| Topologie | HDBaseT |
| IC-Revision | C |
The Valens Colligo VS2310 is a high-end 5Playchipset that includes native USB 2.0 support andinter-device connectivity. The Valens Colligo VS2310chip’s proprietary HDI digital interfaces enable truemultistreaming and daisy-chaining. The ValensColligo VS2310 fully complies with the HDBaseT™2.0 Specification and supports the 5Play featureset for relaying audio, video, control, Ethernet, andpower over a single cable for up to 100m. The ValensColligo VS2310 is also backwards compatible with theHDBaseT 1.0 Specification and all legacy HDBaseTproducts.
Video Interfaces:Fully compliant with HDMI 1.4 and HDMI 2.0.EDID adjustment mechanism for HDMI 2.0 at pixel clock higher than 340MHzGlueless interface to TMDS, DDC, CEC, and HPD HDMI signalsHDMI interface:100m Cat6 uncompressed HD video:
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | Datenrate | Ports | PoE | Improved CMRR | Betriebstemperatur | VT(V (RMS)) | Montageart | L(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 1300 mA, 1700 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Nennstrom 11300 mA | Nennstrom 21700 mA | Sättigungsstrom1000 mA | Gleichstromwiderstand71.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite2 mm | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität1 µH | ||||
| WE-LAN 10G Übertrager 10Gbit Base-T, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN 10G Übertrager 10Gbit Base-T | – | – | – | – | – | TypPoE | Höhe6.6 mm | Breite13.5 mm | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität200 µH |