| Topologie | Gegentaktwandler (Halbbrücken) |
| Eingangsspannung | 600 V |
| IC-Revision | A |
LMG3410EVM-018 configures two LMG3410R050 600-V GaN FETs with Integrated driver and protection, in a half bridge. This EVM comes with all the necessary auxiliary peripheral circuitry, and is designed to work in conjunction with larger systems.
Input voltage operates up to 600 VSimple open loop design to evaluate performance of LMG3410R050Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead timeConvenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Vin | VOut1(V (DC)) | IOut1(A) | Isolierungstyp | fswitch(kHz) | ∫Udt(Vµs) | NPRI : NSEC | VT(V (AC)) | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
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![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.6 A | Gleichstromwiderstand860 mΩ | Eigenresonanzfrequenz39 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.6 mm | Höhe1 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PPTI Push-Pull Transformers, 475 µH, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PPTI Push-Pull Transformers | Induktivität475 µH | – | – | – | – | Input Voltage 5 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V (DC) | Ausgangsstrom 10.6 A | IsolierungstypFunktional | Switching Frequency 300 - 620 | Spannung-µSekunde11 Vµs | Übersetzungsverhältnis1:1.3 | Prüfspannung2500 V (AC) | Länge6.73 mm | Breite10.2 mm | Höhe4.19 mm | MontageartSMT |