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ReferenzdesignLM5122-Q1 | Demoboard PMP11479

Texas Instruments LM5122-Q1 | Demoboard PMP11479

98% Efficient 30W Synchronous Automotive Pre-Boost Reference Design

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung6-16 V
Ausgang 112 V / 2.5 A
IC-RevisionA

Beschreibung

98% Efficient 30W Synchronous Automotive Pre-Boost Reference Design. PMP11479 is a synchronous boost power supply using the LM5122-Q1 controllers. The design accepts an input voltage of 6Vin to 16Vin, and boosts a 12Vout rail capable of sourcing 2.5A continuous current. The LM5122-Q1 has an internal current source to keep the high side FET to run at 100% duty cycle which allows a bypass operation when the input voltage is greater than the configured output voltage.

Eigenschaften

  • 6V to 16V in, output 12V@ 2.5A
  • Achieving efficiency of 98% at 12Vin
  • High density design
  • Solution size: 36mm x 23mm
  • Overvoltage and overcurrent protection

Weiterführende Informationen

Von Texas Instruments freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
LR(nH)
IR(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744302010
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 105 nH, 76.1 A

Anstehende PCN

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–
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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität105 nH
Performance Nennstrom76.1 A
Sättigungsstrom 145 A
Sättigungsstrom @ 30%51 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität104 nH
Nennstrom30 A
–Verfügbarkeit prüfen
7443551600
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6000 nH, 13.6 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität6000 nH
Performance Nennstrom13.6 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Nenninduktivität4500 nH
–
–Verfügbarkeit prüfen