IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (108)

Texas Instruments LMG3422R050 | Demoboard LMG3425EVM-041

600-V 50-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung650 V
IC-RevisionB

Beschreibung

The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI's lowinductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3425R050 includes ideal diode mode, which reduces thirdquadrant losses by enabling adaptive dead-time control. Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

Eigenschaften

  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600-V GaN-on-Si FET with Integrated gate driver – Integrated high precision gate bias voltage
  • 200-V/ns CMTI
  • 3.6-MHz switching frequency
  • 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
  • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
  • Cycle-by-cycle overcurrent and latched shortcircuit protection with < 100-ns response
  • Withstands 720-V surge while hard-switching
  • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
  • Digital temperature PWM output
  • Ideal diode mode reduces third-quadrant losses in LMG3425R050

Typische Anwendungen

  • Merchant telecom rectifiers, Merchant network & server PSU
  • Uninterruptable power supplies
  • Solar inverters and industrial motor drives

Weiterführende Informationen

Von Texas Instruments freigegebene Bauteile

Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
Artikel Nr.
Daten­blatt
Downloads
Status
Produktserie
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Isolierungstyp
fswitch(kHz)
∫Udt(Vµs)
NPRI : NSEC
L(µH)
VT(V (AC))
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
SPECWE-PPTI Push-Pull Transformers, 4.5 - 5.5 V (DC), 5 V

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Input Voltage 4.5 - 5.5 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V
Ausgangsstrom 11 A
IsolierungstypFunktional 
Switching Frequency 400 - 700
Spannung-µSekunde8.6 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.1 
Induktivität72 µH
Prüfspannung2500 V (AC)
Länge8.3 mm
Breite12.6 mm
Höhe4.1 mm
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen