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Torex XC9276
Ultra-Low Quiescent Current, Synchronous Step-Down PFM DC/DC Converter with Output voltage selectable function
Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 1.8-6 V |
| Ausgang 1 | 3.6 V / 0.15 A |
Beschreibung
The XC9276 Series is a 150mA step-down synchronous rectification DC/DC converter which has an output voltage switchover function with an ultra-low power consumption circuit and a PFM control. The efficiency performance at a light load current is dramatically improved by implementing ultra-low power consumption circuits which has 200nA consumption current, and PFM control method. Additionally two-preset output voltage switchover function is available with using VSET pin. This function can select an appropriate output voltage based on the MCU behavior mode and contribute a power consumption reduction for a total system. Due to these functions, XC9276 series are suitable for equipment which needs a high efficiency performance at a light load current, and a long-time battery life. XC9276 series are compatible to 2.2uH inductor therefore it can reduce an output ripple voltage which is a negative side of PFM control method, and a PCB board area size..
Eigenschaften
- Input Voltage Range:1.8V ~ 6.0V
- Output Voltage Setting:0.5V ~ 1.9V (0.05V increments)2.0V ~ 3.6V (0.1V increments)
- Output Voltage Accuracy ±20mV (VOUT(T)≦1.0V) ±2.0% (VOUT(T)＞1.0V)
- Output Current:150mA
- Supply Current:200nA @ VOUT(T)=1.8V (TYP.)
- Control Method:PFM control
- Function:Output Voltage selectable functionCL Discharge (D Type)UVLO function
- Protection Functions:Short Protection
- Input / Output Capacitor:Ceramic Capacitor Compatible
- Operation Ambient Temperature : -40 ~ 85°C
- Package:WLP-6-03 (1.72 x 1.07x 0.33mm)SOT-26W (2.9 x 2.8 x 1.3mm)USP-8B06 (2.0 x 2.0 x 0.33mm)
- Environmentally Friendly EU RoHS compliant, Pb Free
Typische Anwendungen
- Energy Harvest devices
- Back-up power supply circuit
- Wearable Devices
- Smart meter, Low Power RF, Sensor Module, Smart card, Devices with 1 Lithium cell.
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Ersatzartikel | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | Montageart | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 2.2 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand200 mΩ | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | – | – | – | – | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
| SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 2.2 µH, – | Ersatzartikel 74479887222A | Simulation– | Verfügbarkeit – | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand106.25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom 11300 mA | Nennstrom 21800 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand85 mΩ | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | – | – | – | – | ||
| SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 2.2 µH, – | Ersatzartikel 74479887222A | Simulation– | Verfügbarkeit – | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand312.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom 1900 mA | Nennstrom 21300 mA | Sättigungsstrom1700 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | – | – | – | – | – | ||
 | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.5 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.5 A | Sättigungsstrom @ 30%3.25 A | Gleichstromwiderstand388 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Performance Nennstrom1.25 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2500 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite1.6 mm | Nennstrom0 A | – | – | Gleichstromwiderstand337 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.65 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.65 A | Sättigungsstrom @ 30%3.3 A | Gleichstromwiderstand270 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Performance Nennstrom1.65 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2500 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite1.6 mm | Nennstrom1.1 A | – | – | Gleichstromwiderstand225 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%2.8 A | Gleichstromwiderstand302 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Performance Nennstrom1.65 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2200 mA | – | – | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | Nennstrom1.34 A | – | – | Gleichstromwiderstand252 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
| SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%3.55 A | Gleichstromwiderstand176 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Performance Nennstrom2.2 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2500 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite2 mm | Nennstrom1.3 A | – | – | Gleichstromwiderstand147 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%2.8 A | Gleichstromwiderstand302 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Performance Nennstrom1.65 A | MontageartSMT | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | – | – | Gleichstromwiderstand252 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
| SPECWE-MAIA SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 2 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%3.55 A | Gleichstromwiderstand176 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Performance Nennstrom2.2 A | MontageartSMT | – | – | – | – | – | Höhe1 mm | Breite2 mm | – | – | – | Gleichstromwiderstand147 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 1.5 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.5 A | Sättigungsstrom @ 30%3.1 A | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | Performance Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | Nennstrom 11100 mA | Nennstrom 21500 mA | Sättigungsstrom2500 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite2 mm | Nennstrom3.15 A | Sättigungsstrom 11.5 A | Sättigungsstrom 23.1 A | Gleichstromwiderstand95 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 1.4 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%3.25 A | Gleichstromwiderstand89 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Performance Nennstrom3 A | MontageartSMT | Nennstrom 11200 mA | Nennstrom 21700 mA | Sättigungsstrom2800 mA | – | – | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom 23.25 A | Gleichstromwiderstand80 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand170 mΩ | Eigenresonanzfrequenz53 MHz | – | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2150 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite1.6 mm | Nennstrom1.25 A | – | – | Gleichstromwiderstand142 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen |
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WE Artikelnummer VerpackungseinheitenWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |
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