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WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer

für SiC-MOSFET und IGBT

Bauform Maße 3DL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Montageart
EP7 11.3 10.95 11.94 SMT

Merkmale

  • Die Kapazität zwischen den Wicklungen beträgt typisch nur 6,8 pF
  • Winziges SMD EP7-Gehäuse
  • Dielektrische Isolationsspannung bis zu 4 kV
  • Basisisolierung
  • Sicherheitsstandard: IEC62368-1 /IEC61558-2-16
  • Steuerspannungen für viele gängige SiC-MOSFET's
  • Flyback DC/DC mit primärseitiger Regelung
  • Weiter Eingangsspannungsbereich 9 V bis 36 V
  • Hoher Wirkungsgrad und sehr kompakt
  • Referenzdesigns mit Analog Devices und Texas Instruments
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis zu +130 °C

Anwendung

  • Industrielle Antriebe
  • AC-Motor-Umrichter
  • HEV/EV charging station
  • Batterie Ladegeräte
  • Solar-Wechselrichter
  • Rechenzentren
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Wirkleistungsfaktor-Korrektur
  • SiC-MOSFET-basierte Leistungskonverter

Artikeldaten

EP7
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation DownloadsVin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
CWW 1
(pF)
fswitch
(kHz)
IC-ReferenzPO
(W)
IC-Referenz Muster
750318131SPEC
8 Dateien 9 - 18 15 -4 7.5 350 LT8302 6ADI Power by Linear
750318114SPEC
8 Dateien 9 - 18 19 6.8 350 LT8302 6ADI Power by Linear
750317894SPEC
8 Dateien 9 - 18 15 -4 7 350 LM5180 3Texas Instruments
750317893SPEC
8 Dateien 9 - 18 19 6.8 350 LM5180 3Texas Instruments
750318208SPEC
8 Dateien 18 - 36 15 -4 7 350 LM5180 5Texas Instruments
750318207SPEC
8 Dateien 18 - 36 19 8.2 350 LM5180 5Texas Instruments
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
750318131SPEC
750318114SPEC
750317894SPEC
750317893SPEC
750318208SPEC
750318207SPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation DownloadsVin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
CWW 1
(pF)
fswitch
(kHz)
IC-ReferenzPO
(W)
IC-Referenz Muster