Design Kit WE-PD Performance Size 1260, 1280
Artikel Nr. 7447706
Merkmale
- AEC-Q 200 qualifiziert
- Sehr geringer RDC und RAC
- Höchstmöglicher Sättigungsstrom auf Ferritbasis
- Geeignet für Schalfrequenzen bis 10 MHz
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C / +150 °C
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Produktserie
|
L
(µH)
|
IR
(A)
|
ISAT
(A)
|
RDC max.
(mΩ)
|
fres
(MHz)
|
Bauform
|
Muster
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 11.5 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom
11.5 A
|
Sättigungsstrom
20 A
|
Gleichstromwiderstand
7 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
50.5 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 12 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom
12 A
|
Sättigungsstrom
24 A
|
Gleichstromwiderstand
5.5 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
49.2 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 10.2 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom
10.2 A
|
Sättigungsstrom
16.5 A
|
Gleichstromwiderstand
8.5 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
40.2 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 11 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom
11 A
|
Sättigungsstrom
20.5 A
|
Gleichstromwiderstand
6.8 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
41.7 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9.2 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom
9.2 A
|
Sättigungsstrom
13.5 A
|
Gleichstromwiderstand
10 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
32.2 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9.4 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom
9.4 A
|
Sättigungsstrom
17.5 A
|
Gleichstromwiderstand
9 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
32.3 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8.1 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom
8.1 A
|
Sättigungsstrom
11.5 A
|
Gleichstromwiderstand
12 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
27.4 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8.5 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom
8.5 A
|
Sättigungsstrom
15.5 A
|
Gleichstromwiderstand
10 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
28.8 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
6.2 µH
|
Nennstrom
7 A
|
Sättigungsstrom
10 A
|
Gleichstromwiderstand
15 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
22.5 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 6.8 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom
6.8 A
|
Sättigungsstrom
13 A
|
Gleichstromwiderstand
14 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
19.1 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.8 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom
5.8 A
|
Sättigungsstrom
7.8 A
|
Gleichstromwiderstand
20 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
17.6 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.6 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom
5.6 A
|
Sättigungsstrom
11 A
|
Gleichstromwiderstand
21 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
15.1 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
15 µH
|
Nennstrom
4.7 A
|
Sättigungsstrom
6.4 A
|
Gleichstromwiderstand
28 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
13.9 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
15 µH
|
Nennstrom
4.7 A
|
Sättigungsstrom
9 A
|
Gleichstromwiderstand
26.5 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
13.2 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3.7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
22 µH
|
Nennstrom
3.7 A
|
Sättigungsstrom
5.2 A
|
Gleichstromwiderstand
41 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
11 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 4 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
22 µH
|
Nennstrom
4 A
|
Sättigungsstrom
7.4 A
|
Gleichstromwiderstand
36 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
10.2 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
33 µH
|
Nennstrom
3 A
|
Sättigungsstrom
4.2 A
|
Gleichstromwiderstand
60 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
9.2 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3.15 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
33 µH
|
Nennstrom
3.15 A
|
Sättigungsstrom
6.1 A
|
Gleichstromwiderstand
53 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
8.3 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
47 µH
|
Nennstrom
2.7 A
|
Sättigungsstrom
3.6 A
|
Gleichstromwiderstand
72 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
7.5 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.9 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
47 µH
|
Nennstrom
2.9 A
|
Sättigungsstrom
5.1 A
|
Gleichstromwiderstand
63 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
7.2 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 2.3 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
68 µH
|
Nennstrom
2.3 A
|
Sättigungsstrom
3 A
|
Gleichstromwiderstand
97 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
6.5 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 2.45 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
68 µH
|
Nennstrom
2.45 A
|
Sättigungsstrom
4.2 A
|
Gleichstromwiderstand
90 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
5.5 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.9 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
100 µH
|
Nennstrom
1.9 A
|
Sättigungsstrom
2.5 A
|
Gleichstromwiderstand
140 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
5.2 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 2.1 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
100 µH
|
Nennstrom
2.1 A
|
Sättigungsstrom
3.5 A
|
Gleichstromwiderstand
120 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
4.3 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.55 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
150 µH
|
Nennstrom
1.55 A
|
Sättigungsstrom
2 A
|
Gleichstromwiderstand
200 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
4.2 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.65 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
150 µH
|
Nennstrom
1.65 A
|
Sättigungsstrom
2.8 A
|
Gleichstromwiderstand
190 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
3.5 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1.25 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
220 µH
|
Nennstrom
1.25 A
|
Sättigungsstrom
1.7 A
|
Gleichstromwiderstand
310 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
3.3 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1.35 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
220 µH
|
Nennstrom
1.35 A
|
Sättigungsstrom
2.35 A
|
Gleichstromwiderstand
265 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
2.9 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 1.05 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
330 µH
|
Nennstrom
1.05 A
|
Sättigungsstrom
1.4 A
|
Gleichstromwiderstand
450 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
2.6 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 1.08 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
330 µH
|
Nennstrom
1.08 A
|
Sättigungsstrom
1.9 A
|
Gleichstromwiderstand
410 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
2.1 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.86 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
470 µH
|
Nennstrom
0.86 A
|
Sättigungsstrom
1.15 A
|
Gleichstromwiderstand
610 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
2.3 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.93 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
470 µH
|
Nennstrom
0.93 A
|
Sättigungsstrom
1.6 A
|
Gleichstromwiderstand
540 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
1.9 MHz
|
Bauform
1280
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.6 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
1000 µH
|
Nennstrom
0.6 A
|
Sättigungsstrom
0.8 A
|
Gleichstromwiderstand
1250 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
1.45 MHz
|
Bauform
1260
|
|
|||
| WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-PD SMT-Speicherdrossel
|
Induktivität
1000 µH
|
–
|
–
|
Gleichstromwiderstand
1090 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
1.2 MHz
|
Bauform
1280
|
|