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| IC-Revision | E2 |
Significant technological advancements and high degree of integration in Medical imaging, especially hand-held ultrasound smart probes, are pushing engineers to come up with highly-efficient, noise immune power solutions in a small size. This reference design documents end to end power and data solution for our high performance 128-channel Tx/64-channel Rx ultrasound smart probe solution with TX7332 transmit chip and AFE5832LP receive chip. The power tree includes a single-stage transformer-less HV generation (up to +/- 80V & height <5mm) for transmit and the point-of-load LV for the AFEs & FPGA from a 5V USB Type-C™ input. This design enables low-noise (<10mV ripple) efficient rails and better thermal performance (< 10°C temp rise) achieving system efficiency ~80%, receive data SNR > 55dB and ultra-compact size (90mm x 45mm x 20mm). All power rails can be synchronized to an external clock using our integrated buffer-divider CDCE949. This design also supports 1S battery input with a normal ultrasound operation of up to 2 hours.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | Q(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR 1(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | IR(mA) | Montageart | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC) | Kapazität100 pF | Kapazität±5% | Nennspannung50 V (DC) | Bauform0402 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Güte1000 % | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypNP0 Klasse I | Länge1 mm | Breite0.5 mm | Höhe0.5 mm | Pad Dimension0.25 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | Nennstrom 12000 mA | – | – | – | Nennstrom2000 mA | MontageartSMT | Impedanz @ 100 MHz30 Ω | Maximale Impedanz40 Ω | Maximale Impedanz1000 MHz | Nennstrom 23000 mA | Gleichstromwiderstand0.04 Ω | TypHochstrom | ||||
![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | – | – | – | Bauform0805 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Güte25 % | – | – | Länge2 mm | Breite1.2 mm | Höhe1 mm | – | – | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 1700 mA | Sättigungsstrom280 mA | Gleichstromwiderstand200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | – | MontageartSMT | – | – | – | Nennstrom 21000 mA | Gleichstromwiderstand0.25 Ω | TypLow RDC | ||||
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform8040 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge8 mm | Breite8 mm | Höhe4.2 mm | – | – | Induktivität100 µH | – | Sättigungsstrom1500 mA | Gleichstromwiderstand290 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.4 MHz | Nennstrom1200 mA | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4828 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge4.8 mm | Breite4.8 mm | Höhe2.8 mm | – | – | Induktivität1000 µH | – | Sättigungsstrom80 mA | – | Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz | Nennstrom140 mA | MontageartSMT | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand7 Ω | – |