WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
MaterialMontageart
1012
10 6 12 2.4 MnZn SMT
1050
10.2 7 5 2.5 MnZn SMT
1052
10.5 10.3 5 2 MnZn SMT
1070
10.1 7 6.8 2.6 MnZn SMT
1078
9.4 6.2 7.8 1.8 MnZn SMT
1088
10.2 8 8.1 2.5 MnZn SMT
1088A
10.2 8.1 8.1 2.5 MnZn SMT
1088B
10.8 8.2 8.5 2.8 MnZn SMT
1190
11.3 11 8.9 2.2 MnZn SMT
1240
11.5 11.8 3.8 1.75 MnZn SMT
1323
13 10.5 2.3 6.9 MnZn SMT
1350
13.5 13.3 5 2 MnZn SMT
1390
14 13 9 1.8 MnZn SMT
1411
14.5 13.5 10.7 2.7 MnZn SMT
1435
13.5 13.65 3.5 9.6 MnZn SMT
1820
16.4 13.6 2 3 MnZn SMT
4030
4.1 3.1 3 4.8 MnZn SMT
4035
5 3.1 3.5 1.55 MnZn SMT
5030
5 3.1 3 5.6 MnZn SMT
7050
7.15 7 5 2.5 MnZn SMT
7070
7 7 7 2 MnZn SMT
9065
8.64 6.35 4.5 2.7 MnZn SMT

Merkmale

  • Niedrige Kernverluste (MnZn)
  • Hoher Sättigungsstrom bis zu 125 A
  • Extrem niedriger RDC
  • Magnetisch geschirmt
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow

Anwendung

  • Multiphase Schaltregler
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Power PC
  • Filter

