| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 2015.1 |
The KCU1250 Characterization Kit provides everything you need to evaluate the 20 GTH 16.3Gbps transceivers available on the UltraScale™ XCKU040-FFVA1156 FPGA. Access to both the Integrated Bit Error Ratio Test (IBERT) demonstration and the Vivado® Design Suite enables quick evaluation of the industry leading GTH transceivers. Each GTH Quad and its associated reference clock are routed from the FPGA to the BullsEye connector pad thus enabling users to connect to a broad range of evaluation platforms, from backplanes and optical evaluation boards to high speed test equipment.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Material | LR(nH) | IR(A) | RDC max.(mΩ) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | – | Höhe9 mm | Breite13 mm | Performance Nennstrom76.6 A | Sättigungsstrom 175.6 A | Sättigungsstrom @ 30%88.5 A | MaterialMnZn | Nenninduktivität245 nH | Nennstrom47.5 A | – | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 680 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität680 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite4.06 mm | Performance Nennstrom7.3 A | Sättigungsstrom 17.1 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | – | – | – | Gleichstromwiderstand19 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1150 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand8.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz84 MHz | – | Höhe3 mm | Breite6.9 mm | Performance Nennstrom11.8 A | Sättigungsstrom 17.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | MaterialSuperflux | Nenninduktivität1000 nH | – | Gleichstromwiderstand9.46 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4300 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4300 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand14.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | – | Höhe4 mm | Breite10.2 mm | Performance Nennstrom10.9 A | Sättigungsstrom 13.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | MaterialWE-PERM | Nenninduktivität3000 nH | – | Gleichstromwiderstand15.51 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4900 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4900 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | – | Höhe4.8 mm | Breite6.9 mm | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | MaterialSuperflux | Nenninduktivität3400 nH | – | Gleichstromwiderstand15.95 mΩ | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10000 nH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom125 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand390 mΩ | MontageartSMT |