IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments SN6505 | Demoboard LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN half-bridge daughter card

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung600 V
IC-RevisionA

Beschreibung

LMG3410EVM-018 configures two LMG3410R050 600-V GaN FETs with Integrated driver and protection, in a half bridge. This EVM comes with all the necessary auxiliary peripheral circuitry, and is designed to work in conjunction with larger systems.

Eigenschaften

Input voltage operates up to 600 VSimple open loop design to evaluate performance of LMG3410R050Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead timeConvenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IR
(A)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
VinVOut1
(V (DC))
IOut1
(A)
Isolierungstypfswitch
(kHz)
∫Udt
(Vµs)
NPRI : NSECVT
(V (AC))
L
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Montageart Muster
74404020100SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-LQS SMT-Speicherdrossel 10 0.5 0.6 860 39 2 1.6 1 SMT
760390014SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-PPTI Push-Pull Transformers 475 5 V (DC) 5 0.6 Funktional 300 - 620 11 1:1.3 2500 6.73 10.2 4.19 SMT
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
74404020100SPEC
760390014SPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IR
(A)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
VinVOut1
(V (DC))
IOut1
(A)
Isolierungstypfswitch
(kHz)
∫Udt
(Vµs)
NPRI : NSECVT
(V (AC))
L
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Montageart Muster