Artikeldaten

Alle
1012
1050
1052
1070
1078
1088
1088A
1088B
1190
1240
1323
1350
1390
1411
1435
1820
4030
4035
5030
7050
7070
9065
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L(µH)
LR(µH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Design Kit
Muster
744340300025
0.025 µH, 0.025 µH, 27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.025 µH
Nenninduktivität0.025 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom 148.9 A
Sättigungsstrom @ 30%51 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744340300030
0.03 µH, 0.029 µH, 27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.03 µH
Nenninduktivität0.029 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom 147.3 A
Sättigungsstrom @ 30%50.6 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz170 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744340300055
0.055 µH, 0.055 µH, 27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.055 µH
Nenninduktivität0.055 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom 123.6 A
Sättigungsstrom @ 30%25.2 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz123 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744300006
0.06 µH, 0.059 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.06 µH
Nenninduktivität0.059 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 160.9 A
Sättigungsstrom @ 30%65.6 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz124 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431012007
0.07 µH, 0.069 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
Nenninduktivität0.069 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 1125 A
Sättigungsstrom @ 30%125 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz149 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74434035007
0.07 µH, 0.01 µH, 29 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
Nenninduktivität0.01 µH
Nennstrom29 A
Sättigungsstrom 117 A
Sättigungsstrom @ 30%18.1 A
Gleichstromwiderstand0.38 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744302007
0.072 µH, 0.071 µH, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.072 µH
Nenninduktivität0.071 µH
Nennstrom30 A
Sättigungsstrom 162 A
Sättigungsstrom @ 30%64 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744340300075
0.075 µH, 0.075 µH, 27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.075 µH
Nenninduktivität0.075 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom 118.7 A
Sättigungsstrom @ 30%23.5 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz106 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744300008
0.08 µH, 0.078 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.08 µH
Nenninduktivität0.078 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 148.7 A
Sättigungsstrom @ 30%53.1 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz94 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081010
0.1 µH, 0.1 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.1 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 191.3 A
Sättigungsstrom @ 30%104.4 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744304010
0.1 µH, 0.1 µH, 24 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.1 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom 157.4 A
Sättigungsstrom @ 30%68.1 A
Gleichstromwiderstand0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082010
0.1 µH, 0.099 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.099 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 1107.3 A
Sättigungsstrom @ 30%114.1 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz94 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431435010
0.1 µH, 0.099 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.099 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 172.5 A
Sättigungsstrom @ 30%82.6 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz87 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431012010
0.1 µH, 0.099 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.099 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 1125 A
Sättigungsstrom @ 30%125 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082010B
0.1 µH, 0.104 µH, 70 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.104 µH
Nennstrom70 A
Sättigungsstrom 1103 A
Sättigungsstrom @ 30%117 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74434035010
0.1 µH, 0.016 µH, 29 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.016 µH
Nennstrom29 A
Sättigungsstrom 118.1 A
Sättigungsstrom @ 30%19.1 A
Gleichstromwiderstand0.38 mΩ
Eigenresonanzfrequenz69 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74435030010
0.1 µH, 0.01 µH, 27 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.01 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom 118 A
Sättigungsstrom @ 30%19.1 A
Gleichstromwiderstand0.31 mΩ
Eigenresonanzfrequenz83 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744300010
0.1 µH, 0.093 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.093 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 139.5 A
Sättigungsstrom @ 30%43.1 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744302010
0.105 µH, 0.104 µH, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.105 µH
Nenninduktivität0.104 µH
Nennstrom30 A
Sättigungsstrom 145 A
Sättigungsstrom @ 30%51 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744307012
0.12 µH, 0.118 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.118 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 143.3 A
Sättigungsstrom @ 30%48.5 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz66 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744303012
0.12 µH, 0.118 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.118 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 151.2 A
Sättigungsstrom @ 30%59.8 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081012
0.12 µH, 0.12 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.12 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 178.2 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744309012
0.12 µH, 0.12 µH, 47.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.12 µH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 1125 A
Sättigungsstrom @ 30%125 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082012
0.12 µH, 0.118 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.118 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 193.1 A
Sättigungsstrom @ 30%100 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431323012
0.12 µH, 0.117 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.117 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 140.1 A
Sättigungsstrom @ 30%47.8 A
Gleichstromwiderstand0.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431435012
0.12 µH, 0.119 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.119 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 162.7 A
Sättigungsstrom @ 30%71.3 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431012012
0.12 µH, 0.119 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.119 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 1121.1 A
Sättigungsstrom @ 30%125 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082012B
0.12 µH, 0.117 µH, 70 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nenninduktivität0.117 µH
Nennstrom70 A
Sättigungsstrom 193.6 A
Sättigungsstrom @ 30%100.9 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744302015
0.15 µH, 0.125 µH, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.125 µH
Nennstrom30 A
Sättigungsstrom 130 A
Sättigungsstrom @ 30%35 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744308015
0.15 µH, 0.15 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.15 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 153.8 A
Sättigungsstrom @ 30%60.7 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081015
0.15 µH, 0.15 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.15 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 167 A
Sättigungsstrom @ 30%75 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082015A
0.15 µH, 0.136 µH, 65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.136 µH
Nennstrom65 A
Sättigungsstrom 168.5 A
Sättigungsstrom @ 30%76.9 A
Gleichstromwiderstand0.15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082015
0.15 µH, 0.147 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.147 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 180.5 A
Sättigungsstrom @ 30%87.1 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431435015
0.15 µH, 0.147 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.147 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 155.8 A
Sättigungsstrom @ 30%64.8 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431012015
0.15 µH, 0.144 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.144 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 199.4 A
Sättigungsstrom @ 30%108.4 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082015B
0.15 µH, 0.143 µH, 70 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.143 µH
Nennstrom70 A
Sättigungsstrom 180.7 A
Sättigungsstrom @ 30%88.4 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744300015
0.15 µH, 0.034 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.034 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 128.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32.3 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744303015
0.155 µH, 0.15 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.155 µH
Nenninduktivität0.15 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 144.5 A
Sättigungsstrom @ 30%51.5 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744307016
0.16 µH, 0.155 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nenninduktivität0.155 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 140 A
