichstromwiderstand 20.042 Ω
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874002
2.4 µH, 2.4 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Induktivität 22.4 µH
Nennstrom 15.5 A
Nennstrom 25.5 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 10.013 Ω
Gleichstromwiderstand 20.013 Ω
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
TypGerade 
Design Kit
744873002
2.4 µH, 2.4 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Induktivität 22.4 µH
Nennstrom 16 A
Nennstrom 26 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 10.012 Ω
Gleichstromwiderstand 20.012 Ω
Gleichstromwiderstand 10.016 Ω
Gleichstromwiderstand 20.016 Ω
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870002
2.4 µH, 2.4 µH, 7.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.4 µH
Induktivität 22.4 µH
Nennstrom 17.8 A
Nennstrom 27.8 A
Sättigungsstrom [1]15 A
Gleichstromwiderstand 10.014 Ω
Gleichstromwiderstand 20.014 Ω
Gleichstromwiderstand 10.018 Ω
Gleichstromwiderstand 20.018 Ω
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878003
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 10.052 Ω
Gleichstromwiderstand 20.052 Ω
Gleichstromwiderstand 10.064 Ω
Gleichstromwiderstand 20.064 Ω
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877003
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 10.04 Ω
Gleichstromwiderstand 20.04 Ω
Gleichstromwiderstand 10.052 Ω
Gleichstromwiderstand 20.052 Ω
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874003
3.3 µH, 3.3 µH, 4.91 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 14.91 A
Nennstrom 24.91 A
Sättigungsstrom [1]8.9 A
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Gleichstromwiderstand 10.021 Ω
Gleichstromwiderstand 20.021 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
TypGerade 
Design Kit
744873003
3.3 µH, 3.3 µH, 5.14 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 15.14 A
Nennstrom 25.14 A
Sättigungsstrom [1]11 A
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Gleichstromwiderstand 10.022 Ω
Gleichstromwiderstand 20.022 Ω
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870003
3.3 µH, 3.3 µH, 7.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 17.1 A
Nennstrom 27.1 A
Sättigungsstrom [1]12 A
Gleichstromwiderstand 10.016 Ω
Gleichstromwiderstand 20.016 Ω
Gleichstromwiderstand 10.021 Ω
Gleichstromwiderstand 20.021 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709033
3.3 µH, 3.3 µH, 3.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]15.5 A
Gleichstromwiderstand 10.017 Ω
Gleichstromwiderstand 20.017 Ω
Gleichstromwiderstand 10.02 Ω
Gleichstromwiderstand 20.02 Ω
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878004
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 10.065 Ω
Gleichstromwiderstand 20.065 Ω
Gleichstromwiderstand 10.075 Ω
Gleichstromwiderstand 20.075 Ω
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877004
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 12.55 A
Nennstrom 22.55 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 10.052 Ω
Gleichstromwiderstand 20.052 Ω
Gleichstromwiderstand 10.064 Ω
Gleichstromwiderstand 20.064 Ω
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874004
4.7 µH, 4.7 µH, 4.22 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 14.22 A
Nennstrom 24.22 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Gleichstromwiderstand 20.023 Ω
Gleichstromwiderstand 10.028 Ω
Gleichstromwiderstand 20.028 Ω
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871004
4.7 µH, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 13 A
Nennstrom 23 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Gleichstromwiderstand 20.023 Ω
Gleichstromwiderstand 10.028 Ω
Gleichstromwiderstand 20.028 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873004
4.7 µH, 4.7 µH, 4.87 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 14.87 A
Nennstrom 24.87 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 10.019 Ω
Gleichstromwiderstand 20.019 Ω
Gleichstromwiderstand 10.024 Ω
Gleichstromwiderstand 20.024 Ω
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870004
4.7 µH, 4.7 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 10.025 Ω
Gleichstromwiderstand 20.025 Ω
Gleichstromwiderstand 10.03 Ω
Gleichstromwiderstand 20.03 Ω
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709047
4.7 µH, 4.7 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]13 A
Gleichstromwiderstand 10.019 Ω
Gleichstromwiderstand 20.019 Ω
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Gleichstromwiderstand 20.023 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878005
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15.6 µH
Induktivität 25.6 µH
Nennstrom 11.5 A
Nennstrom 21.5 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 10.095 Ω
Gleichstromwiderstand 20.095 Ω
Gleichstromwiderstand 10.12 Ω
Gleichstromwiderstand 20.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877005
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15.6 µH
Induktivität 25.6 µH
