IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (103)

Xilinx XCKU040-FFVA1156 | Demoboard KCU1250

Kintex UltraScale FPGA KCU1250 Characterization Kit IBERT

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision2015.1

Beschreibung

The KCU1250 Characterization Kit provides everything you need to evaluate the 20 GTH 16.3Gbps transceivers available on the UltraScale™ XCKU040-FFVA1156 FPGA. Access to both the Integrated Bit Error Ratio Test (IBERT) demonstration and the Vivado® Design Suite enables quick evaluation of the industry leading GTH transceivers. Each GTH Quad and its associated reference clock are routed from the FPGA to the BullsEye connector pad thus enabling users to connect to a broad range of evaluation platforms, from backplanes and optical evaluation boards to high speed test equipment.

Eigenschaften

  • Hardware environment for characterizing and evaluating the GTH transceivers on UltraScale XCKU040-FFVA1156 FPGA
  • Hardware, design tools, IP, and pre-verified reference designs
  • Integrated Bit Error Ratio Test (IBERT) reference design
  • BullsEye connector supporting a full GTH quad, with four transmit/receive pairs◦Five Samtec BullsEye connector pads for the GTH transceivers and reference clocks
  • Two pairs of differential MRCC inputs with SMA connectors expand I/O with 3 FPGA Mezzanine Card (FMC) interfaces

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
LR(nH)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
Montageart
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität250 nH
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Höhe9 mm
Breite13 mm
Performance Nennstrom76.6 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
MaterialMnZn 
Nenninduktivität245 nH
Nennstrom47.5 A
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 680 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
Performance Nennstrom7.3 A
Sättigungsstrom 17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand19 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1150 nH
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität1000 nH
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4300 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4300 nH
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Höhe4 mm
Breite10.2 mm
Performance Nennstrom10.9 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
MaterialWE-PERM 
Nenninduktivität3000 nH
Gleichstromwiderstand15.51 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4900 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4900 nH
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Höhe4.8 mm
Breite6.9 mm
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität3400 nH
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
MontageartSMT 
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom125 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
Gleichstromwiderstand390 mΩ
MontageartSMT