IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (106)

Xilinx XCVU095-2FFVA2104EES9852 | Demoboard VCU108

Details

TopologieFPGA
IC-Revision01

Eigenschaften

ONLY:BOM IS AVAILABLE

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Qmin.
LR(µH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.269 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Verpackungseinheit800 
Nenninduktivität0.55 µH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
Nenninduktivität0.66 µH
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität0.78 µH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit550 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit500 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit3000 
Güte [1]27 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
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