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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 6-13.1 V |
| Ausgang 1 | 6 A |
| IC-Revision | Rev. A, Mar. 23, 2020 |
Beschreibung
This document describes the characteristics and operation of the Qorvo ACT85610EVK1-101 evaluation kit (EVK). It provides setup and operation instructions, schematic, layout, BOM, and test data. This EVK demonstrates the ACT85610QX101 Active PMU power management IC. Other ACT85610QXxxx options can be evaluated on this EVK by replacing the IC and any other necessary components.
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Pins | PCB/Kabel/Panel | Modularity | Typ | Wire Section | L(µH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | H(mm) | B(mm) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | ISAT,10%(A) | RDC max.(mΩ) | Material | Qmin. | LR(µH) | C | VR(V (DC)) | Endurance(h) | IRIPPLE(mA) | Z(mΩ) | ILeak(µA) | DF(%) | Ø D(mm) | L(mm) | Verpackung | IR(A) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | Technische Artikelnummer | VDC(V) | VBR(V) | IPeak(A) | PDiss(W) | VClamp max.(V) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Pins2 | – | – | TypLow RDC | – | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom120 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Höhe1.25 mm | Breite1.2 mm | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand375 mΩ | – | Güte [1]20 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge2 mm | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Pins2 | – | – | – | – | Induktivität1 µH | – | – | Sättigungsstrom5000 mA | – | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | Höhe2 mm | Breite3 mm | Performance Nennstrom6.15 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 13.25 A | Gleichstromwiderstand32 mΩ | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge3 mm | – | Nennstrom4 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Pins2 | – | – | – | – | Induktivität1 µH | – | – | Sättigungsstrom9000 mA | – | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Höhe2 mm | Breite4 mm | Performance Nennstrom10.1 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 15.3 A | Gleichstromwiderstand15 mΩ | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge4 mm | – | Nennstrom7.2 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Pins2 | – | – | – | – | Induktivität2.2 µH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz97 MHz | Höhe7.2 mm | Breite7.9 mm | Performance Nennstrom14.8 A | Sättigungsstrom @ 30%12.9 A | Gleichstromwiderstand5.3 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 111.3 A | Gleichstromwiderstand5.6 mΩ | MaterialFerrite | – | Nenninduktivität1.4 µH | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge8.4 mm | – | Nennstrom16.5 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WR-TBL Series 2141 - 3.50 mm Horiz. Entry Modular, 2, Käfigzugklemme | Simulation– | Downloads6 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Pins2 | PCB/Kabel/PanelPCB | ModularityJa | TypHorizontal | Wire Section 24 to 16 (AWG) 0.2 to 1 (mm²) | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge7.05 mm | VerpackungKarton | Nennstrom10 A | Arbeitsspannung300 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | – | – | – | |||
 | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 2, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | Pins2 | – | – | TypGerade | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge5.08 mm | VerpackungBeutel | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | – | – | – | |||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Pins2 | – | – | – | – | Induktivität4.7 µH | – | – | Sättigungsstrom6400 mA | – | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | Höhe3.1 mm | Breite4.3 mm | Performance Nennstrom5.1 A | Sättigungsstrom @ 30%8.2 A | Gleichstromwiderstand39.9 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 14.15 A | Gleichstromwiderstand44 mΩ | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge4.3 mm | – | Nennstrom3.9 A | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | – | ||||
 | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Zweireihig | Pins12 | – | – | TypGerade | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge15.24 mm | VerpackungBeutel | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | – | – | – | |||
 | WCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Breite8.3 mm | – | – | – | – | MontageartV-Chip SMT | – | – | – | – | – | Kapazität220 µF | Nennspannung35 V (DC) | Endurance 2000 | Rippelstrom570 mA | Impedanz210 mΩ | Leckstrom77 µA | Verlustfaktor14 % | Durchmesser8 mm | Länge10.5 mm | Verpackung15" Tape & Reel | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +105 °C | Technische ArtikelnummerASEE105221M035DVCTEB000 | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-TVSP Power TVS Diode, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TVSP Power TVS Diode | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe2.4 mm | Breite3.62 mm | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Leckstrom1 µA | – | – | Länge4.32 mm | – | – | – | Betriebstemperatur -65 °C up to +150 °C | Technische ArtikelnummerSMBJ15A | DC Betriebsspannung15 V | (Rückwärts-) Durchbruchspannung17.6 V | (Reverse) Peak Pulse Current24.6 A | Verlustleistung600 W | Klemmspannung [max.]24.4 V |