744032001
1 µH, 0.75 A, 3.2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 0.75 A
Sättigungsstrom 3.2 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
Güte 20 %
744045001
1 µH, 1.8 A, 4.4 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 4.4 A
Gleichstromwiderstand 0.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz 165 MHz
Güte 40 %
7440320015
1.5 µH, 0.66 A, 2.1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 0.66 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Gleichstromwiderstand 0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 75 MHz
Güte 20 %
7440450015
1.5 µH, 1.75 A, 4 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 4 A
Gleichstromwiderstand 0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz 130 MHz
Güte 42 %
7440320018
1.8 µH, 0.64 A, 2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 0.64 A
Sättigungsstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 60 MHz
Güte 20 %
7440450018
1.8 µH, 1.7 A, 3.5 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 1.7 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
Güte 45 %
744032002
2.2 µH, 0.62 A, 1.8 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 0.62 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Gleichstromwiderstand 0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 50 MHz
Güte 20 %
744045002
2.2 µH, 1.6 A, 2.75 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.75 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 80 MHz
Güte 40 %
7440320027
2.7 µH, 0.6 A, 1.6 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 43 MHz
Güte 20 %
7440450027
2.7 µH, 1.5 A, 2.7 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Gleichstromwiderstand 0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz 63 MHz
Güte 40 %
744032003
3.3 µH, 0.58 A, 1.5 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 0.58 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Güte 20 %
744045003
3.3 µH, 1.4 A, 2.7 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Gleichstromwiderstand 0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 58 MHz
Güte 45 %
7440320039
3.9 µH, 0.54 A, 1.35 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 0.54 A
Sättigungsstrom 1.35 A
Gleichstromwiderstand 0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 35 MHz
Güte 20 %
7440450039
3.9 µH, 1.32 A, 2.5 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 1.32 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 54 MHz
Güte 40 %
744032004
4.7 µH, 0.49 A, 1.25 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 0.49 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Gleichstromwiderstand 0.28 Ω
Eigenresonanzfrequenz 31 MHz
Güte 20 %
744045004
4.7 µH, 1.24 A, 2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.24 A
Sättigungsstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Güte 36 %
7440320056
5.6 µH, 0.44 A, 1.15 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 0.44 A
Sättigungsstrom 1.15 A
Gleichstromwiderstand 0.36 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Güte 20 %
7440450056
5.6 µH, 1.18 A, 1.9 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 1.18 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 41 MHz
Güte 36 %
744032006
6.8 µH, 0.42 A, 1.1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.42 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Güte 20 %
744045006
6.8 µH, 1.1 A, 1.6 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Güte 36 %
744032008
8.2 µH, 0.39 A, 0.95 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 0.39 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Güte 20 %
744045008
8.2 µH, 1 A, 1.6 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 34 MHz
Güte 36 %
744032100
10 µH, 0.32 A, 0.85 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Gleichstromwiderstand 0.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Güte 35 %
744045100
10 µH, 0.95 A, 1.5 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 30 MHz
Güte 48 %
744032120
12 µH, 0.29 A, 0.78 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 0.29 A
Sättigungsstrom 0.78 A
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Güte 35 %
744045120
12 µH, 0.8 A, 1.4 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Gleichstromwiderstand 0.42 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Güte 48 %
744032150
15 µH, 0.27 A, 0.7 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.27 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Gleichstromwiderstand 1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Güte 35 %
744045150
15 µH, 0.73 A, 1.24 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.73 A
Sättigungsstrom 1.24 A
Gleichstromwiderstand 0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 26 MHz
Güte 45 %
744032180
18 µH, 0.24 A, 0.65 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 0.24 A
Sättigungsstrom 0.65 A
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Güte 35 %
744045180
18 µH, 0.68 A, 1.1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 0.68 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Güte 42 %
744032220
22 µH, 0.22 A, 0.6 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.22 A
Sättigungsstrom 0.6 A
Gleichstromwiderstand 1.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Güte 35 %
744045220
22 µH, 0.63 A, 1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.63 A
Sättigungsstrom 1 A
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Güte 50 %
744045330
33 µH, 0.43 A, 0.85 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Güte 55 %
Design Kit –
744045470
47 µH, 0.39 A, 0.73 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.39 A
Sättigungsstrom 0.73 A
Gleichstromwiderstand 1.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Güte 55 %
Design Kit –
744032470
47 µH, 0.146 A, 0.4 A Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.146 A
Sättigungsstrom 0.4 A
Gleichstromwiderstand 3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Güte 40 %
Design Kit –
744032680
68 µH, 0.13 A, 0.3 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.13 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 3.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Güte 35 %
744045680
68 µH, 0.33 A, 0.61 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.33 A
Sättigungsstrom 0.61 A
Gleichstromwiderstand 2.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Güte 55 %
Design Kit –
744045820
82 µH, 0.3 A, 0.57 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.57 A
Gleichstromwiderstand 2.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Güte 55 %
Design Kit –
744032101
100 µH, 0.1 A, 0.25 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.1 A
Sättigungsstrom 0.25 A
Gleichstromwiderstand 6.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Güte 40 %
744045210
100 µH, 0.27 A, 0.45 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.27 A
Sättigungsstrom 0.45 A
Gleichstromwiderstand 2.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Güte 60 %
Design Kit –
744032121
120 µH, 0.095 A, 0.18 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.095 A
Sättigungsstrom 0.18 A
Gleichstromwiderstand 7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Güte 40 %
744045215
150 µH, 0.22 A, 0.42 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.22 A
Sättigungsstrom 0.42 A
Gleichstromwiderstand 3.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Güte 55 %
Design Kit –
744032221
220 µH, 0.075 A, 0.24 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.075 A
Sättigungsstrom 0.24 A
Gleichstromwiderstand 11.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Güte 40 %
Design Kit –
744032331
330 µH, 0.065 A, 0.18 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.065 A
Sättigungsstrom 0.18 A
Gleichstromwiderstand 16.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Güte 40 %
Design Kit –
744045391
390 µH, 0.11 A, 0.27 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 390 µH
Nennstrom 0.11 A
Sättigungsstrom 0.27 A
Gleichstromwiderstand 13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Güte 50 %
Design Kit –
744032471
470 µH, 0.055 A, 0.12 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.055 A
Sättigungsstrom 0.12 A
Gleichstromwiderstand 25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Güte 46 %
Design Kit –
744045471
470 µH, 0.105 A, 0.18 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.105 A
Sättigungsstrom 0.18 A
Gleichstromwiderstand 14.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Güte 50 %
Design Kit –
744045681
680 µH, 0.09 A, 0.2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.09 A
Sättigungsstrom 0.2 A
Gleichstromwiderstand 16.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Güte 45 %
Design Kit –
744045821
820 µH, 0.085 A, 0.15 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 820 µH
Nennstrom 0.085 A
Sättigungsstrom 0.15 A
Gleichstromwiderstand 20 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Güte 50 %
Design Kit –
744045102
1000 µH, 0.07 A, 0.16 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.07 A
Sättigungsstrom 0.16 A
Gleichstromwiderstand 30 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Güte 28 %
Design Kit –
744045152
1500 µH, 0.055 A, 0.095 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1500 µH
Nennstrom 0.055 A
Sättigungsstrom 0.095 A
Gleichstromwiderstand 38.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Güte 35 %
Design Kit –
744045222
2200 µH, 0.04 A, 0.078 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.04 A
Sättigungsstrom 0.078 A
Gleichstromwiderstand 47 Ω
Eigenresonanzfrequenz 1 MHz
Güte 30 %
Design Kit –
