WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage)
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
7332
7.3 7.3 3.2 SMT
7345
7.3 7.3 4.5 SMT
NEU1040
10 10 4 -
1060
10 10 6 SMT
1210
12 12 10.5 SMT

Merkmale

  • Geschirmte Bauform für optimalen Wicklungsschutz
  • Betriebstemperatur: -40°C - 125°C
  • Magnetisch geschirmt
  • Entwickelt für 400VDC Anwendungen

Anwendung

  • potentialgebundene Buck / Boost converter wie z.B. von Power Integrations LinkSwitch-TN
  • Konstantstromansteuerung für LED Applikationen
  • Zählwerterfassungssysteme
  • EMV Filter für Spannungsversorgungen

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7332
7345
1040
1060
1210
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Simu­lation
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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Design Kit
Muster
7687779470
47 µH, 1 A, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand280 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11.3 MHz
Design Kit
7687714470
47 µH, 1.7 A, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1.7 A
Sättigungsstrom2.3 A
Gleichstromwiderstand156 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10.2 MHz
Design Kit
7687714221
220 µH, 0.95 A, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.95 A
Sättigungsstrom1.15 A
Gleichstromwiderstand680 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.9 MHz
Design Kit
7687709221
220 µH, 1.3 A, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom2 A
Gleichstromwiderstand350 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.2 MHz
Design Kit
7687779221
220 µH, 0.56 A, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.56 A
Sättigungsstrom0.5 A
Gleichstromwiderstand1300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz4.9 MHz
Design Kit
7687714471
470 µH, 0.6 A, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand1450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz
Design Kit
7687709471
470 µH, 0.97 A, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.97 A
Sättigungsstrom1.4 A
Gleichstromwiderstand800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz
Design Kit
7687779471
470 µH, 0.35 A, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.35 A
Sättigungsstrom0.37 A
Gleichstromwiderstand3200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3 MHz
Design Kit
7687789471
470 µH, 0.25 A, 0.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.25 A
Sättigungsstrom0.35 A
Gleichstromwiderstand3500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz4.9 MHz
Design Kit
7687779561
560 µH, 0.33 A, 0.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität560 µH
Nennstrom0.33 A
Sättigungsstrom0.35 A
Gleichstromwiderstand3600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.9 MHz
Design Kit
7687714681
680 µH, 0.55 A, 0.61 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.55 A
Sättigungsstrom0.61 A
Gleichstromwiderstand2250 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2 MHz
Design Kit
7687709681
680 µH, 0.8 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom1.2 A
Gleichstromwiderstand1150 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.5 MHz
Design Kit
7687779681
680 µH, 0.3 A, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.3 A
Sättigungsstrom0.3 A
Gleichstromwiderstand4000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.8 MHz
Design Kit
7687789681
680 µH, 0.22 A, 0.26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.22 A
Sättigungsstrom0.26 A
Gleichstromwiderstand5200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.5 MHz
Design Kit
7687709821
820 µH, 0.76 A, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 µH
Nennstrom0.76 A
Sättigungsstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand1250 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz
Design Kit
7687789821
820 µH, 0.18 A, 0.23 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 µH
Nennstrom0.18 A
Sättigungsstrom0.23 A
Gleichstromwiderstand8200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.3 MHz
Design Kit
7687719821
820 µH, –, 0.4 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 µH
Sättigungsstrom0.4 A
Gleichstromwiderstand2600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz
Design Kit
7687714102
1000 µH, 0.4 A, 0.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.4 A
Sättigungsstrom0.55 A
Gleichstromwiderstand3200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.7 MHz
Design Kit
7687709102
1000 µH, 0.72 A, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.72 A
Sättigungsstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand1400 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz
Design Kit
7687779102
1000 µH, 0.24 A, 0.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.24 A
Sättigungsstrom0.25 A
Gleichstromwiderstand6000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz
Design Kit
7687789102
1000 µH, 0.17 A, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.17 A
Sättigungsstrom0.2 A
Gleichstromwiderstand9000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz
Design Kit
7687719102
1000 µH, –, 0.37 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Sättigungsstrom0.37 A
Gleichstromwiderstand2900 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz
Design Kit
7687714152
1500 µH, 0.32 A, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1500 µH
Nennstrom0.32 A
Sättigungsstrom0.46 A
Gleichstromwiderstand4600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz
Design Kit
7687709152
1500 µH, 0.52 A, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1500 µH
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand2200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz
Design Kit
7687714222
2200 µH, 0.26 A, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2200 µH
Nennstrom0.26 A
Sättigungsstrom0.37 A
Gleichstromwiderstand6500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz
Design Kit
7687709222
2200 µH, 0.43 A, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2200 µH
Nennstrom0.43 A
Sättigungsstrom0.65 A
Gleichstromwiderstand3700 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.8 MHz
Design Kit
7687709332
3300 µH, 0.37 A, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3300 µH
Nennstrom0.37 A
Sättigungsstrom0.52 A
Gleichstromwiderstand5200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.6 MHz
Design Kit
7687709472
4700 µH, 0.3 A, 0.48 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4700 µH
Nennstrom0.3 A
Sättigungsstrom0.48 A
Gleichstromwiderstand7800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.5 MHz
Design Kit
7687709682
6800 µH, 0.28 A, 0.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6800 µH
Nennstrom0.28 A
Sättigungsstrom0.38 A
Gleichstromwiderstand9600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.45 MHz
Design Kit

REDEXPERT-Verlustsimulation

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REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

Bemerkungen

  • Die Umgebungstemperatur beim Betrieb der Speicherdrosseln der Serie WE-PD HV bei voller Nennstrombelastung darf standardmäßig von –40 °C bis zu +85 °C betragen.
  • >
  • Bei höheren Umgebungstemperaturen muss die Eigenerwärmung des Bauteils beachtet werden, um die zulässige Lötstellentemperatur nicht zu überschreiten, bzw. die Isolation des Drahtes zu beschädigen.
  • >
  • Der verwendete Draht weist eine Temperaturbeständigkeit bis zu +180 °C auf.
  • >
  • Der Ferritkern selbst ist über einen viel größeren Temperaturbereich (ca. –50 °C bis +250 °C (Curietemperatur)) einsetzbar.
  • >
  • Allerdings können hier aufgrund der temperaturabhängigen Permeabilität die Toleranzgrenzen der Induktivität verlassen werden.
  • >

Videos

Wie man den richtigen Spulentyp (Induktor) auswählt?!