Sättigungsstrom @ 30%51.7 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744304016
0.16 µH, 0.155 µH, 24 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nenninduktivität0.155 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom 134.2 A
Sättigungsstrom @ 30%42.4 A
Gleichstromwiderstand0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431323016
0.16 µH, 0.149 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nenninduktivität0.149 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 128.9 A
Sättigungsstrom @ 30%35.1 A
Gleichstromwiderstand0.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz113 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082017
0.17 µH, 0.15 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.17 µH
Nenninduktivität0.15 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 162.9 A
Sättigungsstrom @ 30%69.3 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081018
0.18 µH, 0.176 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nenninduktivität0.176 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 155.6 A
Sättigungsstrom @ 30%63.4 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082018A
0.18 µH, 0.157 µH, 65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nenninduktivität0.157 µH
Nennstrom65 A
Sättigungsstrom 163.9 A
Sättigungsstrom @ 30%72.7 A
Gleichstromwiderstand0.15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz47 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082018
0.18 µH, 0.165 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nenninduktivität0.165 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 159.3 A
Sättigungsstrom @ 30%66.4 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431435018
0.18 µH, 0.175 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nenninduktivität0.175 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 149.7 A
Sättigungsstrom @ 30%58.4 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744308020
0.2 µH, 0.198 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Nenninduktivität0.198 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 144 A
Sättigungsstrom @ 30%50.4 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744306020
0.2 µH, 0.195 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Nenninduktivität0.195 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 134 A
Sättigungsstrom @ 30%36.1 A
Gleichstromwiderstand0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744307022
0.22 µH, 0.174 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.174 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 126.8 A
Sättigungsstrom @ 30%29.9 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744303022
0.22 µH, 0.18 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.18 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%34.5 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081022
0.22 µH, 0.2 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.2 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 139.1 A
Sättigungsstrom @ 30%48.4 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744304022
0.22 µH, 0.16 µH, 24 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.16 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom 122.1 A
Sättigungsstrom @ 30%27.7 A
Gleichstromwiderstand0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744305022
0.22 µH, 0.215 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.215 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 139.9 A
Sättigungsstrom @ 30%42 A
Gleichstromwiderstand0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz36 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443082022
0.22 µH, 0.154 µH, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.154 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 152.7 A
Sättigungsstrom @ 30%59.3 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431435022
0.22 µH, 0.211 µH, 31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.211 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom 137.6 A
Sättigungsstrom @ 30%43 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744300022
0.22 µH, 0.024 µH, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nenninduktivität0.024 µH
Nennstrom37 A
Sättigungsstrom 118.8 A
Sättigungsstrom @ 30%21.6 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744308025
0.25 µH, 0.246 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nenninduktivität0.246 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 141.6 A
Sättigungsstrom @ 30%46.5 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744306025
0.25 µH, 0.24 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nenninduktivität0.24 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 130.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32.3 A
Gleichstromwiderstand0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744301025
0.25 µH, 0.25 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nenninduktivität0.25 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 154.4 A
Sättigungsstrom @ 30%64.7 A
Gleichstromwiderstand0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744309025
0.25 µH, 0.245 µH, 47.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nenninduktivität0.245 µH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081030
0.3 µH, 0.14 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.3 µH
Nenninduktivität0.14 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 128.9 A
Sättigungsstrom @ 30%34.6 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744306030
0.3 µH, 0.22 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.3 µH
Nenninduktivität0.22 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 122.2 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744308033
0.33 µH, 0.305 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nenninduktivität0.305 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744301033
0.33 µH, 0.325 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nenninduktivität0.325 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 144.9 A
Sättigungsstrom @ 30%48.9 A
Gleichstromwiderstand0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744305033
0.33 µH, 0.27 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nenninduktivität0.27 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 123.6 A
Sättigungsstrom @ 30%27.7 A
Gleichstromwiderstand0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744309033
0.33 µH, 0.31 µH, 47.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nenninduktivität0.31 µH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 158 A
Sättigungsstrom @ 30%65.7 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744308040
0.4 µH, 0.345 µH, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.4 µH
Nenninduktivität0.345 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 123.8 A
Sättigungsstrom @ 30%28.3 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443081040
0.4 µH, 0.05 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.4 µH
Nenninduktivität0.05 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 120.1 A
Sättigungsstrom @ 30%24.1 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744305040
0.4 µH, 0.1 µH, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.4 µH
Nenninduktivität0.1 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom 116.8 A
Sättigungsstrom @ 30%21.7 A
Gleichstromwiderstand0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744301047
0.47 µH, 0.24 µH, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nenninduktivität0.24 µH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 132.1 A
Sättigungsstrom @ 30%36.1 A
Gleichstromwiderstand0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
744309047
0.47 µH, 0.2 µH, 47.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nenninduktivität0.2 µH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 135.1 A
Sättigungsstrom @ 30%46.8 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443091062
0.62 µH, 0.62 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.62 µH
Nenninduktivität0.62 µH
Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 168.4 A
Sättigungsstrom @ 30%74 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443091080
0.8 µH, 0.78 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.8 µH
Nenninduktivität0.78 µH
Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 153.1 A
Sättigungsstrom @ 30%58.5 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
74431821100
1 µH, 0.1 µH, 23 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nenninduktivität0.1 µH
Nennstrom23 A
Sättigungsstrom 16.6 A
Sättigungsstrom @ 30%9.3 A
Gleichstromwiderstand0.33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443091100
1 µH, 0.95 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nenninduktivität0.95 µH
Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 138.5 A
Sättigungsstrom @ 30%43.5 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443091120
1.2 µH, 1.02 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nenninduktivität1.02 µH
Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 132.2 A
Sättigungsstrom @ 30%38.3 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit
7443091150
1.5 µH, 0.18 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nenninduktivität0.18 µH
Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 122.5 A
Sättigungsstrom @ 30%27.1 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
MaterialMnZn 
Design Kit

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Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

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Wie man den richtigen Spulentyp (Induktor) auswählt?!

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Webinar: Definition der Bauteilerwärmung von Speicherinduktivitäten in Schaltreglern