Merkmale

  • AEC-Q 200 qualifiziert
  • Sehr geringer RDC und RAC
  • Höchstmöglicher Sättigungsstrom auf Ferritbasis
  • Geeignet für Schalfrequenzen bis 10 MHz
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C / +150 °C

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
RDC max. (mΩ)
fres (MHz)
Bauform
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 11.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 11.5 A
Sättigungsstrom 20 A
Gleichstromwiderstand 7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 50.5 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 12 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 12 A
Sättigungsstrom 24 A
Gleichstromwiderstand 5.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 49.2 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 10.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 10.2 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Gleichstromwiderstand 8.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 40.2 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 11 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 11 A
Sättigungsstrom 20.5 A
Gleichstromwiderstand 6.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 41.7 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 9.2 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Gleichstromwiderstand 10 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 32.2 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 9.4 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Gleichstromwiderstand 9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 32.3 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 8.1 A
Sättigungsstrom 11.5 A
Gleichstromwiderstand 12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 27.4 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Gleichstromwiderstand 10 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28.8 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Nennstrom 7 A
Sättigungsstrom 10 A
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22.5 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 6.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 6.8 A
Sättigungsstrom 13 A
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 19.1 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 5.8 A
Sättigungsstrom 7.8 A
Gleichstromwiderstand 20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 17.6 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 5.6 A
Sättigungsstrom 11 A
Gleichstromwiderstand 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 15.1 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 4.7 A
Sättigungsstrom 6.4 A
Gleichstromwiderstand 28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13.9 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 4.7 A
Sättigungsstrom 9 A
Gleichstromwiderstand 26.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13.2 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 3.7 A
Sättigungsstrom 5.2 A
Gleichstromwiderstand 41 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 7.4 A
Gleichstromwiderstand 36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 10.2 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 4.2 A
Gleichstromwiderstand 60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 9.2 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 3.15 A
Sättigungsstrom 6.1 A
Gleichstromwiderstand 53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8.3 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 2.7 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Gleichstromwiderstand 72 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.5 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 2.9 A
Sättigungsstrom 5.1 A
Gleichstromwiderstand 63 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.2 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 2.3 A
Sättigungsstrom 3 A
Gleichstromwiderstand 97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6.5 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 2.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 2.45 A
Sättigungsstrom 4.2 A
Gleichstromwiderstand 90 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.5 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.2 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 2.1 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.3 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 1.55 A
Sättigungsstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.2 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 1.65 A
Sättigungsstrom 2.8 A
Gleichstromwiderstand 190 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.5 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Gleichstromwiderstand 310 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.3 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 2.35 A
Gleichstromwiderstand 265 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.9 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 1.05 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 1.05 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Gleichstromwiderstand 450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.6 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 1.08 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 1.08 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Gleichstromwiderstand 410 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.1 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.86 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.86 A
Sättigungsstrom 1.15 A
Gleichstromwiderstand 610 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.3 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.93 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.93 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 540 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.9 MHz
Bauform 1280 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.8 A
Gleichstromwiderstand 1250 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.45 MHz
Bauform 1260 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Gleichstromwiderstand 1090 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.2 MHz
Bauform 1280