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Gleichstromwiderstand 20.08 Ω
Gleichstromwiderstand 10.095 Ω
Gleichstromwiderstand 20.095 Ω
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
TypGerade 
Design Kit
744878006
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Gleichstromwiderstand 20.11 Ω
Gleichstromwiderstand 10.135 Ω
Gleichstromwiderstand 20.135 Ω
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877006
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 11.8 A
Nennstrom 21.8 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Gleichstromwiderstand 10.085 Ω
Gleichstromwiderstand 20.085 Ω
Gleichstromwiderstand 10.102 Ω
Gleichstromwiderstand 20.102 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874006
6.8 µH, 6.8 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]6.8 A
Gleichstromwiderstand 10.027 Ω
Gleichstromwiderstand 20.027 Ω
Gleichstromwiderstand 10.032 Ω
Gleichstromwiderstand 20.032 Ω
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871006
6.8 µH, 6.8 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 12.8 A
Nennstrom 22.8 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 10.035 Ω
Gleichstromwiderstand 20.035 Ω
Gleichstromwiderstand 10.04 Ω
Gleichstromwiderstand 20.04 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744870006
6.8 µH, 6.8 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 13.2 A
Nennstrom 23.2 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.027 Ω
Gleichstromwiderstand 20.027 Ω
Gleichstromwiderstand 10.035 Ω
Gleichstromwiderstand 20.035 Ω
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709068
6.8 µH, 6.8 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 10.026 Ω
Gleichstromwiderstand 20.026 Ω
Gleichstromwiderstand 10.031 Ω
Gleichstromwiderstand 20.031 Ω
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878008
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]2.7 A
Gleichstromwiderstand 10.115 Ω
Gleichstromwiderstand 20.115 Ω
Gleichstromwiderstand 10.14 Ω
Gleichstromwiderstand 20.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877008
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Nennstrom 11.7 A
Nennstrom 21.7 A
Sättigungsstrom [1]2.9 A
Gleichstromwiderstand 10.091 Ω
Gleichstromwiderstand 20.091 Ω
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Gleichstromwiderstand 20.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
TypGerade 
Design Kit
744878100
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom [1]2 A
Gleichstromwiderstand 10.125 Ω
Gleichstromwiderstand 20.125 Ω
Gleichstromwiderstand 10.15 Ω
Gleichstromwiderstand 20.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877100
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 11.1 A
Nennstrom 21.1 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Gleichstromwiderstand 20.11 Ω
Gleichstromwiderstand 10.12 Ω
Gleichstromwiderstand 20.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874100
10 µH, 10 µH, 3.28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 13.28 A
Nennstrom 23.28 A
Sättigungsstrom [1]5.25 A
Gleichstromwiderstand 10.038 Ω
Gleichstromwiderstand 20.038 Ω
Gleichstromwiderstand 10.044 Ω
Gleichstromwiderstand 20.044 Ω
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871100
10 µH, 10 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 12 A
Nennstrom 22 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 10.044 Ω
Gleichstromwiderstand 20.044 Ω
Gleichstromwiderstand 10.05 Ω
Gleichstromwiderstand 20.05 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873100
10 µH, 10 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 14.2 A
Nennstrom 24.2 A
Sättigungsstrom [1]7.5 A
Gleichstromwiderstand 10.031 Ω
Gleichstromwiderstand 20.031 Ω
Gleichstromwiderstand 10.042 Ω
Gleichstromwiderstand 20.042 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870100
10 µH, 10 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 12.7 A
Nennstrom 22.7 A
Sättigungsstrom [1]7 A
Gleichstromwiderstand 10.038 Ω
Gleichstromwiderstand 20.038 Ω
Gleichstromwiderstand 10.044 Ω
Gleichstromwiderstand 20.044 Ω
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709100
10 µH, 10 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Nennstrom 13.2 A
Nennstrom 23.2 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.033 Ω
Gleichstromwiderstand 20.033 Ω
Gleichstromwiderstand 10.04 Ω
Gleichstromwiderstand 20.04 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873150
15 µH, 15 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]6.1 A
Gleichstromwiderstand 10.041 Ω
Gleichstromwiderstand 20.041 Ω
Gleichstromwiderstand 10.055 Ω
Gleichstromwiderstand 20.055 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
TypGerade 
Design Kit
744878220
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 10.7 A
Nennstrom 20.7 A
Sättigungsstrom [1]1.5 A
Gleichstromwiderstand 10.245 Ω
Gleichstromwiderstand 20.245 Ω
Gleichstromwiderstand 10.3 Ω
Gleichstromwiderstand 20.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877220
