IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (108)

Xilinx XCVU095-2FFVA2104EES9852 | Demoboard VCU108

Details

TopologieFPGA
IC-Revision01

Eigenschaften

ONLY:BOM IS AVAILABLE

Weiterführende Informationen

Von Xilinx freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Qmin.
LR(µH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.269 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Verpackungseinheit800 
–
Nenninduktivität0.55 µH
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
–
Nenninduktivität0.66 µH
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
–
Nenninduktivität0.78 µH
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
–
–
Sättigungsstrom3 A
–
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit550 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit3000 
Güte [1]27 
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
–
–
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen