IC-Hersteller Tagore Tech
IC-Hersteller (103)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (35)
- Ablic (23)
- Acco Semiconductor (1)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (100)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (204)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (46)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (258)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (140)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (8)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (8)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (68)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (3)
- Kinetic Technology (8)
- Lattice semiconductor Corporation (38)
- Littelfuse (1)
- Lumissil Microsystems (8)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (22)
- Marvell Semiconductor (1)
- MaxLinear (181)
- Menlo Micro (1)
- MikroE (25)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (981)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (267)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Novosense Micro (1)
- NXP (340)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (117)
- Powermat (1)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (97)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (297)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (86)
- SG-Micro (58)
- SiFive (2)
- Silanna Semiconductor (9)
- Silergy Corporation (34)
- Silicon Laboratory Inc. (108)
- Silicontent Technology (59)
- Silvertel (59)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (33)
- Southchip (15)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (27)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (31)
- Wise Integration (3)
- Wolfspeed (23)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 1.0 |
Beschreibung
A galvanically-isolated AC-DC power converter is widely used in most power supply applications including battery charger, mobile and laptop adaptors, and server power supplies. The converter takes the power from the AC input mains (grid), processes it internally, and feeds it to the load with DC voltage as per the specification. The power train mainly consists of a non-isolated AC-DC front-end converter, which is followed by an isolated DC-DC converter. The latter uses a High-Frequency (HF) transformer, which provides the necessary galvanic isolation between the input (AC side) and the final DC output. There are many topology options for both the AC-DC and DC-DC converter stages. In this reference design, we have used a Totem-Pole PFC (TPPFC) topology for the front-end AC-DC converter, and an LLC resonant converter topology for the second-stage DC-DC converter. The TPPFC takes the power from the grid and internally generates a stable 400V DC bus, which the LLC stage uses as its input. The LLC resonant converter processes itand outputs a 20V regulated DC voltage across its output terminals. The use of Tagore Technology’s Superior GaN FETs, TP44100SG and TP44200SG, have helped achieve higherpower conversion efficiency in comparison to power converters using Si MOSFETs.
Typische Anwendungen
- Charger
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | Bauform | Qmin. | DF(%) | RISO | Keramiktyp | Fl(mm) | Verpackung | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | Endurance(h) | IRIPPLE(mA) | Z(mΩ) | ILeak(µA) | Ø D(mm) | IR(A) | L(mH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (DC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPECWCAP-CSMH Mid and High Voltage, 1 µF, ±10% | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSMH Mid and High Voltage | Kapazität1 µF | Kapazität±10% | Bauform2220 | – | Verlustfaktor2.5 % | Isolationswiderstand0.1 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Pad Dimension0.85 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennspannung630 V (DC) | – | – | Länge5.7 mm | Breite5 mm | Höhe2.8 mm | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 100 µF, ±20% | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren | Kapazität100 µF | Kapazität±20% | Bauform6.3 x 7.7 | – | Verlustfaktor14 % | Isolationswiderstand1 MΩ | – | – | Verpackung15" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | Endurance 2000 | Rippelstrom300 mA | Impedanz380 mΩ | Leckstrom35 µA | Durchmesser6.3 mm | – | – | – | Nennspannung35 V (DC) | – | – | Länge7.7 mm | Breite6.6 mm | – | MontageartV-Chip SMT | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | BauformL | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom3.5 A | Induktivität35 mH | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Nennspannung300 V (DC) | Prüfspannung2100 V (AC) | MaterialNanokristallin | Länge27.5 mm | Breite18 mm | Höhe32 mm | MontageartTHT | –Verfügbarkeit prüfen | ||||
 | SPECWE-CMB HC Stromkompensierte Netzdrossel, –, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CMB HC Stromkompensierte Netzdrossel | – | – | BauformTyp S | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom6.5 A | Induktivität0.45 mH | Gleichstromwiderstand10 mΩ | Nennspannung250 V (DC) | Prüfspannung1500 V (AC) | MaterialMnZn | Länge18.5 mm | Breite14.5 mm | Höhe22 mm | MontageartTHT | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWE-FI Funkentstördrossel, –, – | Simulation– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-FI Funkentstördrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom5.4 A | Induktivität0.15 mH | Gleichstromwiderstand42 mΩ | – | – | – | Länge26 mm | Breite13 mm | – | MontageartTHT | –Verfügbarkeit prüfen | ||
 | SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, –, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | – | – | Bauform0805 | Güte [1]25 | – | – | – | – | – | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom250 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | TypLow RDC | – | – | – | – | – | – | Induktivität0.0047 mH | Gleichstromwiderstand312.5 mΩ | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.2 mm | Höhe1 mm | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen |
Verfügbarkeitsprognose
WE Artikelnummer VerpackungseinheitenWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |
Für diese Mengenanfrage gibt es keine Prognose.
Es passt einfach nicht? Nehmen Sie Kontakt mit uns auf.Fragen Sie Sonderbestellungen & Mengen einfach bei unserem Service-Team an.Kontaktieren sie uns