| Topologie | FPGA |
| IC-Revision | 01 |
ONLY:BOM IS AVAILABLE
Artikel Nr. | Datenblatt | Ersatzartikel | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | Montageart | RDC max.(mΩ) | Material | Version | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Qmin. | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.79 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite10.6 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand5.269 mΩ | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom19.4 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%21 A | – | Nenninduktivität0.55 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz108 MHz | – | Höhe9.5 mm | Breite11.4 mm | Nennstrom26 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand1.85 mΩ | MaterialFerrite | VersionSMT | Performance Nennstrom40.2 A | Sättigungsstrom 135.8 A | Sättigungsstrom @ 30%39.1 A | – | Nenninduktivität0.66 µH | ||||
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 1 µH, 1450 mA | 74479787210A 74479887210A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität1 µH | Nennstrom 11450 mA | Nennstrom 21950 mA | Sättigungsstrom1150 mA | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand75 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | Güte [1]23 | – | – | |
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | – | Nenninduktivität0.78 µH | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.2 µH | – | – | Sättigungsstrom3000 mA | – | Eigenresonanzfrequenz180 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite2.8 mm | Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand42 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | – | – | Sättigungsstrom3600 mA | – | Eigenresonanzfrequenz64 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite4.8 mm | Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand36 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom125 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand390 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | Güte [1]27 | – | ||||
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität22 µH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite4.06 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand500 mΩ | – | – | Performance Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom 11.45 A | Sättigungsstrom @ 30%2.35 A | – | – |