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IC-Hersteller Toshiba

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignLTC7810ILXE | Demoboard RD231

Toshiba LTC7810ILXE | Demoboard RD231

48 V Bus Compatible 1.2 V/100 A Double Step-Down DC-DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung40-59.5 V
Ausgang 11.2 V / 100 A
IC-Revision1

Beschreibung

The 48 V power supply for servers is getting popular in order to reduce power consumption of data centers. This DC-DC converter can convert the 48 V bus voltage to 1.2 V/100 A for several devices on a server efficiently. Design files and guides for circuit design and operation are available as reference design.

Eigenschaften

  • Provides 1.2 V/100 A from the 48 V bus line very efficiently
  • Total efficiency 83 % (Vin = 50 V at 100 % load condition)
  • Outline size : 198 mm x 151 mm
  • Provides the latest power MOSFET totally

Typische Anwendungen

  • Server

Weiterführende Informationen

Von Toshiba freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Drahttype
LR(nH)
IR(A)
RDC(mΩ)
Material
Montageart
ISAT(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308020
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 54.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität200 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 144 A
Sättigungsstrom @ 30%50.4 A
–
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
–
Nenninduktivität198 nH
Nennstrom25 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
MaterialMnZn 
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744774022
SPECWE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 2200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel
Induktivität2200 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.041 Ω
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
–
–
Nennstrom4.6 A
–
MaterialNiZn 
MontageartSMT 
Sättigungsstrom8.2 A
–Verfügbarkeit prüfen
74437324100
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 10000 nH, 1.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität10000 nH
Performance Nennstrom1.95 A
Sättigungsstrom 11.5 A
Sättigungsstrom @ 30%3.15 A
Gleichstromwiderstand0.243 Ω
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
–
–
–
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443632200
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 22000 nH, 13.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität22000 nH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 113 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand0.01172 Ω
Eigenresonanzfrequenz12.5 MHz
DrahttypeFlach 
Nenninduktivität21100 nH
Nennstrom12.5 A
Gleichstromwiderstand10.65 mΩ
MaterialMnZn 
MontageartSMT 
Sättigungsstrom15 A
–Verfügbarkeit prüfen