Design Kit Single Inductor High Voltage WE-PD HV, WE-PD2 HV, WE-TI HV
Artikel Nr. 768771
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand1450 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz | Bauform1060 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.97 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom0.97 A | Sättigungsstrom1.4 A | Gleichstromwiderstand800 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand3200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | Bauform7345 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.25 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom0.25 A | Sättigungsstrom0.35 A | Gleichstromwiderstand3500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz4.9 MHz | Bauform7332 | ||||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 470 µH, 0.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand1320 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | Bauform8095 | ||||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 470 µH, 1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität470 µH | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand540 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | Bauform1014 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.55 A | Sättigungsstrom0.61 A | Gleichstromwiderstand2250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | Bauform1060 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom1.2 A | Gleichstromwiderstand1150 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.5 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand4000 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.8 MHz | Bauform7345 | ||||
| WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.38 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.38 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand2400 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz | Bauform7850 | |||
768774268 | –, 680 µH, 0.2 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie – | Induktivität680 µH | Nennstrom0.2 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand4800 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | Bauform5848 | ||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 680 µH, 0.52 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.52 A | Sättigungsstrom0.76 A | Gleichstromwiderstand1680 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | Bauform8095 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.22 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität680 µH | Nennstrom0.22 A | Sättigungsstrom0.26 A | Gleichstromwiderstand5200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3.5 MHz | Bauform7332 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.4 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand3200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.7 MHz | Bauform1060 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.72 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.72 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand1400 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.24 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.24 A | Sättigungsstrom0.25 A | Gleichstromwiderstand6000 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz | Bauform7345 | ||||
| WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.3 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand3300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.4 MHz | Bauform7850 | |||
| WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.38 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.38 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand2600 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | Bauform1054 | |||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1000 µH, 0.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand2080 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.8 MHz | Bauform8095 | ||||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1000 µH, 0.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand1200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.3 MHz | Bauform1014 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.17 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.17 A | Sättigungsstrom0.2 A | Gleichstromwiderstand9000 mΩ | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | Bauform7332 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, 0.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1500 µH | Nennstrom0.32 A | Sättigungsstrom0.46 A | Gleichstromwiderstand4600 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | Bauform1060 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, 0.52 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1500 µH | Nennstrom0.52 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand2200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1800 µH, 0.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität1800 µH | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand3500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | Bauform8095 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.26 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität2200 µH | Nennstrom0.26 A | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand6500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | Bauform1060 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.43 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität2200 µH | Nennstrom0.43 A | Sättigungsstrom0.65 A | Gleichstromwiderstand3700 mΩ | Eigenresonanzfrequenz0.8 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.18 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität2200 µH | Nennstrom0.18 A | Sättigungsstrom0.26 A | Gleichstromwiderstand5300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.3 MHz | Bauform1054 | |||
| WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 2200 µH, 0.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Induktivität2200 µH | Nennstrom0.32 A | Sättigungsstrom0.32 A | Gleichstromwiderstand4730 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | Bauform8095 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 3300 µH, 0.37 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität3300 µH | Nennstrom0.37 A | Sättigungsstrom0.52 A | Gleichstromwiderstand5200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz0.6 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 4700 µH, 0.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität4700 µH | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.48 A | Gleichstromwiderstand7800 mΩ | Eigenresonanzfrequenz0.5 MHz | Bauform1210 | ||||
768741471 | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie – | – | – | – | – | – | – |