Design Kit WE-HEPC SMT Power Induktivität

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Artikel Nr. 7440801

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  • DC/DC-Wandler
  • Kompakte Designs
  • Embedded Laptops und PCs
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L(µH)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Muster
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 3.3 µH, 2 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 4.7 µH, 2 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2 A
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 4.7 µH, 1.4 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.4 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 6.8 µH, 1.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.8 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 6.8 µH, 1.3 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 10 µH, 1.35 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.35 A
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 10 µH, 1.2 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.2 A
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 15 µH, 1.2 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.2 A
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 15 µH, 1.1 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 22 µH, 1 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1 A
Gleichstromwiderstand220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 22 µH, 0.9 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand270 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform5030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 33 µH, 0.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand415 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 33 µH, 0.9 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand285 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 47 µH, 0.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.8 A
Gleichstromwiderstand385 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 68 µH, 0.6 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.6 A
Gleichstromwiderstand535 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
Bauform6030 
WE-HEPC SMT Power Induktivität, 100 µH, 0.5 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.5 A
Gleichstromwiderstand850 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
Bauform6030