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ReferenzdesignLMG708B0-EVM12V | Demoboard LMG708B0-EVM12V

Texas Instruments LMG708B0-EVM12V | Demoboard LMG708B0-EVM12V

5V to 80V, 20A synchronous step-down converter with integrated GaN FETs for ultra-high efficiency

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung24-72 V
Schaltfrequenz320-480 kHz
Ausgang 112.1 V / 20 A

Beschreibung

The LMG708B0-EVM12V evaluation module (EVM) is designed to illustrate the synchronous GaN step-down converter LMG708B0. The EVM operates over an input voltage range of 24 V to 72 V to provide a regulated 12 V output of up to 20 A.

Eigenschaften

  • Maximum input voltage of 72V– VIN UVLO thresholds set at 21V (on), 19V (off)
  • Regulated output voltage of 12V rated at 20A
  • GaN buck converter enables ultra-high efficiency– 97% at 48VIN, 12VOUT, 20A, 400kHz– Low dead-time switching minimizes power lossand temperature rise– Bias power derived from the 12V output
  • Switching frequency of 400kHz synchronizable±20% with an external clock signal
  • Input π-stage EMI filter helps meet CISPR 32– Spread spectrum (DRSS) option for lowerelectromagnetic interference (EMI)– Electrolytic capacitor for parallel damping
  • Peak current-mode control architecture providesfast line and load transient response– Optional constant-current (CC) loop withadjustable setpoint (ISET) and seamlesstransition between CV and CC modes– Forced PWM (FPWM) or pulsed frequencymodulation (PFM) modes of operation
  • Integrated protection features for robust design– Overcurrent protection (OCP) with low-lossshunt current sensing– Monotonic prebias output voltage start-up– Internal soft-start time set to 2.75ms, adjustablewith the VSET input– Power-good (PG) indicator– Current monitor (IMON) output
  • Fully assembled, tested and proven PCB layoutwith 3.9" × 2.5" (99mm × 63mm) total footprint

Typische Anwendungen

  • Industrial: factory automation and control, robotics
  • Personal electronics: computer peripherals
  • Enterprise systems: high-performance computing
  • Communications systems: wireless infrastructure

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Schraube
Drahtdurchmesser(mm²)
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
B(mm)
H(mm)
Ti
Tl(mm)
Pins
MusterVerfügbarkeit & Muster
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5580510
SPECWA-CLUG Tubular Cable Lugs, M5, 10 mm²
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads3 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWA-CLUG Tubular Cable Lugs
SchraubeM5 
Drahtdurchmesser10 mm²
–
–
–
–
–
–
–
Breite12 mm
Höhe1.8 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
74655095
SPECWP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread
–
–
–
–
–
–
–
–
MontageartTHR 
Breite10 mm
Höhe4 mm
InnengewindeM5 
Gewindelänge3.5 mm
Pins8 
–Verfügbarkeit prüfen
744393465033
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
–
–
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom20.4 A
Sättigungsstrom @ 30%15.6 A
Gleichstromwiderstand6 mΩ
Gleichstromwiderstand6.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MontageartSMT 
Breite6.4 mm
Höhe6.1 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
744393605022
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
–
–
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom29.5 A
Sättigungsstrom @ 30%42.5 A
Gleichstromwiderstand1.9 mΩ
Gleichstromwiderstand2.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Breite10 mm
Höhe10 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
744393605033
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
–
–
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom28.7 A
Sättigungsstrom @ 30%41.5 A
Gleichstromwiderstand2.7 mΩ
Gleichstromwiderstand3.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Breite10 mm
Höhe10 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
744393605047
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
–
–
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom27.9 A
Sättigungsstrom @ 30%28 A
Gleichstromwiderstand3.8 mΩ
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
MontageartSMT 
Breite10 mm
Höhe10 mm
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen