| Topologie | Gegentaktwandler (Halbbrücken) |
| Eingangsspannung | 85-265 V |
| Ausgang 1 | 12 V / 9 A |
| IC-Revision | B |
Low EMI, high efficiency, high power factor and reliable power supply are main focus of the PMP8920 design for telecom applications. Transient mode (TM) power factor correction (PFC) with UCC28051 and LLC series resonant converter (SRC) with UCC25600 are applied in PMP8911. In addition, synchronous rectifier (SR) IC UCC24610 is applied to LLC output rectifier stage. Low EMI is expected with zero voltage switching on TM-PFC and LLC-SRC switches. An overall 91% efficiency is achieved at 100W full load. In addition, several protections are embedded into this design which includes input under-voltage protection, input over-voltage protection, output over-voltage protection, and output hic-cup over-power protection.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | IRP,40K(A) | fres(MHz) | Version | IR(A) | L(µH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | n | ∫Udt(µVs) | CWW 1(pF) | LS(µH) | Bauform | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 14.7 A, 45 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Performance Nennstrom14.7 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | VersionGestanzt | Nennstrom11 A | Induktivität3.5 µH | Gleichstromwiderstand9 mΩ | – | – | – | Länge12 mm | Breite12 mm | Höhe10 mm | MontageartSMT | – | – | – | – | Bauform1210 | ||||
![]() | WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel | – | – | VersionTHT | Nennstrom1.5 A | Induktivität3300 µH | Gleichstromwiderstand120 mΩ | Nennspannung250 V (AC) | Prüfspannung1500 V (AC) | MaterialMnZn | Länge17.5 mm | Breite13 mm | Höhe22 mm | MontageartTHT | – | – | – | – | BauformTyp S | ||||
![]() | WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel | – | – | VersionTHT | Nennstrom2 A | Induktivität10000 µH | Gleichstromwiderstand125 mΩ | Nennspannung250 V (AC) | Prüfspannung1500 V (AC) | MaterialMnZn | Länge23 mm | Breite13.8 mm | Höhe26.5 mm | MontageartTHT | – | – | – | – | BauformM | ||||
![]() | WE-GDT Gate-Drive-Übertrager, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GDT Gate-Drive-Übertrager | – | – | – | – | Induktivität260 µH | – | Nennspannung80 V (AC) | Prüfspannung1500 V (AC) | – | Länge7 mm | Breite8.5 mm | Höhe6 mm | MontageartSMT | Übersetzungsverhältnis1:1:1 | Spannung-µSekunde25.2 µVs | Koppelkapazität9 pF | Streuinduktivität1.7 µH | BauformEP5 | |||
750313807 | Power Inductor, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Inductor | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
![]() | 750313924 | Power Transformer, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Power Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |