WE-SPC SMT-Speicherdrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
4818
4.8 4.8 1.8 SMT
4828
4.8 4.8 2.8 SMT
4838
4.8 4.8 3.8 SMT

Merkmale

  • Extrem kleine Bauform
  • Hohe Sättigungströme bis 13 A
  • Magnetisch geschirmt, d.h. geringes Streufeld
  • Geringe Eigenverluste
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Optimierte Löteigenschaften
  • Konstantes Sättigungsverhalten
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C

Anwendung

  • Tragbare Geräte
  • Schaltregler
  • DCMCIA-Karten
  • Mobile Telefone
  • PDA
  • Digital Camera

Artikeldaten

Alle
4818
4828
4838
Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel in 3 Produktserien anzeigen
 Artikel in 3 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Version
Design Kit
Muster
744089410022
0.22 µH, 4.5 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand0.015 Ω
Eigenresonanzfrequenz230 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089420022
0.22 µH, 5.3 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom13.5 A
Gleichstromwiderstand0.0144 Ω
Eigenresonanzfrequenz220 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089430022
0.22 µH, 5 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom13 A
Gleichstromwiderstand0.014 Ω
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089420039
0.39 µH, 4.2 A, 10.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.39 µH
Nennstrom4.2 A
Sättigungsstrom10.3 A
Gleichstromwiderstand0.0177 Ω
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089430039
0.39 µH, 4.2 A, 9.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.39 µH
Nennstrom4.2 A
Sättigungsstrom9.3 A
Gleichstromwiderstand0.016 Ω
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089410043
0.43 µH, 3.8 A, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.43 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand0.0176 Ω
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089420056
0.56 µH, 4.1 A, 8.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom8.3 A
Gleichstromwiderstand0.0184 Ω
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089430056
0.56 µH, 3.8 A, 8.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom8.1 A
Gleichstromwiderstand0.017 Ω
Eigenresonanzfrequenz130 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089410068
0.68 µH, 3.4 A, 6.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand0.0221 Ω
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089420082
0.82 µH, 3.5 A, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom6.7 A
Gleichstromwiderstand0.0248 Ω
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
VersionSMT 
Design Kit
744089430082
0.82 µH, 3.4 A, 7.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom7.1 A
Gleichstromwiderstand0.02 Ω
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941010
1 µH, 3 A, 5.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.4 A
Gleichstromwiderstand0.0295 Ω
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943010
1 µH, 3.3 A, 6.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand0.022 Ω
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942012
1.2 µH, 3.2 A, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand0.026 Ω
Eigenresonanzfrequenz82 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941022
2.2 µH, 2.1 A, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942022
2.2 µH, 2.5 A, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand0.045 Ω
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943022
2.2 µH, 3 A, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand0.03 Ω
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941029
2.9 µH, 1.55 A, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.9 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom3 A
Gleichstromwiderstand0.101 Ω
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942033
3.3 µH, 2.1 A, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand0.057 Ω
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943033
3.3 µH, 2.6 A, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand0.036 Ω
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941035
3.5 µH, 1.5 A, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.5 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom2.8 A
Gleichstromwiderstand0.113 Ω
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942047
4.7 µH, 1.55 A, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom2.9 A
Gleichstromwiderstand0.103 Ω
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943047
4.7 µH, 2.2 A, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom3.2 A
Gleichstromwiderstand0.052 Ω
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941050
5 µH, 1.4 A, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom2.5 A
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941068
6.8 µH, 1.1 A, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942068
6.8 µH, 1.45 A, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom2.4 A
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943068
6.8 µH, 2 A, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom2.7 A
Gleichstromwiderstand0.059 Ω
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941078
7.8 µH, 1.05 A, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.8 µH
Nennstrom1.05 A
Sättigungsstrom1.9 A
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942082
8.2 µH, 1.4 A, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand0.134 Ω
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943082
8.2 µH, 1.75 A, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom1.75 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand0.081 Ω
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941089
8.9 µH, 0.95 A, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.9 µH
Nennstrom0.95 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941100
10 µH, 0.9 A, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom1.6 A
Gleichstromwiderstand0.248 Ω
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942100
10 µH, 1.38 A, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.38 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand0.148 Ω
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943100
10 µH, 1.65 A, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand0.094 Ω
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941150
15 µH, 0.75 A, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.75 A
Sättigungsstrom1.35 A
Gleichstromwiderstand0.43 Ω
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942150
15 µH, 1.1 A, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.6 A
Gleichstromwiderstand0.245 Ω
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943150
15 µH, 1.4 A, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.4 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand0.136 Ω
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941220
22 µH, 0.65 A, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.65 A
Sättigungsstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand0.549 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942220
22 µH, 0.85 A, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand0.354 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943220
22 µH, 1.1 A, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.4 A
Gleichstromwiderstand0.213 Ω
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941330
33 µH, 0.45 A, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.45 A
Sättigungsstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand1.015 Ω
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942330
33 µH, 0.75 A, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.75 A
Sättigungsstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943330
33 µH, 0.9 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom1.2 A
Gleichstromwiderstand0.298 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408941470
47 µH, 0.4 A, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.4 A
Sättigungsstrom0.75 A
Gleichstromwiderstand1.133 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942470
47 µH, 0.66 A, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.66 A
Sättigungsstrom1 A
Gleichstromwiderstand0.608 Ω
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943470
47 µH, 0.8 A, 1.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom1.05 A
Gleichstromwiderstand0.351 Ω
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942560
56 µH, 0.51 A, 0.82 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 µH
Nennstrom0.51 A
Sättigungsstrom0.82 A
Gleichstromwiderstand0.92 Ω
Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943560
56 µH, 0.7 A, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 µH
Nennstrom0.7 A
Sättigungsstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand0.481 Ω
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942680
68 µH, 0.49 A, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.49 A
Sättigungsstrom0.75 A
Gleichstromwiderstand1.02 Ω
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943680
68 µH, 0.6 A, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.85 A
Gleichstromwiderstand0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408942820
82 µH, 0.46 A, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom0.46 A
Sättigungsstrom0.68 A
Gleichstromwiderstand1.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz7 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943820
82 µH, 0.58 A, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom0.58 A
Sättigungsstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
VersionSMT 
Design Kit
74408943101
100 µH, 0.52 A, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.68 A
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Eigenresonanzfrequenz7.8 MHz
VersionSMT 
Design Kit

REDEXPERT-Verlustsimulation

Finden Sie die beste Drossel!

REDEXPERT-Verlustsimulation

Finden Sie die beste Drossel!

REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

Videos

Wie man den richtigen Spulentyp (Induktor) auswählt?!