IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (103)

Xilinx XCVU095-2FFVA2104EES9852 | Demoboard VCU108

Details

TopologieFPGA
IC-Revision01

Eigenschaften

ONLY:BOM IS AVAILABLE

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Ersatzartikel
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Qmin.
LR(µH)
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.269 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Nenninduktivität0.55 µH
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Nenninduktivität0.66 µH
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 1 µH, 1450 mA 74479787210A
74479887210A
Simu­lation
Downloads
Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom 11450 mA
Nennstrom 21950 mA
Sättigungsstrom1150 mA
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
TypLow RDC 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand75 mΩ
VersionSMT 
Güte [1]23 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Nenninduktivität0.78 µH
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Sättigungsstrom3000 mA
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom3600 mA
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom125 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
Güte [1]27 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A