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 10.8 A
Nennstrom 20.8 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Gleichstromwiderstand 10.215 Ω
Gleichstromwiderstand 20.215 Ω
Gleichstromwiderstand 10.26 Ω
Gleichstromwiderstand 20.26 Ω
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874220
22 µH, 22 µH, 2.47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 12.47 A
Nennstrom 22.47 A
Sättigungsstrom [1]3.3 A
Gleichstromwiderstand 10.067 Ω
Gleichstromwiderstand 20.067 Ω
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Gleichstromwiderstand 20.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz15.5 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871220
22 µH, 22 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 10.067 Ω
Gleichstromwiderstand 20.067 Ω
Gleichstromwiderstand 10.09 Ω
Gleichstromwiderstand 20.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873220
22 µH, 22 µH, 2.79 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 12.79 A
Nennstrom 22.79 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 10.058 Ω
Gleichstromwiderstand 20.058 Ω
Gleichstromwiderstand 10.07 Ω
Gleichstromwiderstand 20.07 Ω
Eigenresonanzfrequenz11.5 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870220
22 µH, 22 µH, 2.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 12.45 A
Nennstrom 22.45 A
Sättigungsstrom [1]5.2 A
Gleichstromwiderstand 10.062 Ω
Gleichstromwiderstand 20.062 Ω
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Gleichstromwiderstand 20.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709220
22 µH, 22 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Nennstrom 13.5 A
Nennstrom 23.5 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 10.064 Ω
Gleichstromwiderstand 20.064 Ω
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Gleichstromwiderstand 20.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744877330
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Nennstrom 10.7 A
Nennstrom 20.7 A
Sättigungsstrom [1]1.5 A
Gleichstromwiderstand 10.4 Ω
Gleichstromwiderstand 20.4 Ω
Gleichstromwiderstand 10.5 Ω
Gleichstromwiderstand 20.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871330
33 µH, 33 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Nennstrom 11.2 A
Nennstrom 21.2 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 10.125 Ω
Gleichstromwiderstand 20.125 Ω
Gleichstromwiderstand 10.17 Ω
Gleichstromwiderstand 20.17 Ω
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873330
33 µH, 33 µH, 2.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Nennstrom 12.25 A
Nennstrom 22.25 A
Sättigungsstrom [1]3.9 A
Gleichstromwiderstand 10.087 Ω
Gleichstromwiderstand 20.087 Ω
Gleichstromwiderstand 10.105 Ω
Gleichstromwiderstand 20.105 Ω
Eigenresonanzfrequenz8.9 MHz
TypGerade 
Design Kit
7448709330
33 µH, 33 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Nennstrom 12 A
Nennstrom 22 A
Sättigungsstrom [1]4.4 A
Gleichstromwiderstand 10.08 Ω
Gleichstromwiderstand 20.08 Ω
Gleichstromwiderstand 10.1 Ω
Gleichstromwiderstand 20.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878470
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 10.9 A
Nennstrom 20.9 A
Sättigungsstrom [1]1 A
Gleichstromwiderstand 10.6 Ω
Gleichstromwiderstand 20.6 Ω
Gleichstromwiderstand 10.75 Ω
Gleichstromwiderstand 20.75 Ω
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874470
47 µH, 47 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 11.8 A
Nennstrom 21.8 A
Sättigungsstrom [1]2.75 A
Gleichstromwiderstand 10.13 Ω
Gleichstromwiderstand 20.13 Ω
Gleichstromwiderstand 10.15 Ω
Gleichstromwiderstand 20.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871470
47 µH, 47 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 11.1 A
Nennstrom 21.1 A
Sättigungsstrom [1]2.4 A
Gleichstromwiderstand 10.145 Ω
Gleichstromwiderstand 20.145 Ω
Gleichstromwiderstand 10.18 Ω
Gleichstromwiderstand 20.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz5 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873470
47 µH, 47 µH, 2.02 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 12.02 A
Nennstrom 22.02 A
Sättigungsstrom [1]3.1 A
Gleichstromwiderstand 10.11 Ω
Gleichstromwiderstand 20.11 Ω
Gleichstromwiderstand 10.12 Ω
Gleichstromwiderstand 20.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz7.8 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870470
47 µH, 47 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]3.1 A
Gleichstromwiderstand 10.125 Ω
Gleichstromwiderstand 20.125 Ω
Gleichstromwiderstand 10.15 Ω
Gleichstromwiderstand 20.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz5 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
7448709470
47 µH, 47 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.6 A
Gleichstromwiderstand 10.106 Ω
Gleichstromwiderstand 20.106 Ω
Gleichstromwiderstand 10.13 Ω
Gleichstromwiderstand 20.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873680
68 µH, 68 µH, 1.66 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 168 µH
