IC-Hersteller Transphorm

IC-Hersteller (103)

Transphorm TPH3202PS | Demoboard TDAIO250P200

TDAIO250P200: All-in-one PFC + LLC Evaluation Board

Details

TopologieLLC Resonanzwandler
Eingangsspannung90-265 V
Schaltfrequenz170-471 kHz
Ausgang 112 V / 20 A
IC-Revisionevk005.1

Beschreibung

The TDAIO250P200 is a complete 250W power supply evaluation board designed specifically to meet the requirements for an all-in-one computer. The power supply combines a PFC input stage with an LLC DC-DC converter and uses ON Semiconductor control ICs (NCP4810, NCP1654, NCP1397, NCP432) with three Transphorm 600V 290mΩ GaN FETs (TPH3202PS). Designed to switch at 200-250kHz, the compact-size board showcases the GaN devices’ advantage in delivering both small size and high efficiency not possible with existing silicon solutions. With a universal AC input, the all-in-one power supply evaluation board can deliver up to 20A from the 12V output with a peak efficiency of 95.4% from a 230VAC line.

Eigenschaften

  • Power: 250W
  • Switching frequency: 200kHz
  • Features TPH3202PS
  • Easy-to-use platform to investigate GaN

Typische Anwendungen

  • Consumer computing

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
PCB/Kabel/Panel
Modularity
Typ
Wire Section
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Q(%)
Ø Kabel max.(mm)
Ø OD(mm)
Ø ID(mm)
L(mm)
Z @ 25 MHz
1 Windung
(Ω)
Z @ 100 MHz
1 Windung
(Ω)
Material
B(mm)
H(mm)
IR 1(A)
Ti
Tl(mm)
Pins
Muster
WR-TBL Series 2141 - 3.50 mm Horiz. Entry Modular, Käfigzugklemme, PCB
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
PCB/Kabel/PanelPCB 
ModularityJa 
TypHorizontal 
Wire Section 24 to 16 (AWG) 0.2 to 1 (mm²)
Nennstrom10 A
Länge7.05 mm
Pins
WE-SAFB, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SAFB
Kabeldurchmesser Max.1.4 mm
Außendurchmesser4.1 mm
Innendurchmesser1.6 mm
Länge4 mm
Impedanz @ 25 MHz 1 Windung33 Ω
Impedanz @ 100 MHz 1 Windung51 Ω
Material3 W 800 
Höhe4.1 mm
WE-LQ SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.07 A
Sättigungsstrom0.16 A
Gleichstromwiderstand30 Ω
Eigenresonanzfrequenz2 MHz
Güte28 %
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.6 mm
WP-BUFU REDCUBE PRESS-FIT with internal thread, full plain, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom130 A
MaterialMessing 
Breite7 mm
Höhe6 mm
Nennstrom [1]130 A
InnengewindeM3 
Gewindelänge3.5 mm
Pins