| Topologie | Motor Drive |
| Schaltfrequenz | 52-75 kHz |
| IC-Revision | 00 |
The UCC28881 integrates the controller and a 14-Ω, 700-V power MOSFET into one monolithic device. The device also integrates a high voltage current source, enabling start up and operation directly from the rectified mains voltage. UCC28881 is the same family device of UCC28880, with higher current handling capability.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | C | Sicherheitsklasse | dV/dt(V/µs) | DF @ 1 kHz(%) | RISO | Raster(mm) | Verpackung | ISAT(A) | Pins | Typ | G(mm) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | IR(A) | L(µH) | RDC max.(Ω) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 0.38 A, 0.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage) | Sättigungsstrom 10.38 A | Sättigungsstrom @ 30%0.5 A | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom0.38 A | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Nennstrom0.35 A | Induktivität1800 µH | Gleichstromwiderstand3.5 Ω | – | – | MaterialNiZn | Länge7.8 mm | Breite7.8 mm | Höhe9.5 mm | MontageartTHT | ||||
![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 1.6 A, 3.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Sättigungsstrom 11.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.1 A | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Performance Nennstrom1.75 A | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins2 | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand0.287 Ω | – | – | – | Länge3 mm | Breite3 mm | Höhe1.5 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins4 | – | Pin Länge5 mm | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Nennstrom7 A | Induktivität7000 µH | Gleichstromwiderstand0.022 Ω | Nennspannung300 V (AC) | Prüfspannung2100 V (AC) | MaterialNanokristallin | Länge29 mm | Breite19 mm | Höhe28 mm | MontageartTHT | |||||
![]() | WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTX2 Folienkondensatoren | – | – | – | – | Kapazität470 nF | SicherheitsklasseX2 | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit280 V/µs | Verlustfaktor0.1 % | Isolationswiderstand21.28 GΩ | Raster12.5 mm | VerpackungLose | – | – | – | Pin Länge18 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | Nennspannung275 V (AC) | – | – | Länge15 mm | Breite10 mm | Höhe16 mm | MontageartBoxed THT | ||||
![]() | WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTX2 Folienkondensatoren | – | – | – | – | Kapazität100 nF | SicherheitsklasseX2 | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit300 V/µs | Verlustfaktor0.1 % | Isolationswiderstand30 GΩ | Raster15 mm | VerpackungLose | – | – | – | Pin Länge18 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | Nennspannung275 V (AC) | – | – | Länge18 mm | Breite6 mm | Höhe12 mm | MontageartBoxed THT | ||||
![]() | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | Raster2.54 mm | VerpackungBeutel | – | Pins5 | TypGerade | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Nennstrom3 A | – | – | – | – | – | Länge12.7 mm | – | – | MontageartTHT |