Induktivität 268 µH
Nennstrom 11.66 A
Nennstrom 21.66 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 10.163 Ω
Gleichstromwiderstand 20.163 Ω
Gleichstromwiderstand 10.18 Ω
Gleichstromwiderstand 20.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz5.5 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870680
68 µH, 68 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 168 µH
Induktivität 268 µH
Nennstrom 11.35 A
Nennstrom 21.35 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 10.17 Ω
Gleichstromwiderstand 20.17 Ω
Gleichstromwiderstand 10.215 Ω
Gleichstromwiderstand 20.215 Ω
Eigenresonanzfrequenz3.7 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744878101
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 10.3 A
Nennstrom 20.3 A
Sättigungsstrom [1]0.7 A
Gleichstromwiderstand 11.4 Ω
Gleichstromwiderstand 21.4 Ω
Gleichstromwiderstand 11.73 Ω
Gleichstromwiderstand 21.73 Ω
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
TypGerade 
Design Kit
744877101
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 10.65 A
Nennstrom 20.65 A
Sättigungsstrom [1]0.9 A
Gleichstromwiderstand 11.029 Ω
Gleichstromwiderstand 21.029 Ω
Gleichstromwiderstand 11.3 Ω
Gleichstromwiderstand 21.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
TypGerade 
Design Kit
744874101
100 µH, 100 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 11.2 A
Nennstrom 21.2 A
Sättigungsstrom [1]1.7 A
Gleichstromwiderstand 10.285 Ω
Gleichstromwiderstand 20.285 Ω
Gleichstromwiderstand 10.32 Ω
Gleichstromwiderstand 20.32 Ω
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
TypGerade 
Design Kit
744871101
100 µH, 100 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 11.5 A
Nennstrom 21.5 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Gleichstromwiderstand 10.293 Ω
Gleichstromwiderstand 20.293 Ω
Gleichstromwiderstand 10.36 Ω
Gleichstromwiderstand 20.36 Ω
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873101
100 µH, 100 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 11.38 A
Nennstrom 21.38 A
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Gleichstromwiderstand 10.235 Ω
Gleichstromwiderstand 20.235 Ω
Gleichstromwiderstand 10.255 Ω
Gleichstromwiderstand 20.255 Ω
Eigenresonanzfrequenz4.4 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870101
100 µH, 100 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 µH
Induktivität 2100 µH
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom [1]2 A
Gleichstromwiderstand 10.23 Ω
Gleichstromwiderstand 20.23 Ω
Gleichstromwiderstand 10.3 Ω
Gleichstromwiderstand 20.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz4 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744870151
150 µH, 150 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 µH
Induktivität 2150 µH
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom [1]1.7 A
Gleichstromwiderstand 10.34 Ω
Gleichstromwiderstand 20.34 Ω
Gleichstromwiderstand 10.4 Ω
Gleichstromwiderstand 20.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744873221
220 µH, 220 µH, 0.91 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Induktivität 2220 µH
Nennstrom 10.91 A
Nennstrom 20.91 A
Sättigungsstrom [1]1.6 A
Gleichstromwiderstand 10.54 Ω
Gleichstromwiderstand 20.54 Ω
Gleichstromwiderstand 10.58 Ω
Gleichstromwiderstand 20.58 Ω
Eigenresonanzfrequenz2.8 MHz
TypGerade 
Design Kit
744870221
220 µH, 220 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Induktivität 2220 µH
Nennstrom 10.9 A
Nennstrom 20.9 A
Sättigungsstrom [1]1.4 A
Gleichstromwiderstand 10.53 Ω
Gleichstromwiderstand 20.53 Ω
Gleichstromwiderstand 10.65 Ω
Gleichstromwiderstand 20.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz2 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744875221
220 µH, 220 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Induktivität 2220 µH
Nennstrom 10.46 A
Nennstrom 20.46 A
Sättigungsstrom [1]0.58 A
Gleichstromwiderstand 11.94 Ω
Gleichstromwiderstand 21.94 Ω
Gleichstromwiderstand 12.32 Ω
Gleichstromwiderstand 22.32 Ω
Eigenresonanzfrequenz4.1 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744879221
220 µH, 220 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1220 µH
Induktivität 2220 µH
Nennstrom 10.44 A
Nennstrom 20.44 A
Sättigungsstrom [1]0.7 A
Gleichstromwiderstand 11.94 Ω
Gleichstromwiderstand 21.94 Ω
Gleichstromwiderstand 12.3 Ω
Gleichstromwiderstand 22.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz3.2 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit
744870471
470 µH, 470 µH, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1470 µH
Induktivität 2470 µH
Nennstrom 10.7 A
Nennstrom 20.7 A
Sättigungsstrom [1]0.9 A
Gleichstromwiderstand 11 Ω
Gleichstromwiderstand 21 Ω
Gleichstromwiderstand 11.2 Ω
Gleichstromwiderstand 21.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz0.65 MHz
TypGekreuzt 
Design Kit

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REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

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