IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments UCC28051 | Demoboard PMP8920

High-Eff 2Stage Univ Input Pwr Supply Using Trans Mode PFC/LLC Resonant Conv Reference Design

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung85-265 V
Ausgang 112 V / 9 A
IC-RevisionB

Beschreibung

Low EMI, high efficiency, high power factor and reliable power supply are main focus of the PMP8920 design for telecom applications. Transient mode (TM) power factor correction (PFC) with UCC28051 and LLC series resonant converter (SRC) with UCC25600 are applied in PMP8911. In addition, synchronous rectifier (SR) IC UCC24610 is applied to LLC output rectifier stage. Low EMI is expected with zero voltage switching on TM-PFC and LLC-SRC switches. An overall 91% efficiency is achieved at 100W full load. In addition, several protections are embedded into this design which includes input under-voltage protection, input over-voltage protection, output over-voltage protection, and output hic-cup over-power protection.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
IRP,40K(A)
fres(MHz)
Version
IR(A)
L(µH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
n
∫Udt(µVs)
CWW 1(pF)
LS(µH)
Bauform
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 14.7 A, 45 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom14.7 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
VersionGestanzt 
Nennstrom11 A
Induktivität3.5 µH
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Länge12 mm
Breite12 mm
Höhe10 mm
MontageartSMT 
Bauform1210 
WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionTHT 
Nennstrom1.5 A
Induktivität3300 µH
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialMnZn 
Länge17.5 mm
Breite13 mm
Höhe22 mm
MontageartTHT 
BauformTyp S 
WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionTHT 
Nennstrom2 A
Induktivität10000 µH
Gleichstromwiderstand125 mΩ
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialMnZn 
Länge23 mm
Breite13.8 mm
Höhe26.5 mm
MontageartTHT 
Bauform
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität260 µH
Nennspannung80 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
Länge7 mm
Breite8.5 mm
Höhe6 mm
MontageartSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1:1 
Spannung-µSekunde25.2 µVs
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität1.7 µH
BauformEP5 
750313807
Power Inductor, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Power Inductor
750313924
Power Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Power Transformer