IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments AMC1306M05DWVR | Demoboard TIDA-01606 Power Card

10kW 3-Phase 3-Level Grid Tie Inverter Reference Design for Solar String Inverter

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionE4

Beschreibung

This verified reference design provides an overview on how to implement a three-level three-phase SiC based DC:AC grid-tie inverter stage.Higher switching frequency of 50KHz reduces the size of magnetics for the filter design and enables higher power density. The use of SiC MOSFETs with switching loss ensures higher DC bus voltages of up to 1000V and lower switching losses with a peak efficiency of 99 percent. This design is configurable to work as a two-level or three-level inverter.The system is controlled by a single C2000 microcontroller (MCU), TMS320F28379D, which generates PWM waveforms for all power electronic switching devices under all operating modes.

Eigenschaften

  • Rated Nominal and Max Input Voltage at 800-V and 1000-V DC
  • Max 10-kW/10-kVA Output Power at 400-V AC 50- or 60-Hz Grid-Tie Connection
  • Operating Power Factor Range From 0.7 Lag to 0.7 Lead
  • High-Voltage (1200-V) SiC MOSFET-Based FullBridge Inverter for Peak Efficiency of 98.5%
  • Compact Output Filter by Switching Inverter at 50 kHz
  • <2% Output Current THD at Full Load
  • Isolated Driver ISO5852S With Reinforced Isolation for Driving High-Voltage SiC MOSFET and UCC5320S for Driving Middle Si IGBT
  • Isolated Current Sensing Using AMC1301 for Load Current Monitoring
  • TMS320F28379D Control Card for Digital Control

Typische Anwendungen

  • Industrial Motor Drives
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Photovoltaic Inverters

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR(V (DC))
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
L(mm)
Verpackung
Montageart
G(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
B(mm)
H(mm)
Ti
Tl(mm)
Pins
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
Typ
Muster
WCAP-FTBP Folienkondensatoren, 150 nF, 630 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität150 nF
Nennspannung630 V (DC)
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit200 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand30 GΩ
Raster15 mm
Länge18 mm
VerpackungKarton 
Pin Länge4 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Breite7 mm
Höhe13 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge1.6 mm
MontageartSMT 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz26 Ω
Maximale Impedanz39 Ω
Maximale Impedanz515 MHz 
Nennstrom6500 mA
Impedanz @ 1 GHz33 Ω
TypHochstrom 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
Raster2.54 mm
Länge5.08 mm
VerpackungBeutel 
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Pins
Nennstrom3000 mA
TypGerade 
WP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VerpackungTape and Reel 
MontageartTHR 
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
Breite7 mm
Höhe3 mm
InnengewindeM3 
Gewindelänge2.5 mm
Pins
Nennstrom50000 mA
750343811
Inductor, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Inductor
Länge42 mm
VerpackungTray 
MontageartTHT 
Pin Länge4 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Breite27 mm
Höhe42 mm
750343810
Inductor, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Inductor
Länge67.5 mm
VerpackungTray 
MontageartTHT 
Pin Länge4 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Breite67.5 mm
Höhe39.88 mm