| Topologie | Leistungsfaktor-Korrektur |
| Eingangsspannung | 85-265 V |
| Ausgang 1 | 387 V |
| IC-Revision | 2 |
The Evaluation Board for a bridgeless totem-pole Power-Factor-Correction (PFC) circuit,using Transphorm GaN power HEMTs, is described in this application note. In this board, byusing a diode-free GaN power HEMT bridge with low reverse-recovery charge, very-highefficiencysingle-phase AC-DC conversion is realized. In this circuit, the performance andefficiency improvement, achieved by use of the GaN HEMTs in the fast-switching leg of thecircuit, is further enhanced by the use of low resistance MOSFETs in the slow-switching leg
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Sicherheitsklasse | dV/dt(V/µs) | DF @ 1 kHz(%) | RISO | Raster(mm) | Verpackung | IR(A) | L(mH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
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![]() | WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, Across the mains, 1.5 µF | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTX2 Folienkondensatoren | Kapazität1.5 µF | SicherheitsklasseX2 | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit140 V/µs | Verlustfaktor0.1 % | Isolationswiderstand6.67 GΩ | Raster22.5 mm | VerpackungLose | – | – | – | Nennspannung275 V (AC) | – | – | Länge26 mm | Breite10 mm | Höhe21 mm | MontageartBoxed THT | ||||
![]() | WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom15 A | Induktivität1 mH | Gleichstromwiderstand3.2 mΩ | Nennspannung300 V (AC) | Prüfspannung2100 V (AC) | MaterialNanokristallin | Länge24 mm | Breite17 mm | Höhe25 mm | MontageartTHT |