WE-RFH Ferrit-SMT-Induktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
1008A
2.6 2.1 1.7 SMT

Merkmale

  • Hohe thermische Stabilität
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Hohe Induktivitätswerte
  • Hohe Ströme
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +85 °C

Anwendung

  • Speziell entwickelt für HF-Anwendungen
  • Ideal für Applikationen der Telekommunikation

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Simu­lation
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Status
L(µH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(Ω)
IR(mA)
fres(MHz)
Muster
744758247A
0.47 µH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.18 Ω
Nennstrom470 mA
Eigenresonanzfrequenz450 MHz
744758256A
0.56 µH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.33 Ω
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz415 MHz
744758268A
0.68 µH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte40 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz375 MHz
744758282A
0.82 µH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte40 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
744758310A
1 µH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte33 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom370 mA
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
744758312A
1.2 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Nennstrom760 mA
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
744758315A
1.5 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom630 mA
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
744758318A
1.8 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom630 mA
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
744758322A
2.2 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.1 Ω
Nennstrom520 mA
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
744758327A
2.7 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.1 Ω
Nennstrom520 mA
Eigenresonanzfrequenz135 MHz
744758333A
3.3 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.35 Ω
Nennstrom460 mA
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
744758339A
3.9 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
744758347A
4.7 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.65 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
744758356A
5.6 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Nennstrom370 mA
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
744758368A
6.8 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom360 mA
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
744758382A
8.2 µH, ±5%, 7.96 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±5% 
Induktivität7.96 MHz 
Güte20 
Güte7.96 MHz 
Gleichstromwiderstand2.6 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
744758410A
10 µH, ±5%, 2.52 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±5% 
Induktivität2.52 MHz 
Güte15 
Güte2.52 MHz 
Gleichstromwiderstand2.8 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz40 MHz

Würth Elektronik bietet mehrere Produktserien mit unterschiedlicher Aufbautechnologie an

HF Induktivitäten Auswahlhilfe

WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI SMT Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 1800 nH
  • Hohe Güte Q
  • Bis zu 12,5 GHz Eigenresonanzfrequenz
  • Bis zu ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
WE-KI HC Hochstrom Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI HC Hochstrom-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 390 nH
  • Ausgezeichneter Q-Faktor
  • Hochstrom bis zu 2,3 A
  • ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kit verfügbar
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 470 nH
  • Extrem kleine Bauform (bis zu 0201)
  • Bis zu ±2% (oder ±0,1 nH) Induktivitätstoleranz
  • Robuste Struktur
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-CAIR Luftspulen
WE-CAIR Luftspulen
  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis zu 538 nH
  • Extrem hohe Güte Q
  • Hochstrom bis zu 4 A
  • Hohe Eingenresonanzfrequenz 
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 27 nH
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Enge Toleranz von 2% (1% auf Anfrage) oder ± 0,1
  • Sehr geringe Größe (bis zu 0201)
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
  • Hohe Induktivitätswerte von 20 nH bis zu 47 µH verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Größen: 0402 bis 1008
  • Design Kit verfügbar

Was ist der Gütefaktor Q?

Was ist der Gütefaktor Q?

Der Gütefaktor Q ist ein entscheidender Parameter und eines der ersten Kriterien, die jeder HF-Ingenieur berücksichtigen sollte. Der Q-Faktor wird entweder als Mindestwert oder als typischer Wert bei einem bestimmten Frequenzpunkt angegeben. Bei Würth Elektronik wird der Q-Faktor als Mindestwert angegeben, um den Kunden ein zuverlässiges Mindestniveau zu garantieren.

Grundsätzlich ist der Q-Faktor das Verhältnis zwischen dem induktiven Blindwiderstand XL und den Verlusten RS und ist ein Indikator dafür, wie ideal eine Induktivität ist. Bei Induktivitäten mit Luft- oder Keramikkernen ist der Widerstand RS hauptsächlich auf den spezifischen Widerstand des Leiters in der Induktionsvorrichtung zurückzuführen. Ein höherer Q-Faktor bedeutet weniger Verluste in der Komponente.

RF Inductors Factor Frequency

Eigenresonanzfrequenz

Eigenresonanzfrequenz

Da die Wicklungsstruktur jeder Drahtspule eine gewisse Kapazität aufweist, stellt die Induktivität einen Parallelschwingkreis dar, der eine entsprechende Eigenresonanzfrequenz (SRF, self resonance frequency) aufweist. Wie bei herkömmlichen Induktivitäten gibt die SRF an, bis zu welcher Frequenz sich das Bauelement wie eine Induktivität verhält.

Genau bei der SRF verhält sich die Induktivität mit ihrer parasitären Kapazität wie ein Resonanzkreis mit einer nahezu unendlich hohen Impedanz, nur Schaltungsverluste begrenzen den hohen Wert der Impedanz. Jenseits der SRF verhält sich das Bauelement wie ein Kondensator.

Bei EMV-Filterapplikationen, in denen Induktivitäten verwendet werden, erfolgt die beste Signaldämpfung kurz unterhalb der SRF, wo die Impedanz sehr hoch ist und somit die Dämpfung ihr Maximum erreicht.

Bei Signal-Filter- oder Impedanzanpassungs-Anwendungen ist es wichtiger, eine konstante Induktivität im relevanten Frequenzbereich zu haben, was bedeutet, dass die SRF der Induktivität weit oberhalb der Betriebsfrequenz der Schaltung liegen sollte.

RF Inductors Eigenfrequenzresonanz

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Der Nennstrom wird als maximaler Gleichstrom (A oder mA) angegeben, der einen bestimmten Temperaturanstieg verursacht (z.B. ΔT = 40 K). Der Temperaturanstieg plus die Umgebungstemperatur darf die maximale Betriebstemperatur nicht überschreiten. Für Hochstromanwendungen wählen Sie bitte die spezifischen Luftspulen: WE-KI HC, WE-ACHC und WE-CAIR.

RF Inductors Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

Mit Hilfe des Smith-Diagramms kann die komplexe Impedanz des Antennenspeisepunkts, bestehend aus Widerstands- und Blindwerten, grafisch dargestellt werden. Bei einer angepassten Antenne liegt die Impedanz bei der Betriebsfrequenz nahe der Mitte des Smith-Diagramms und damit nahe der Impedanz von 50 Ω. Dies kann durch den Einsatz von HF-Induktivitäten und HF-Kondensatoren erreicht werden. Ein pi-Anpassungsnetzwerk ist für diesen Zweck besonders nützlich, da es flexibel für die Antennenanpassung von fast jeder anderen Impedanz verwendet werden kann. In der Praxis funktioniert die Antennenanpassung in mehreren Schritten.

Zusätzlich zu den WE-MCA Antennen bieten wir unseren Kunden einen entwicklungsbegleitenden Antennenservice an. Wir unterstützen von der Antennenauswahl über die Antennenplatzierung bis hin zur Antennenanpassung.

Webseite: www.we-online.com/antennamatching

E-Mail: antenna.matching@we-online.com

Wir bieten auch ein Antennenanpassungs-Design-Kit an, das alle Komponenten enthält, die für Ihre Antennenanpassung benötigt werden. Dieses Design-Kit mit der Bestellnummer 748001 enthält Chip-Antennen WE-MCA, keramische Multilayer-Induktivitäten WE-MK in der Größe 0402, Hochfrequenz-Chipkondensatoren WCAP-CSRF in der Größe 0402 und HF-Koaxialkabel WR-CXARY für Frequenzen bis zu 18 GHz.

RF Inductors HF-Induktivitäten und Antennenanpassung