IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments UCC28881DR | Demoboard TIDA-010250

UCC28881 700-V, 225-mA Low Quiescent Current Off-Line Converter

Details

TopologieMotor Drive
Schaltfrequenz52-75 kHz
IC-Revision00

Beschreibung

The UCC28881 integrates the controller and a 14-Ω, 700-V power MOSFET into one monolithic device. The device also integrates a high voltage current source, enabling start up and operation directly from the rectified mains voltage. UCC28881 is the same family device of UCC28880, with higher current handling capability.

Eigenschaften

  • Integrated 14-Ω, 700-V Power MOSFET
  • Integrated High-Voltage Current Source for Internal Device Bias Power
  • Integrated Current Sense
  • Internal Soft Start
  • Self-Biased Switcher (Start Up and Operation Directly from Rectified Mains Voltage)
  • Supports Buck, Buck-Boost and Flyback Topologies
  • <100-μA Device Quiescent Current
  • Robust Current Protection During Load Short Circuit
  • Protection
  • Current Limit
  • Overload and Output Short Circuit
  • Over Temperature

Typische Anwendungen

  • AC-to-DC Power Supplies(Non-Isolated Buck Converter with Output Current up to 225 mA for CCM;150 mA for DCM), E-Meter, Home Automation SMPS, Bias Power for MCU, RF and IoT Enabled Devices
  • Appliances, White Goods and LED Drivers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
C
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
ISAT(A)
Pins
Typ
G(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
IR(A)
L(µH)
RDC max.(Ω)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 0.38 A, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom 10.38 A
Sättigungsstrom @ 30%0.5 A
Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz
Sättigungsstrom0.38 A
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Nennstrom0.35 A
Induktivität1800 µH
Gleichstromwiderstand3.5 Ω
MaterialNiZn 
Länge7.8 mm
Breite7.8 mm
Höhe9.5 mm
MontageartTHT 
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 1.6 A, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom 11.6 A
Sättigungsstrom @ 30%3.1 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Performance Nennstrom1.75 A
Pins
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand0.287 Ω
Länge3 mm
Breite3 mm
Höhe1.5 mm
MontageartSMT 
WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Pin Länge5 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Nennstrom7 A
Induktivität7000 µH
Gleichstromwiderstand0.022 Ω
Nennspannung300 V (AC)
Prüfspannung2100 V (AC)
MaterialNanokristallin 
Länge29 mm
Breite19 mm
Höhe28 mm
MontageartTHT 
WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 nF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit280 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand21.28 GΩ
Raster12.5 mm
VerpackungLose 
Pin Länge18 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennspannung275 V (AC)
Länge15 mm
Breite10 mm
Höhe16 mm
MontageartBoxed THT 
WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit300 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand30 GΩ
Raster15 mm
VerpackungLose 
Pin Länge18 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennspannung275 V (AC)
Länge18 mm
Breite6 mm
Höhe12 mm
MontageartBoxed THT 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
Raster2.54 mm
VerpackungBeutel 
Pins
TypGerade 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3 A
Länge12.7 mm
MontageartTHT