| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 0.7-5.5 V |
| Ausgang 1 | 5 V / 0.08 A |
| IC-Revision | ETR04015-009a |
The XC9140 series are step-up synchronous DC/DC converters that support ceramic capacitors and have an internal 0.6Ω Nch driver transistor and an internal 0.65Ω Pch synchronous rectifier switch transistor. PFM control enables a low quiescent current, making these products ideal for portable devices that require high efficiency.When the output voltage is 3.3V and the load current is 1mA, startup from an input voltage of VIN = 0.9V is possible which means that these products can be used in applications that start using a single alkaline or nickel-metal hydride battery.A version with a UVLO (Under Voltage Lock-out) function is also available. This function enables the prevention of battery leakage by stopping IC’s operation when the input voltage is low. The standard product has a UVLO release voltage of 1.65V, 2.15V and a custom version with a release voltage selectable from between 1.65V to 2.2V, in steps of 0.05V, is also available.
Artikel Nr. | Datenblatt | Ersatzartikel | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | Montageart | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 4.7 µH, – | Ersatzartikel 74479889247 | Simulation– | Verfügbarkeit – | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität4.7 µH | – | – | Gleichstromwiderstand475 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand380 mΩ | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1 mm | Breite2 mm | – | – | – | ||
![]() | SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 4.7 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität4.7 µH | – | – | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom 1650 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom900 mA | Gleichstromwiderstand400 mΩ | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | – | – | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | – | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom1200 mA | Gleichstromwiderstand173 mΩ | – | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | Nennstrom1.12 A | – | Betriebsspannung120 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.1 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom 11.1 A | Sättigungsstrom @ 30%2.3 A | Gleichstromwiderstand388 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Performance Nennstrom1.4 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom1750 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite2 mm | Nennstrom0.94 A | Gleichstromwiderstand338 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.4 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%2.65 A | Gleichstromwiderstand345 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Performance Nennstrom1.45 A | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom2100 mA | – | – | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | Nennstrom1 A | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Betriebsspannung80 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-MAIA SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.1 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom 11.1 A | Sättigungsstrom @ 30%2.3 A | Gleichstromwiderstand388 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Performance Nennstrom1.4 A | MontageartSMT | – | – | – | – | – | Höhe1 mm | Breite2 mm | – | Gleichstromwiderstand338 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-MAIA SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.4 A | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom 11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%2.65 A | Gleichstromwiderstand345 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Performance Nennstrom1.45 A | MontageartSMT | – | – | – | – | – | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | – | Gleichstromwiderstand300 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4.7 µH | – | – | Gleichstromwiderstand270 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | – | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom1900 mA | – | – | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | Nennstrom1 A | Gleichstromwiderstand225 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen | ||||
![]() | SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz71 MHz | – | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom850 mA | Gleichstromwiderstand410 mΩ | – | Höhe1 mm | Breite1.6 mm | Nennstrom0.72 A | – | Betriebsspannung120 V | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, – | Ersatzartikel– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4.7 µH | – | – | Gleichstromwiderstand444 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | MontageartSMT | – | – | Sättigungsstrom1500 mA | – | – | Höhe1 mm | Breite1.6 mm | Nennstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand370 mΩ | – | –Verfügbarkeit prüfen |
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |