IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments SN6505 | Demoboard LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN half-bridge daughter card

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung600 V
IC-RevisionA

Beschreibung

LMG3410EVM-018 configures two LMG3410R050 600-V GaN FETs with Integrated driver and protection, in a half bridge. This EVM comes with all the necessary auxiliary peripheral circuitry, and is designed to work in conjunction with larger systems.

Eigenschaften

Input voltage operates up to 600 VSimple open loop design to evaluate performance of LMG3410R050Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead timeConvenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(A)
Isolierungstyp
fswitch(kHz)
∫Udt(Vµs)
NPRI : NSEC
VT(V (AC))
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.5 A
Sättigungsstrom0.6 A
Gleichstromwiderstand860 mΩ
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
Länge2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1 mm
MontageartSMT 
WE-PPTI Push-Pull Transformers, 475 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität475 µH
Input Voltage 5 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V (DC)
Ausgangsstrom 10.6 A
IsolierungstypFunktional 
Switching Frequency 300 - 620
Spannung-µSekunde11 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.3 
Prüfspannung2500 V (AC)
Länge6.73 mm
Breite10.2 mm
Höhe4.19 mm
MontageartSMT